集成电路装置与电容器对制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种集成电路装置与电容器对，该集成电路装置包括电容器阵列，其具有排列成行与列的单位电容器，其中每个单位电容器由两电性绝缘的电容板组成。单位电容器具有至少一第一单位电容器，位于电容器阵列的每一列与每一行中，至少一第一单位电容器彼此互相电性连接，其中电容器阵列的每一行如同其它行与列，具有相同数量的至少一第一单位电容器，并且其中电容器阵列的每一列如同其它列与行，具有相同数量的至少一第一单位电容器。单位电容器还具有至少一第二单位电容器，位于上述电容器阵列的每一列与每一行中，其中至少一第二单位电容器彼此互相电性连接且平均分布于电容器阵列中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成电路装置，特别涉及一种具有特定电容比例的电容器对的布局。
技术介绍
在现今集成电路，例如混合模式(mixed-mode)与射频(radio frequency)电路的应用，通常需要一组具有特定电容比例(通常指的是1:N的电容器，其中N为大于零的整数)的电容器。电容的比例通常需要具有高准确性以确保集成电路能准确地运作。例如，在模拟/数字(A/D)转换器，电容器对的准确性决定产生的数字信号的准确性，因此需要非常高准确度的电容器比例。图1为显示一传统提供1:N电容比例的电容器对电路。此电路包含设计成具有完全相同电容的单位电容器10阵列。X-译码器与Y-译码器耦接到电容器阵列且被用于自电容器阵列中选择一些单元电容。并联所选择的单位电容器10，可形成具有更高电容的电容器。图1中所显示的阵列具有九个单位电容，因此可以被用于达到任何介于1:1至1:9的电容比例，其中数字l代表一单位电容器，数字9代表代表通过并联所有9个单位电容器10的电容明-益。图1中所显示的电路具有可动态提供电容器对的优点特征。然而一些缺点局限了其使用。例如，电容器阵列的结构易受工艺影响。虽然所有单位电容被设计成完全相同，实际上， 一些单位电容器可能靠近图案稀少的区域，一些单位电容器可能靠近图案稠密的区域。因此，单位电容器的电容具有变动性，此变动性会影响电容器对的准确性。通常具有较高数量单位电容器的4电容器阵列会具有更多的电容变动。另一个缺点为X-译码器与Y-译码器会占用芯片面积。特别是对于1:N 电容器，其中当N为小数目时，译码器所占用的芯片面积相比较于单位电容 器所占用的小面积为更显著的消耗。因此，需要一种改进准确性以及减少芯 片面积消耗的电容器对。
技术实现思路
根据本专利技术的一实施例， 一种集成电路装置包括， 一电容器阵列，具有 排列成行与列的单位电容器，其中每个单位电容器由两电性绝缘的电容板组 成， 一至少一第一单位电容器，位于电容器阵列的每一列与每一行中并且彼 此互相电性连接，其中电容器阵列的每一行如同其它行与列，具有相同数量 的至少一第一单位电容器，并且其中电容器阵列的每一列如同其它列与行，具有相同数量的至少一第一单位电容器，以及一至少一第二单位电容器，位 于电容器阵列的每一列与每一行中并且彼此互相电性连接，其中电容器阵列 的每一行如同其它行与列，具有相同数量的至少一第二单位电容器，并且其 中电容器阵列的每一列如同其它列与行，具有相同数量的至少一第二单位电容器。根据本专利技术的另一实施例， 一种集成电路装置包括一共同节点，具有一 第一传导总线与多个第一指状结构，第一指状结构耦接至第一传导总线，多 个第二指状结构，每个第二指状结构介于两个第一指状结构之间，并与两个 第一指状结构电性绝缘， 一第二传导总线，与第二指状结构互相电性连接， 多个第三指状结构，每个第三指状结构介于两个第一指状结构之间，并与两 个第一指状结构电性绝缘， 一第三传导总线，与第三指状结构互相电性连接， 其中第一指状结构、第二指状结构与第三指状结构为位于一金属层中的金属 线，并且其中第二指状结构与第三指状结构形成具有多列与多行的一阵列， 其中在每一列与每一行中，第二指状结构的数量等于在其它列与其它行中的 第二指状结构的数量，并且其中在每一列与每一行中，第三指状结构的数量 等于在其它列与其它行中的第三指状结构的数量。根据本专利技术的另一实施例， 一种电容器对包括一共同节点，具有一第一 传导总线与多个第一指状结构，第一指状结构耦接至第一传导总线，多个数量为M^M+N)的第二指状结构，每个第二指状结构介于两个第一指状结构 之间，并与两个第一指状结构电性绝缘，其中M与N为非零的整数， 一第 二传导总线，与第二指状结构互相电性连接，多个数量为N^M+N)的第三指 状结构，每个第三指状结构介于两个第一指状结构之间，并与两个第一指状 结构电性绝缘， 一第三传导总线，与第三指状结构互相电性连接，其中第一 指状结构，第二指状结构以及第三指状结构为位于一金属层中的金属线，以 及其中第二指状结构与第三指状结构形成具有M+N列与M+N行的一阵列， 其中在每一列与每一行中，有M个第二指状结构与N个第三指状结构。附图说明图1为显示传统提供电容器对的电路，其中单位电容器阵列用于形成具 有更高电容的电容器。图2为显示具有1:1电容器对的俯视图。 图3A为显示具有1:2电容器对的俯视图。 图3B为显示形成1:2电容器对的可能布局图。 图4A为显示具有1:3电容器对的俯视图。 图4B为显示形成1:3电容器对的可能布局图。 图5为显示可发展成1:N段容器组的布局图。 图6为显示形成2:3电容器对的布局图。 图7为显示可形成1:2:3电容器对的布局图。图8为显示具有1:1电容器对的俯视图，其中电容器对中的两电容器具 有共同节点(node)。其中，附图标记说明如下10 单位电容器；B、 Bl、 B2 总线；Cl、 C2 单位电容器；D、 Fl、 F2 指状结构； Nl、 N2、 N3、 N4 电容板。具体实施方式为使本专利技术的制造、操作方法、目标和优点能更明显易懂，下文特举几 个优选实施例，并配合所附附图，作详细说明如下 实施例图2为显示本专利技术的第一实施例的俯视图，图中包括排列成2x2阵列的 四个单位电容器，其中两个单位电容器标记为Cl，另两个单位电容器标记为C2。单位电容器Cl形成于金属线(也称为指状结构)F1与指状结构D的侧 壁之间，其中指状结构D通过总线B互相电性连接以形成一共同节点。单位 电容器C2形成于指状结构F2与指状结构D侧壁之间。单位电容器Cl互相 电性连接而形成一大电容器，且单位电容C2互相电性连接而形成另一大电 容器。在本专利技术的优选实施例中，单位电容器C1与C2由以下方式排列在阵 列的每一行中只有一个C1，并且在阵列的每一列中只有一个C1。相同地， 在阵列的每一行中只有一个C2，并且在阵列的每一列中只有一个C2。因此 在图2中显示的实施例为一1:1的电容器对。电容器C1与电容器C2的质量 中心大体重叠。图3A为显示一 1:2电容器对的俯视图，包括9个单位电容器排列成一 3x3的阵列，其中三个单位电容器标记为Cl，剩余六个单位电容器标记为 C2。单位电容器Cl互相电性连接形成第一较大电容器，而单位电容器C2 互相电性连接形成第二较大电容器，并且其具有比第一较大电容器大两倍的在此优选实施例中，单位电容C1与C2由以下方式排列在阵列的每一行与每一列中都只有一个单位电容器Cl，并且在阵列的每一行与每一列中 都只有两个单位电容器C2。电容器Cl与电容器C2的质量中心大体重叠。 图3A仅显示单位电容的一个布局图，其余更多可能的布局图显示于图3B。 在每个布局图中，每个数字仅出现于每行一次，且仅出现于每列一次。这样 的布局图通常称为拉丁方块(LatinSquares)。为了形成k2的电容器对，所有 标记为数字1的单位电容器可并联，并且所有标记为数字2与3单位电容器 可并联。图4A为显示一 1:3电容器对的俯视图，包括16个单位电容排列成一4x4 阵列，其中4个单位电容标记为Cl且剩余12个单位电容标记为C2。单位电容器Cl互相电性连接形成一较大电容器，而单位电容器C2互相电性连接 形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路装置，包括：　一共同节点，具有一第一传导总线与多个第一指状结构，上述第一指状结构耦接至上述第一传导总线；　多个第二指状结构，每个上述第二指状结构介于两个上述第一指状结构之间，并与上述两个第一指状结构电性绝缘；一第二传导总线，与上述第二指状结构互相电性连接；　多个第三指状结构，每个上述第三指状结构介于两个上述第一指状结构之间，并与上述两个第一指状结构电性绝缘；　一第三传导总线，与上述第三指状结构互相电性连接，其中上述第一指状结构、上述第二指状结构与上述第三指状结构为位于一金属层中的金属线；并且　其中上述第二指状结构与上述第三指状结构形成具有多列与多行的一阵列，其中在每一列与每一行中，上述第二指状结构的数量等于在其它列与其它行中的上述第二指状结构的数量，并且其中在每一列与每一行中，上述第三指状结构的数量等于在其它列与其它行中的上述第三指状结构的数量。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈家逸，张家龙，赵治平，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]