本发明揭露一种静态随机存取内存（ｓｔａｔｉｃ？ｒａｎｄｏｍ？ａｃｃｅｓｓ？ｍｅｍｏｒｙ，ＳＲＡＭ）单元，包含一对交错耦合反向器，含有第一储存节点，以及第一Ｎ型金属氧化物半导体晶体管，含有栅极，第一与第二源／漏极，分别与第一储存节点，读入...

本发明揭示一种发光装置，尤其揭示了制作发光二极管的系统与方法，在较佳实施例中，形成一布拉格反射层于一基材上，并于布拉格反射层上形成一光子晶体层以准直射入布拉格反射层的光线，借此增加布拉格反射层的效率。第一接触层、有源层、及第二接触层可直...

本发明揭示一种半导体结构，其包括：一半导体基底，具有一第一导电型；一前高电压阱区，位于半导体基底内，其中前高电压阱区具有与第一导电型相反的一第二导电型；一高电压阱区，位于前高电压阱区上方，其中高电压阱区具有第二导电型；一场环型物，具有第...

一种半导体结构，包括：一半导体基底，其为一第一导电形式；一前高压阱（ｐｒｅ－ｈｉｇｈ－ｖｏｌｔａｇｅ　ｗｅｌｌ，ｐｒｅ－ＨＶＷ）区于该半导体基底中，其中该前高压阱区为与该第一导电形式相反的一第二导电形式；一高压阱（ｈｉｇｈ－ｖｏｌｔａｇ...

本发明公开了一种制造集成电路元件的方法，包括提供基板；形成第一硬掩模层于基板上；图案化第一硬掩模层，使其具有一个或多个具有第一关键尺寸的第一开口；进行第一注入工艺于基板上，形成第二硬掩模层于第一硬掩模层上，且第二硬掩模层具有第二关键尺寸...

本发明提供了一种集成电路、芯片焊垫结构及其制造方法。本发明的芯片焊垫包括一主焊垫部与一环焊垫部。在一包含形成芯片焊垫结构的电荷制造工艺中，于一集成电路基板中的金属氧化物半导体晶体管栅极仅电性连接于环焊垫部，使得其天线至栅极的面积比低于一...

本发明提供一种多重基板系统、方法与结构以调整焊锡体积用于翘曲的模块。一实施范例包括一连接一第一基板和第二基板的方法。确定位于该第一基板的一第一区域处，该第一基板和该第二基板之间的一极微间隙的一偏移量。接着决定欲补偿该极微间隙的该偏移量所...

本发明公开一种形成集成电路的方法，包含将含有开口的图案化薄膜形成薄板于晶片上，其中在晶片内的下方芯片经由开口暴露出来。将上方芯片放置于开口内，上方芯片符合开口，在图案化薄膜与上方芯片间无间隙。然后将上方芯片接合至下方芯片上，接着硬化图案...

本发明公开一种发光装置及其制造方法，该发光装置包括形成于一基底上的多个发光二极管（ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅ，ＬＥＤ）。每一ＬＥＤ的侧壁上具有间隙壁，且ＬＥＤ之间的基底上具有一反射面。反射面低于各个ＬＥＤ的有源层。本发明的...

本发明提供一种包含形成于基板凹陷区的发光二极管的半导体元件。图案化及蚀刻一基板，以形成凹陷区。形成一分离层于该凹陷区底部。形成一发光二极管结构于该凹陷区侧壁，并选择性地形成于相邻凹陷区间的该基板上表面。在一实施例中，发光二极管结构的表面...

一种集成电路结构，包括：一高压阱区（ｈｉｇｈ－ｖｏｌｔａｇｅ？ｗｅｌｌ，ＨＶＷ）于一半导体基底中；一第一双重扩散（ｄｏｕｂｌｅ？ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ，ＤＤ）区于该高压阱区中；以及一第二双重扩散区于该高压阱区中。该第一双重扩散区与该第二双重...

一种光刻方法，包括：在基板上形成第一图案化阻剂层，上述第一图案化阻剂层包括至少一个开口；在上述第一图案化阻剂层及上述基板上形成一水溶性聚合物层，藉以在上述第一图案化阻剂层及上述水溶性聚合物层的界面发生反应；以及在上述基板上形成第二图案化...

一种发光二极管（ＬＥＤ）的封装结构与制造方法。在发光二极管封装结构的优选实施例中，多个散热孔穿过封装基材，以有效将热从发光二极管（ＬＥＤ）散出，且优选伴随形成穿过封装基材的导电孔。这些散热孔的形状优选为圆形或矩形，且也可以是实心或可以环...

一种集成电路装置，包括一第一垫片及一第二垫片；多个静电放电装置，用以将第一垫片及第二垫片耦接至一放电路径；一变压器，包括一第一端点、一第二端点、一第三端点以及一第四端点，其中第一端点及第二端点分别耦接至第一垫片及第二垫片；以及一收发电路...

本发明公开了一种集成电路结构，包括具有第一栅电极、第一源极与第一漏极的ｐ型金属氧化物半导体晶体管以及具有第二源极、第二漏极与第二栅电极的ｎ型金属氧化物半导体晶体管，其中第二栅电极与第一栅电极为栅电极导线的一部分。于ｐ型金属氧化物半导体晶...

本发明提供一种半导体结构及发光二极管，该半导体结构包括：一基底；一应力调和层，位于该基底上方；多个开口区及多个应力调和区，位于该基底上方；以及多个外延层，位于该基底上方，至少位于所述开口区内，于其中形成ＬＥＤ结构。本发明避免了暴露于应力...

本发明公开了一种在小间距器件制造中减少分层的方法。一种形成集成电路结构的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一硬掩膜层；在所述第一硬掩膜层上形成第二硬掩膜层；构图所述第二硬掩膜层以形成硬掩膜；以及，在构图第二硬掩膜层之后，烘焙所述衬...

本发明公开了一种用于减小器件性能漂移的哑元图案设计。一种在芯片上形成集成电路结构的方法，包括：提取具有扩散区的有源层；扩大该有源图案，形成具有彼此垂直的第一边缘和第二边缘的哑元禁止区；在整个芯片添加应力阻断哑元扩散区，其中包括：添加第一...

本发明公开了一种将具有预定位数的数字信号转换为对应的模拟信号的数模转换器，所述数模转换器包括：具有第一控制信号的第一电流源元件，所述第一控制信号对所述第一电流源元件提供的传导电流进行控制；以及具有第二控制信号的第二电流源元件，所述第二控...

本发明涉及减小衬底中的高频信号损失。一种集成电路结构，包括：第一导电类型的半导体衬底；和半导体衬底中的耗尽区。深阱区基本被耗尽区包围，其中深阱区是与第一导电类型相反的第二导电类型。耗尽区包括直接位于深阱区之上的第一部分和直接位于深阱区之...