本发明提供一种集成电路结构的形成方法，该方法包括下列步骤：提供一半导体基底；形成多个图案化元件于半导体基底上，其中图案化元件之间具有沟槽；以第一填沟材料填入该沟槽，其中第一填沟材料具有第一上表面，其高于图案化元件的上表面；进行第一平坦化...

本发明提供一种分离晶片基材上表层的多个半导体元件裸片方法，该方法包括下列步骤：于欲分离的相邻裸片间形成蚀刻图案，可使用各种蚀刻工艺形成此蚀刻图案。蚀刻图案一般达一预定深度至晶片晶材中，显著地低于晶片上表层，而上表层嵌入先制成的半导体裸片...

一种集成电路的制造方法，包括：提供一包括多个底裸片的底芯片；将一第一顶裸片对准于该底芯片内的一第一底裸片；在该第一顶裸片对准于该第一底裸片后，记录该第一顶裸片的一第一目标位置；将该第一顶裸片接合至该第一底裸片上；利用该第一目标位置计算一...

一种编码数据封包的方法及编码系统，该编码数据封包的方法包括提供一编码方法以将多个来源数据单元编码成多个编码数据单元，各所述编码数据单元较所述来源数据单元包含更多的位，其中所述来源数据单元中至少一来源数据单元对应至分别具有相反不均度的至少...

一种集成电路元件，包括基底，于基底的相反侧上具有交错部分的第一导线，且交错部分通过基底穿孔而彼此电性连接，以及于基底的相反侧上具有交错部分的第二导线，且交错部分通过基底穿孔而彼此电性连接，其中当第一导线与第二导线位于基底的不同侧上时，第...

本发明是揭示一种半导体装置的制造方法，可改善其性能。上述方法包含：提供一基底，其具有一第一区与一第二区；在上述第一区与上述第二区区中，分别形成至少一第一隔离区与至少一第二隔离区，上述至少一第一隔离区具有一第一深宽比（ａｓｐｅｃｔ？ｒａｔ...

本发明提供一种发光二极管（ＬＥＤ）及其形成方法。本发明的ＬＥＤ包括一基底、一堆叠的ＬＥＤ结构以及一镶嵌的底部电极。ＬＥＤ结构包括一缓冲／成核层形成于基底之上，一活性层，以及一顶部接触层。一第一接触Ⅲ族－氮化物层设置于缓冲／成核层与活性层...

一种半导体器件包括半导体衬底，形成在所述衬底中的源区和漏区，形成在所述衬底上且设置在所述源区和漏区之间的栅结构，和形成在所述衬底中且在所述栅结构和所述漏区之间的第一隔离结构，所述第一隔离结构包括在接近于所述漏区的边界处的突起。每个突起包...

本发明提出了一种制造用于半导体衬底叠层系统的半导体衬底结构的方法。该方法包括半导体衬底，其包括前表面，背面，体层，包括多个夹在导电层之间的金属间电介质层的互连层，介于体层和互连层之间的接触层，以及起始于体层和接触层之间、终止于衬底背面的...

本发明是有关于一种光罩及检测其污染的方法。该光罩包含透明基材、掩模图案与检查结构。掩模图案形成于透明基材的第一区，其中掩模图案包含一个或多个开口，以及一个或多个特征。上述的开口用以允许光辐射通过，而特征的材质为第一材料。检查结构形成于透...

本发明是有关于一种处理硅基晶圆的方法与系统及封装半导体元件的方法。该硅基晶圆具有第一表面及第二表面，一玻璃载体利用紫外线照射胶布设置在硅基晶圆的第二表面，该处理硅基晶圆的方法包括：利用真空夹持器夹持硅基晶圆，其中真空夹持器作用在硅基晶圆...

本发明是有关于一种集成电路结构的制造方法，其利用二次切割来消除多晶硅单向线端短缩，该方法包含：提供基材，包含第一有源区与第二有源区；形成栅极电极层于基材上；及蚀刻栅极电极层。栅极电极层的剩余部分包含第一栅极带与第二栅极带实质平行于彼此；...

一种半导体结构，包括：一基板以及位于该基板上的一导电载子穿隧层。该导电载子穿隧层则包括：多个第一型Ⅲ族氮化物膜层，具有一第一能隙，其中所述多个第一型Ⅲ族氮化物膜层分别具有少于约５纳米的一厚度；以及多个第二型Ⅲ族氮化物膜层，具有低于该第一...

本发明提供一种半导体元件及其制法，半导体元件的制造方法包括提供半导体基底；于半导体基底上形成界面层；于界面层上形成第一栅极介电层；于第一栅极介电层上形成金属层；以及将金属层氧化以形成金属氧化层，其中金属层的氧化包括自界面层捉取氧。本发明...

本发明公开了一种控制功率转换器的系统和方法。其中的一个实施例包括：连接到模拟－数字转换器的模拟差分电路，以及比较所述数字误差信号与至少第一阈值。如果所述数字误差信号小于所述第一阈值，则产生脉冲来控制所述功率转换器。另一个实施例包括可以与...

本发明是有关于一种相位内插控制器，适用于时钟与数据恢复电路中，以接收第一信号与第二信号的相位关系的指示。上述相位内插控制器包含多个双向移位寄存器，彼此串列耦合，其中当相位内插控制器所接收到指示显示第一信号在相位上领先第二信号，则多个串列...

本发明揭示一种集成电路结构，该结构包括：一半导体基底；一阱区，位于半导体基底上方，具有一第一导电型；一含金属层，位于阱区上方，其中含金属层与阱区构成一肖特基势垒（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ　ｂａｒｒｉｅｒ）；一隔离区，围绕含金属层；以及一深阱区，...

本发明提供一种发光二极管装置及其制造方法，此发光二极管装置包括：一半导体基板；凸起区域，形成在上述半导体基板上，上述凸起区域包括一半导体材料；一第一接触层，位于上述凸起区域上，上述第一接触层具有一非平坦表面；一非平坦的活性层，位于上述第...

本发明涉及一种形成半导体结构的方法，包括：提供一基底；形成一缓冲／成核层于该基底上；形成一第Ⅲ族氮化物层于该缓冲／成核层上；以及使该第Ⅲ族氮化物层受到氮化。形成该第Ⅲ族氮化物层的步骤包括金属有机气相化学沉积。本发明可使用湿蚀刻来图案化第...

本发明提供一种电路结构的制造方法，包括如下步骤：提供一基底；蚀刻该基底以形成多个纳米结构；以及利用外延成长在所述多个纳米结构上形成一复合半导体材料，其中成长自邻近的所述多个纳米结构的部分该复合半导体材料互相连接以形成一连续的复合半导体膜...