一种形成互连结构的方法，包括提供衬底；在该衬底上形成低ｋ电介质层；在该低ｋ电介质层中形成开口；在形成开口的步骤之后，实施硅／锗浸泡工艺以暴露该低ｋ电介质层的表面；以及在硅／锗浸泡工艺之后，填充该开口。

一种集成电路结构，该结构包括半导体衬底，其包括一个正面和一个背面。穿透该半导体衬底的穿透硅通孔（ＴＳＶ），且该穿透硅通孔（ＴＳＶ）具有延伸到该半导体衬底背面的后端。再分布线（ＲＤＬ），其位于该半导体衬底的背面之上，并连接到该ＴＳＶ的该后...

本发明提供了一种半导体芯片，包括：半导体衬底；在半导体衬底上方的多个低ｋ电介质层；在所述多个低ｋ电介质层上方的第一钝化层；和在所述第一钝化层上方的第二钝化层。第一密封环与该半导体芯片的边缘相邻，其中该第一密封环具有与第一钝化层的底表面基...

本发明实施例提供一种半导体元件的形成方法，包括提供晶片，具有第一侧面及相反的第二侧面，晶片包括至少一导电插塞，穿过晶片的至少一部分；保护晶片的位于第二侧面上的边缘；将晶片的第二侧面薄化以露出至少一导电插塞而不将第二侧面的边缘薄化；以及将...

本发明提供一种图像检测元件及其形成方法。图像检测元件包括图像检测器位于半导体基板中；层间介电层位于半导体基板上；多个金属间介电层及多层内连线形成于层间介电层上；以及彩色滤光片位于金属间介电层中且位于图像检测器上。本发明能够大幅减少光径的...

本发明是有关于一种半导体晶粒的接合方法，该接合方法包含下列步骤：提供第一晶粒和第二晶粒。首先，扫描第一晶粒和第二晶粒至少其中之一，以判断其厚度变化。其次，将第一晶粒的第一表面朝向第二晶粒的第二表面。利用厚度变化，调整第一晶粒与第二晶粒，...

本发明提供一种具有一个或多个穿透硅通孔（ＴＳＶ）的半导体器件。该ＴＳＶ被形成以使得该ＴＳＶ的侧壁具有圆齿状表面。在一个实施例中，该ＴＳＶ的侧壁是倾斜的，其中该ＴＳＶ的顶部和底部具有不同的尺寸。该ＴＳＶ可以具有Ｖ形形状，其中该ＴＳＶ在该衬...

本发明提供一种具有锥形轮廓的再分布线的焊垫连接。具有所述锥形轮廓的再分布线的焊垫连接的集成电路结构包括具有前面和背面的半导体衬底。穿透硅通孔（ＴＳＶ）穿过所述半导体衬底，其中所述ＴＳＶ具有延伸到所述半导体衬底背面的后端。再分布线（ＲＤＬ...

在一些实施例中，在感应等离子体腔体内对半导体晶片掺杂的方法包括：在感应等离子体腔体内产生具有相对于地电位的第一电压的等离子体，以及在感应等离子体腔体内对基座电极施加相对于地电位的射频（ＲＦ）电压。该正ＲＦ电压为基于所述等离子体的第一电压。

一种用来清洁光刻掩模或半导体晶片的喷射式喷嘴及其方法。在一个实施例中，喷射式喷嘴包括供水入口，气体供应入口，与气体供应入口相连的第一行注气喷嘴，限定喷射式喷嘴出口的混合腔和放置在腔内的流混合挡板。优选地，放置和排列混合挡板以使喷射式喷嘴...

本发明提供了一种制造半导体衬底的方法，包括提供具有正面和背面半导体衬底，在半导体衬底正面形成第一电路和第二电路，把半导体衬底正面键合到承载衬底，减薄半导体衬底的背面，并形成从半导体衬底背面到正面的沟槽从而把第一电路和第二电路隔离开。

一种生成集成电路的目标器件的模型文件的方法，包括：提供目标器件；提供用于目标器件的器件目标设置，其中器件目标设置包括目标器件参数的目标值；确定关于目标器件的最接近的已知模型，其中最接近的已知模型包括第一模型文件；进行灵敏度分析以确定第一...

本发明涉及一种倒装芯片半导体器件的热电冷却器。本发明公开了一种用于冷却一个集成电路（ＩＣ）芯片的热电结构，该热电结构包括了一个第一类型超晶格层和一个第二类型超晶格层，该第一类型超晶格层形成于ＩＣ芯片的顶部，并且被连接到一个第一电压，该第...

一种集成电路结构包括：具有第一边缘的第一芯片；和具有面对第一边缘的第二边缘的第二芯片。划线在第一和第二边缘之间并且邻近第一边缘和第二边缘。散热器包括在划线中的部分，其中散热器包括多个通孔和多个金属线。在划线中的散热器的部分具有至少接近或...

一种用于将数字信号转换为模拟信号的数模转换器（ＤＡＣ），包括第一温度计解码器和第二温度计解码器。所述第一温度计解码器配置为解码所述数字信号的最高有效位（ＭＳＢ）以生成第一温度计码。所述第二温度计解码器配置为解码所述数字信号的中间位以生成...

本发明涉及一种含层间绝缘部分的低漏电电容器。一种集成电路结构，包括：包含第一区和第二区的半导体衬底；位于半导体衬底第二区内的绝缘区；位于绝缘区上方的层间电介质（ＩＬＤ）。一个晶体管位于第一区中，该晶体管包括栅极电介质和位于栅极电介质上方...

本发明公开一种半导体制造方法与装置。该方法对一晶片执行一第一工艺，并且在执行完该第一工艺后测量该晶片的晶片数据。将该晶片固定在一工艺腔室中的一静电吸盘上，并且自嵌入在该静电吸盘内的一感应器收集感测数据。根据该晶片数据与该感测数据调整该静...

一种核心电源电压的供应方法、存储器阵列电路及集成电路，该存储器阵列电路具有随着一电源电压变化的一核心电源电压，包括一存储单元阵列，包括由核心电源电压所供电的多个静态随机存取存储单元，并且静态随机存取存储单元被排列成多个列与多个行；一电压...

本发明提供了一种半导体存储装置，包括：一底电极，位于一半导体基底上；一反铁磁层，设置于该底电极之上；一第一固定参考层，设置于该反铁磁层之上；一穿隧绝缘层，设置于该第一固定参考层之上；一第一铁磁层，设置于该穿隧绝缘层之上；一第二铁磁层，设...

一种集成电路结构包括静态随机存取存储器（ＳＲＡＭ）单元。ＳＲＡＭ单元包括上拉晶体管和与该上拉晶体管形成反相器的一下拉晶体管。该下拉晶体管包括连接到该上拉晶体管的栅极的前栅极，和与该前栅极解耦的后栅极。