本发明揭示一种半导体测试探针卡空间变换器及其制造方法，可包含：沉积作为一接地面的一第一金属于一空间转换器基底上，上述空间转换器基底具有多个第一接触测试垫而定义有一第一节距分布；沉积一第一介电层于上述接地面上；形成多个第二接触测试垫，其定...

本发明提供一种控制基材厚度的方法和处理基材的装置。该方法包括：自至少一个散布器散布至少一个蚀刻剂至一旋转基材的一表面上的多个不同的位置以实施蚀刻；监控于所述多个位置上该旋转基材的一厚度，使得当散布该蚀刻剂于各别的位置时，该旋转基材的厚度...

一种双功函数半导体装置及其制造方法。该装置包含：一第一晶体管于一基底的一第一区上，其具有一第一栅极堆叠结构，第一栅极堆叠结构具有一第一有效功函数；以及一第二晶体管于基底的一第二区上，其具有一第二栅极堆叠结构，第二栅极堆叠结构具有一第二有...

一种组合式晶片储存盒的储存机台，其中晶片放置在晶片储存盒内，而储存机台设于一晶片制造室中，基本上由两行晶片储存模块、一滑动空间以及一机械手臂所组成，滑动空间设于晶片储存模块之间，机械手臂于滑动空间中移动以抓取晶片储存盒。因而，机械手臂可...

本发明公开一种集成电路的输入／输出垫结构，包括：一第一垂直区域于集成电路中，包括一顶金属层与一个或多个半导体元件于顶金属层下方，第一垂直区域的顶金属层作为一第一焊垫，半导体元件电性连接至第一焊垫；一第二垂直区域于集成电路中，包括顶金属层...

本发明提供了一种具有封装上系统（ＳＯＰ）结构和板上系统（ＳＯＢ）结构的微机电系统（ＭＥＭＳ）封装。该微机电系统封装包括以堆叠方式设置的一个或多个ＭＥＭＳ管芯、具有一或多个集成电路管芯的封盖部、以及封装基底或印刷电路板（ＰＣＢ）。垂直连接...

一种用于沿信号线发射射频信号的半导体器件，包括沿主轴延伸的信号线。第一电介质在所述信号线的一侧上，第二电介质在所述信号线的相对侧上。第一和第二地线分别接近于所述第一和第二电介质，地线近似平行于所述信号线。所述器件具有沿主轴变化的横剖面。

一种集成电路结构包括半导体衬底、第一和第二ＭＯＳ器件。所述第一ＭＯＳ器件包括在所述半导体衬底之上的第一栅极绝缘层，其中所述第一栅极绝缘层是平面的；以及在所述第一栅极绝缘层之上的第一栅电极。所述第二ＭＯＳ器件包括在所述半导体衬底之上的第二...

一种压控振荡器包括：第一合并的器件，其具有第一双极晶体管和第一ＭＯＳ晶体管，所述第一双极晶体管具有与所述第一ＭＯＳ晶体管的一个源／漏结共用共同有源区的集电极，和与所述第一ＭＯＳ晶体管的其他源／漏结共用共同有源区的发射极；第二合并的器件，...

公开了一种用于高压设备的静电放电保护构图，通过生成环绕晶体管源或漏的隔离岛，以提供所述源或漏之间增强的电流隔离。该隔离岛是所述源／漏处较高掺杂的区域。这个较高掺杂的岛区与环绕的衬底之间的结用于限制穿透所述源／漏的电流总量。另外，可采用氧...

本发明提供一种集成电路装置与电容器对，该集成电路装置包括电容器阵列，其具有排列成行与列的单位电容器，其中每个单位电容器由两电性绝缘的电容板组成。单位电容器具有至少一第一单位电容器，位于电容器阵列的每一列与每一行中，至少一第一单位电容器彼...

一种用于存储单元阵列且具有多带状接触孔配置的半导体器件，提供了和位线、控制栅极线、擦除栅极线、共源极线以及字线互连的存储单元的阵列。根据实施例的一个方面，带状接触孔通道在整个阵列上以ｎ个位线间隔（ｎ＞１）分隔开。所述带状接触孔通道包括带...

一种焊垫结构，包括两个导电层和设置在该两个导电层之间的连接层。连接层包括邻接的导电结构。在一个实施例中，邻接导电结构为导电材料的固体层。在另一实施例中，邻接导电结构为例如包括矩阵配置或多个导电条纹的导电网络。至少一个电介质衬垫可以设置在...

本发明为一种在化学机械抛光中使用组分可调冲洗液冲洗晶片的方法。一种制造晶片上集成电路的设备，包括抛光垫；位于所述抛光垫上方的可移动冲洗臂；以及后抛光清洗器。所述后抛光清洗器包括用于刷动所述晶片的刷子；以及对准所述晶片的喷嘴。所述设备还包...

本发明提出了键合半导体衬底的系统和方法。优选的实施例包括在半导体衬底的表面之上形成过渡层，同时为了防止可能形成的潜在的空隙，保留从过渡层突出的ＴＳＶ。在将被键合到第一半导体衬底的另一个半导体衬底上形成保护层。两个衬底被对准并键合到一起，...

本发明涉及一种集成电路结构的制造方法，至少包括：提供一半导体基材，此半导体基材至少包括一上表面；形成一开口从上表面延伸到半导体基材中；利用旋转涂布方式填充一前驱物至开口中；对前驱物进行一蒸汽固化，以形成一介电材料；在蒸汽固化后，对介电材...

本发明提供了一种用于Ｄ类放大器的电路和方法。在一个示例性实施例中，公开了一种音频放大器。提供一种用于驱动高和低侧驱动器晶体管的闭合回路构造，每一个电路都与改进的亚微米半导体工艺兼容。模拟时变输入耦合到∑－Δ模拟数字转换器的一个输入。来自...

一种用于缓存器文档的读取模块，包含：至少一本地Ｉ／Ｏ模块，其连接到一存储单元，用以输出储存在存储单元的一值；以及至少一个共用位线驱动电路，其具有一输入端连接到本地Ｉ／Ｏ模块，以及一输出端连接到一共用位线，用以响应于一本地预先充电信号来选...

本发明是有关于一种为了无空隙的间隙填充制程的间隙壁外型塑造工程，一种形成半导体元件的方法，其步骤为提供半导体基板；在半导体基板上形成栅极堆叠；紧邻栅极堆叠侧边形成栅极间隙壁；薄化栅极间隙壁；与在薄化栅极间隙壁步骤之后，在栅极间隙壁侧边形...

本发明是有关于一种制造微电子装置的方法及应用此方法的半导体装置。该制造微电子装置的方法包括以下步骤：形成多个凹陷的浅沟渠隔离特征于半导体基材中，定义半导体区于该些凹陷的浅沟渠隔离特征的相邻二者间；形成穿隧介电特征于半导体区内；形成氮化物...