本发明公开了一种存储器电路，其包括多个存储器库，各存储器库还包括一区域感测放大器，用以感测该区域位线上的小摆幅电压，并感测一互补全域位线对上的小摆幅电压；多个全域位线，排列成互补位线信号对，所述多个全域位线横越整个存储器阵列，并耦接至各...

一种调整器控制电路，包括高压侧驱动器，其接收供电电压。电容器用来储存电荷。第一晶体管耦接于电容器与高压侧驱动器的栅极之间。第一晶体管耦接电容器于第一节点，且第一晶体管耦接高压侧驱动器的栅极于第二节点。第一节点能被提升至一电压，使得第一晶...

本发明提供一种电压电平移位器、电压电平移位方法以及集成电路，该电压电平移位器包括可以接收输入电压信号的一输入端，上述输入电压信号包括从第一电压状态至第二电压状态的一第一状态转换，一输出端输出具有相对于上述输入电压信号的上述第一状态转换的...

本发明公开了一种脉冲时钟产生电路、集成电路与产生脉冲时钟信号的方法，其中该脉冲时钟产生电路包括一可变脉冲产生器，用以根据一时钟输入信号，输出一脉冲时钟信号，可变脉冲产生器并接收一控制信号，且脉冲时钟信号具有一期望工作周期；一脉冲监控电路...

本发明提供一种图像感测装置及其制造方法。该图像感测装置包含一具有一前端及一背端的装置基材。装置基材具有一辐射感测区域，其可感测具有一相对应波长的辐射。图像传感器也包含一形成于装置基材的前端上的第一层。第一层具有一第一折射系数及一第一厚度...

本发明提供一种由半导体晶片制造集成电路的装置和方法，该方法包括：对上述半导体晶片进行第一工艺；取得第一测量数据，用以指出已执行的第一工艺的正确性；使用第一测量数据，用以产生测量校正数据，其中测量校正数据包括有效部分以及无效部分；去除测量...

本发明提供一种感测放大器和感测方法，该方法包括：关闭感测放大器；使感测放大器的第一输入输出和第二输入输出的电压电平等化至参考电压的电压电平；补偿感测放大器的多个晶体管之间的特性差异；以及启动感测放大器。本发明用于补偿晶体管的不匹配。

本发明公开了一种图像传感器及半导体制造工艺。本发明实施例关于双重浅沟槽隔离。在关于互补式金属－氧化物－半导体图像传感器技术的不同实施例中，双重ＳＴＩ表示一ＳＴＩ结构位于像素区，而另一ＳＴＩ结构位于周边或逻辑区。每一ＳＴＩ结构的深度取决于...

一种参考电流电路以及参考电流产生方法。电流参考电路包括一电压源，具有一温度系数；一第一电阻性元件，具有一正温度系数；以及一第二电阻性元件，具有一负温度系数，其中第一、第二电阻性元件串联耦接并形成一电阻，用以通过电压源产生对温度变化不敏感...

本发明公开了一种电路及方法，该电路包括：电容器，具有包括彼此大体平行的多个条状物的至少一导体层；多个条状物中的两相邻条状物形成第一电容值；两相邻条状物的第一和第二条状物分别形成第一端和第二端；从第一端与第二端看进电容器的电容值包括多个第...

本发明公开了一种集成电路结构，包括：一有源电源供应线；一数据保持电源供应线；以及一存储器宏，连接至该有源电源供应线与该数据保持电源供应线，该存储器宏包括：一存储器晶格阵列；以及一开关，用以切换该存储器晶格阵列，而使其连接至该有源电源供应...

本发明实施例提供一种环状振荡器电路、观察临界电压变异的系统及方法。该环状振荡器电路包括依序被配置成环形的多个反相器及具有待测装置的多个测试电路。每一测试电路耦接于对应反相器及电压之间。每一测试电路包括旁路场效应晶体管，其具有耦接于电压及...

本发明揭示一种半导体装置及其制造方法，用以制造半导体芯片与穿硅导孔（ＴＳＶ）连接。所述穿硅导孔穿透一基板以供信号连线，也可提供电源和接地连线。于一实施例中，此穿硅导孔允许这些连线制作于该基板全部区域，而非仅位于该基板的周边区域。于另一实...

本发明提供了一种方法，包括提供具有正面和背面的衬底。在所述衬底上形成有ＣＭＯＳ器件。ＭＥＭＳ器件也形成在所述衬底上。形成ＭＥＭＳ器件包括在所述衬底的正面上形成ＭＥＭＳ机械结构。然后释放所述ＭＥＭＳ机械结构。保护层形成在所述衬底的正面。保...

本发明以通孔蚀刻工艺形成具有圆滑角与上宽下窄的侧壁轮廓的穿透基板通孔。形成上述结构的方法包括提供半导体基板；形成硬掩模层与图案化光致抗蚀剂层于半导体基板上；形成开口于硬掩模层中，并露出部分半导体基板；以图案化光致抗蚀剂层及硬掩模层作为掩...

一种时钟脉冲产生器，包括第一及第二输入端。第一输入端接收一第一时钟脉冲信号。第一时钟脉冲信号具有第一及第二电平转换。第一及第二电平转换可定义一第一脉冲宽度。第二输入端接收一第二时钟脉冲信号。第二时钟脉冲信号具有一第三电平转换。第一及第三...

本发明提供了一种鳍式ＦＥＴ及其制造方法。鳍式场效应晶体管包括设置在衬底上方的鳍。栅极设置在鳍的沟道部分上方。源极区域设置在鳍的第一端。漏极区域设置在鳍的第二端。源极区域和漏极区域通过至少一个气隙与衬底隔开。

一种操作磁阻性随机存取存储器（ＭＲＡＭ）单元的方法包括：设置ＭＲＡＭ单元，该ＭＲＡＭ单元包括磁性隧道结（ＭＴＪ）器件和具有串联至ＭＴＪ器件的源－漏路径的字线选择器。负衬底偏压连接至字线选择器的主体，以增大字线选择器的驱动电流。还减小字线...

一种集成电路结构，包括电可擦除可编程只读存储器（ＥＥＰＲＯＭ）阵列，其包括：按行和列排列的ＥＥＰＲＯＭ单元，沿列方向延伸的多条字线和多条漏极线，以及沿行方向延伸的多条源极线。多条字线中的每一条均连接到同一列中的ＥＥＰＲＯＭ单元的控制栅。...

一种用于监测直写系统的覆盖的方法。该方法包括提供衬底，该衬底具有通过直写系统形成在其上的构图，产生相关于衬底构图的数据，通过应用转换矩阵分解数据，以及基于分解的数据确定覆盖指数，覆盖指数对应于衬底构图相对于目标构图的变化分量。还公开了一...