输入/输出垫结构制造技术

技术编号:3757830 阅读:185 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开一种集成电路的输入/输出垫结构,包括:一第一垂直区域于集成电路中,包括一顶金属层与一个或多个半导体元件于顶金属层下方,第一垂直区域的顶金属层作为一第一焊垫,半导体元件电性连接至第一焊垫;一第二垂直区域于集成电路中,包括顶金属层与一个或多个硅通孔于顶金属层下方,第二垂直区域的顶金属层作为一第二焊垫,且第二焊垫下方没有形成半导体元件,硅通孔电性连接至第二焊垫,其中第一焊垫与第二焊垫经由至少一金属层电性连接。本发明专利技术可将传统输入/输出垫结构用在三维集成电路的技术,而不需重新设计,具有应用灵活方便,并且成本较低的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置,且特别涉及一种三维集成电路(3D-IC)的输入/ 输出垫(I/Opad)结构。
技术介绍
半导体IC芯片结构通过各种输入/输出垫与外界传输,例如信号垫、电 源/地垫(Power/Ground pad)等。图1显示一传统的输入/输出垫结构100,其 具有七层布线的焊垫下电路(CUP; Circuit Under Pad)结构。包含第一层至第 五层金属作为内连线的输入/输出单元结构120形成在基底110上方。输入/ 输出单元结构120可为任何电路,而其最顶部的两层金属一第六层金属134 与第七层金属136在此处作为焊垫结构130。第七层金属136通过导孔144 电性连接至第六层金属134。第六层金属134通过导孔142电性连接至输入/ 输出单元结构120。接着以焊线连接至第七层金属136。输入/输出单元结构 120通常包括晶体管与电阻等半导体元件,用来输入和/或输出信号,并用来 接收电源与接地。这些半导体元件可用在输入缓冲器、输出驱动器、或静电 放电(ESD; electrostatic discharge)电路上。 一般而言,这些半导体元件设置 在有源区上,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种输入/输出垫结构,适用于一集成电路,包括: 一第一垂直区域于该集成电路中,该第一垂直区域包括一顶金属层与一个或多个半导体元件形成于该顶金属层下方,该第一垂直区域的该顶金属层作为一第一焊垫,所述半导体元件电性连接至该第一焊垫;   一第二垂直区域于该集成电路中,该第二垂直区域包括该顶金属层与一个或多个硅通孔形成于该顶金属层下方,该第二垂直区域的该顶金属层作为一第二焊垫,且该第二焊垫下方没有形成半导体元件,该硅通孔电性连接至该第二焊垫; 其中该第一焊垫与该第二焊 垫经由至少一金属层电性连接。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:蔡志升王中兴
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]

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