本发明提供一种集成电路装置及其形成方法，所述方法包括：提供一半导体基底；在该半导体基底上形成一栅极结构；通过注入一择自实质上由铟与锑所构成的群组的第一元素至邻接该栅极结构的半导体基底的顶部分进行预先非结晶化注入；以及在进行该预先非结晶化...

本发明公开了一种静态随机存取存储单元及其制造方法，该单元包括：第一下拉晶体管；第一上拉晶体管；第一通道栅晶体管；第二下拉晶体管；第二上拉晶体管；第二通道栅晶体管、第一直线单元内连接物与第二直线单元内连接物。晶体管的有源区设置于基板内且有...

本发明提供一种存储器电路。该存储器电路包括：至少一存储器单元，用以存储代表一数据的一电荷，该存储器单元与一位线对中的一字线及一第一位线耦合；至少一位线平衡晶体管，耦接于该位线对的该第一位线与一第二位线之间；以及一位线平衡电路，与该位线平...

本发明提供一种虚拟测量先进工艺控制系统。在一实施例中，虚拟测量先进工艺控制系统包括工艺设备、测量设备与虚拟测量模块。工艺设备根据所接收的多个工艺输入，处理多个晶片；测量设备，用以测量至少一个晶片的特性，并且产生真实测量数据，其中晶片包括...

本发明公开了一种存储器电路、系统以及操作方法，该存储器电路，具有至少一个存储单元，且以电荷方式存储数据。该存储单元耦接一字元线以及一位元线。该存储器电路具有一位元线参考电位供应装置，用于供应一位元线参考电位给该位元线。该位元线参考电位供...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其中制造方法包括：在基底中形成隔离区域以形成有源区域，其中该有源区域的侧壁被该隔离区域围住；蚀凹该隔离区域以露出该有源区域的侧壁的第一部分；以间隔物覆盖该有源区域的侧壁的第一部分；蚀刻该隔离区域以露...

本发明公开了一种具有不受偏移电压影响的输出的带隙基准电路，包括具有第一输入和第二输入的运算放大器。第一电阻器具有耦合至第一输入的第一端。第一双极晶体管包括耦合至第一晶体管的第二端的第一发射极以及第一基极。第二双极晶体管包括耦合至第二输入...

本发明的实施例涉及一种静电放电防护装置、其制造方法及用于其的漏极。一实施例为一静电放电防护装置，包含一ｐ型阱区位于一基材中，一ｎ型阱区位于此基材中，一高电压ｎ型阱区位于此基材中及ｎ型阱区与ｐ型阱区之间，一ｎ＋源极区位于此ｐ型阱区中，及多...

本发明涉及一种鳍型场效应晶体管熔丝的操作方法以及集成电路结构，其中操作方法包括：提供包括一漏极、一栅极、一源极以及位于该漏极与该源极之间的一通道的该鳍型场效应晶体管熔丝；以及施加一编程电压于该鳍型场效应晶体管熔丝的该源极与该漏极之间，以...

用于电子束直写光刻的设计方法包括提供电子束直写（ＥＢＤＷ）系统。对晶片生成网格，其中，网格包括网格线。对晶片进行集成电路的布局，其中，集成电路中基本上没有灵敏部件横跨网格的网格线。使用ＥＢＤＷ系统对晶片执行ＥＢＤＷ。

一种化学机械抛光方法及设备提供了可变形的伸缩抛光液分配器臂，该分配器臂连接到分配器头上，分配器头可以为拱形并且还可以是可弯曲的伸缩元件，可以调整该伸缩元件从而改变分配器头的抛光液分配口数量以及曲率程度。分配器臂中可以额外地包括抛光液分配...

本发明公开了一种在半导体装置中形成图案的方法及系统、以及半导体装置，用以图案化一形成于晶片上的光致抗蚀剂材料层，以形成半导体装置。本发明的技术方案包括提供一种双波长曝光系统，其通过两种曝光操作，其中一种为具有一第一波长的第一辐射，另一种...

本发明提供一种集成电路的制造方法，包括：提供一基板，其包括一第一区域和一第二区域，上述第一区域和第二区域具有一个或多个栅极结构，上述栅极结构包括一虚设栅极层；从上述第一区域和第二区域中的一个或多个上述栅极结构移除虚设栅极层，以在上述第一...

一种使用可能性写入对ＭＲＡＭ单元进行编程的方法包括：提供写入脉冲以向ＭＲＡＭ单元写入值；以及在提供第一写入脉冲的步骤之后立即检验ＭＲＡＭ单元的状态。在写入失败的情况下，将值重写入ＭＲＡＭ单元。

本发明公开了一种隔离区域注入和结构，并提供了用于调整晶体管的阈值电压的方法和结构。使用掩模层在衬底内形成用于隔离区域的开口。然后，从开口回撤掩模层，并通过衬底的露出表面和开口的侧壁将掺杂物注入衬底。可以定制该注入以调整具有较小栅极宽度的...

本发明提供一种集成电路结构，该集成电路结构包含：一半导体基材，一半导体穿孔（ｔｈｒｏｕｇｈ－ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ?ｖｉａ；ＴＳＶ）开口，延伸进入此半导体基材：以及一半导体穿孔内衬（ＴＳＶ?ｌｉｎｅｒ），位于此半导体穿孔开口（ＴＳＶ...

本发明提供了一种耦合微条线结构，具有可调特性阻抗与可调特性波长，该结构包括：一第一接地平面，具有为一介电材料所分隔的多个第一导电条状物；一第一介电层，位于该第一接地平面上；一第一信号线，位于该第一介电层上，其中该第一信号线直接位于所述多...

本发明公开了一种集成电路结构，包含含第一区域及第二区域的芯片。第一金属－绝缘层－金属电容器形成于第一区域中，具有第一底部电极；位于第一底部电极上的第一顶部电极；及第一电容绝缘层，邻接第一底部电极及第一顶部电极并位于其间。第二金属－绝缘层...

本发明提供了一种用于检测错误和恢复视频数据的方法。用于处理视频数据的方法包括：提供位流；以及解码位流。解码位流的步骤包括：从位流中提取数据部分；从位流中提取数据部分的第一备份副本；以及根据数据部分自身和数据部分的第一备份副本来确定数据部...

本发明公开了一种用于衬底通孔的阻挡结构和方法。在一个实施例中，半导体器件包括第一衬底，第一衬底包括设置在隔离区域内的有源器件区域。衬底通孔设置为与有源器件区域相邻并且在第一衬底内。在衬底通孔的至少一部分周围设置缓冲层，其中，缓冲层被设置...