本发明提供了一种片上逻辑单元时序表征（ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ）电路，以及一种导出顺序单元上的建立（ｓｅｔｕｐ）／保持表征的方法和一种表征逻辑单元的传播时延的方法。要被表征建立／保持时间的连续单元彼此靠近地复制形成。第一时钟信号...

本发明提供了一种向集成电路注入杂质离子的方法。所述方法包括：在衬底中形成第一像素和第二像素；在所述衬底上形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上形成硬掩膜层；图案化所述硬掩膜层以在所述第一像素和所述第二像素之间包括开口；以及通过所述开口注入多...

本发明公开了一种用于编程单次可编程（ＯＴＰ）存储器的压降转换器，所述压降转换器包括连接到编程电源的焊垫，以及连接在所述焊垫和所述ＯＴＰ存储器之间的至少一个正偏二极管，其中由所述ＯＴＰ存储器接收的编程电压从所述编程电源降低了穿过所述正偏二...

本发明公开了一种电压提升电路，其包括：至少一个电容，其具有连接到该电压提升电路的一个输出的第一终端；可控开关，其在该电容的第二终端和电压源之间连接，该第二终端不同于该第一终端；以及电压电平探测器，其探测该电压提升电路的该输出电压电平，并...

提供一种具有穿透硅通孔的半导体衬底，其中气隙介于穿透硅通孔和半导体衬底之间。形成开口，其部分地穿过该半导体衬底。该开口首先用衬垫衬里，然后用导电材料填充该开口。减薄半导体衬底的背面以暴露该衬垫，该衬垫随后被移除以形成围绕穿透硅通孔的导电...

本发明是有关于一种半导体元件及其形成方法。在基板上形成一栅极堆叠。利用掺杂剂沉积出一原子层，并进行退火工艺以使得掺杂剂扩散至位于栅极堆叠二对侧上的基板部分中，而形成超浅接面。在形成原子层之前，可在基板上形成多个凹陷，且可利用磊晶工艺填充...

本发明是有关于一种具有倒Ｔ形鳍片多重栅晶体管的集成电路结构及形成方法，该方法包括以下步骤：提供一半导体基材；形成一第一绝缘区以及一第二绝缘区于该半导体基材中，且彼此相对；形成一具有一倒Ｔ形的磊晶半导体区，且包括：一水平盘，包括一底部，介...

本发明是有关于一种对晶圆进行化学机械研磨工艺的方法，包括以下步骤：提供一晶圆；判定在该晶圆一表面的一特征的一厚度分布；以及在判定该厚度分布的步骤后，利用一研磨配方对该特征进行一高速化学机械研磨工艺以实质达到该特征的一晶圆内厚度均匀性，其...

本发明是有关于一种形成半导体结构的方法，该方法包括提供复合基材，其中复合基材包括有主体硅基材与紧邻于主体硅基材之上的硅锗层。对硅锗层执行第一缩合以形成缩合硅锗层，藉以使得缩合硅锗层具有实质均匀的锗浓度。蚀刻缩合硅锗层与主体硅基材的顶端部...

本发明提供一种双极性装置，包括一射极形成在半导体基底中；一集极在半导体基底中与射极侧向的分隔；栅极终端形成在半导体基底上，用以定义射极与集极间的距离；以及外质基极形成在半导体基底上，与射极或集极具有预设距离，其中外质基极、射极、集极以及...

本发明提出一种静态随机存取存储器（ＳＲＡＭ）单元，包括：一对交叉耦合的反相器，所述一对反相器连接在正电源电压（Ｖｃｃ）和第一节点之间；第一ＮＭＯＳ晶体管，其栅极和漏极与所述第一节点相连，其源极与电源地相连；和第二ＮＭＯＳ晶体管，其漏极和...

一种集成电路结构，包括：一半导体基板；一内连结构，位于该半导体基板之上；一第一介电层，位于该半导体基板之上及该内连结构之内；一第二介电层，位于该内连结构之内及该第一介电层之上；以及一波导。上述波导包括：一第一膜层，位于该第一介电层内；以...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，用于堆叠裸片的隔离结构。该制造方法包括：于一半导体基底中形成硅穿孔，并薄化该半导体基底的背侧以露出硅穿孔。形成一隔离层于半导体基底的背侧与硅穿孔上，并薄化隔离层以重新露出硅穿孔。之后，形成一导电元件...

本发明提供一种通过减少栅极结构中界面层厚度来维持等效氧化层厚度的半导体元件的制造方法。该方法包括一界面层形成在一基材上；一栅极介电层例如高介电常数介电质形成此界面层上；一吸气层形成在此基材上方的界面层上，此吸气层有自界面层吸收氧气的功能...

一种存储器电路与存储器电路操作方法，该电路包括一存储器阵列。存储器阵列包括多个存储器单元、多个第一位元线、以及多个协助写入闩锁器。存储器单元排列成多个行与多个列。各第一位元线耦接至存储器阵列的一列。各协助写入闩锁器耦接至第一位元线之一，...

本发明提供一种发光二极管元件及其制造方法。该ＬＥＤ具有一基材，一反射结构形成于基材之上，与一ＬＥＤ结构形成于反射结构之上。此反射结构由非金属材料所组成。在一实施例中，反射结构由交替的、具有不同折射率的非金属材料所阻成。在另一实施例中，反...

本发明提供一种共平面波导装置。此共平面波导装置包含一条或多条邻近于一条或多条信号线的地线，上述信号线与上述地线彼此约互相平行且大致上为沿一第一方向延伸；一周期结构，包含在上述至少一信号线中含有多个交替区段，其中上述至少一交替区段以第二方...

本发明提供一种具有反耦合电容的集成电路，包括一电路模块，其具有耦接至一对电源供应节点之间的多个有源元件；一反耦合电容模块，耦接至上述电路模块，上述反耦合电容模块包括多个金属－电容－金属电容，以串联方式耦接于上述对电源供应节点之间，其中介...

本发明揭示一种半导体装置及其制造方法，包括用于叠置芯片的凸块结构。在一半导体基底内形成硅通孔电极。对半导体基底的背侧进行薄化，以露出硅通孔电极。在半导体基底的背侧及硅通孔电极的露出部分上方形成一隔离层。对隔离层进行薄化，以再次露出硅通孔...

本发明涉及一种内存元件的电源启动／切断序列机制，具体地提供了一种在电源切断程序中控制内存元件的字线信号的方法，包含：将字线信号下拉至低逻辑状态；在字线信号下拉至低逻辑状态之后，切断从外部电源供应器至内部电源供应器的电流路径；以及在外部电...