本发明的一实施例是，磁屏蔽护罩元件，用以保护在基板上至少一个的磁性敏感部分。这个元件包含，具有顶部部分和一个或多个周边部分的第一护罩，其中此顶部和周边部分沿着基板包围磁性敏感部分，是为了保护此部分不受外界磁场影响，其中磁屏蔽护罩元件包含...

本发明提供一种改善电镀薄膜均匀性的电镀方法，具体是关于电镀铜至半导体基板的开口与基板表面上的电镀方法，以提供具有均匀厚度的铜膜。将基板浸入具有促进剂的电镀液中，再电镀铜至基板与基板表面的开口。利用反向电流进行除镀步骤，于短时间内移除部分...

该电子器件包括半导体器件（１０），其特别是集成电路；和载体基板（２０），该载体基板在第一面（２１）和第二面（２２）上具有导体层；以及根据棋盘图形互相设置的电压源连接（６２）和地连接（６１）。这些连接（６１、６２）通过垂直互连和凸块（４１...

一种智能卡芯片以及放置输入／输出焊盘的方法，该智能卡芯片包括用于向智能卡读取器传送数据的多个电性接点。在一个实施例中，智能卡芯片包括核心电路以及对应于电性接点的多个输入／输出焊盘，其中输入／输出焊盘划分成至少一个第一列以及放置成与第一列...

一种监控电浆制程的方法，包括下列步骤：　　　　提供一电浆反应室；　　　　进行一既定电浆制程，并同时临场量测该电浆反应室的一电浆参数；以及　　　　根据该电浆参数值评估该电浆反应室的制程品质。

本发明是有关于一种等离子体蚀刻的装置与方法，尤其是一种在等离子体反应器中蚀刻基材的装置与方法，其中等离子体反应器包含了固定基材的静电吸盘。首先，提供直流电压予静电吸盘，此直流电压使基材上带有静电荷。之后，再以等离子体蚀刻此基材，接着再将...

本发明提供具有可调式电导体的装置及调整可调式电导体的方法，该装置包括用于半导体制程中的一压力反应室的一种可调式上电极或上线圈，该可调式上电极或上线圈的形状可选择性地被改变，而可调式上电极或上线圈包括两部分，这些部分可选择地由不同的功率或...

本发明是关于一种半导体制程的装置，包含有一制程室的一种装置，其中此种制程室具有一等离子容纳区、固定于制程室顶部之上的一介电板、藉由介电板与等离子容纳区相分隔的一电源，以及被支撑于制程室中的一夹盘，其中此种夹盘被设定用以可操作性地移动电源。

一种等离子蚀刻工艺的控制装置，包含能够改变等离子流动通道的尺寸、改变流经等离子流动通道的等离子的速度或改变流经等离子流动通道的等离子浓度的控制结构，或者是上述控制结构的组合。该等离子蚀刻工艺的控制装置，包含一等离子控制结构，其中该等离子...

一种蚀刻反应系统，包括一蚀刻反应室、一气体输送管、一上射频电极、一下射频电极、一抽气泵、一底座、一集中环及一挡块。蚀刻反应室具有一排气口。气体输送管连接于蚀刻反应室，用以将蚀刻工艺气体输入至蚀刻反应室之中。上射频电极设置于蚀刻反应室之上...

本实用新型是有关于一种静电放电保护电路。该静电放电保护电路，包含一二极管串，其阳极耦接至一第一端点，具有一正向电压降大于等于一第一供应电压；一静电电荷消散模块具有至少一Ｎ型金属氧化物半导体场效应晶体管，用以导通该静电电荷从该二极管串至一...

本发明是有关于一种静电放电保护电路及消散静电电荷的方法。该静电放电保护电路，包含一二极管串，其阳极耦接至一第一端点，具有一正向电压降大于等于一第一供应电压；一静电电荷消散模块，具有至少一Ｎ型金属氧化物半导体场效应晶体管，用以导通该静电电...

本发明公开一种静电放电防护电路，适用于射频内部电路，其包括：至少一条传输线，串接于接合垫与射频内部电路之间，所述传输线的两端都具有节点；电源轨；以及ＥＳＤ单元，耦接于各节点与上述电源轨之间，包括至少一个静电放电单元；其中接近所述接合垫的...

本发明是有关于一种承载晶圆的放电系统、静电吸附器与集成电路的制造方法，其中对配置在静电吸附器上的晶圆或基材进行放电的系统，包含有：电容检测器和放电电压计算器。电容检测器是用来量测静电吸附器与晶圆或基材间的电容值。放电电压计算器是至少部分...

一种调整便携式电子装置功能的方法及安全系统，安全系统包括主机及远程电子装置。该主机包含：主机接口，用以和该远程电子装置通讯；以及主机控制器，其提供功能设定，用以界定该远程电子装置的应禁止功能，接收该远程电子装置的识别数据，通过该主机接口...

一种可促进有效入射光均一度的影像传感器。一实施例中，改变设置于影像传感器不同区域中的微透镜的尺寸以平衡不同区域的亮度，每一微透镜的尺寸为一该微透镜至芯片中心距离的函数。另一实施例中，改变微透镜中心与对应感测区中心的距离以平衡不同区域的亮...

本实用新型提供一种高量子效率的影像传感器，其感光二极管是设置于感光区，且设置于用以定义有源区的浅沟槽隔离结构的底部水平线下方，在感光二极管的表面上依序设置第一介电层和内层介电层，其中第一介电层与感光二极管接触，内层介电层的折射系数小于第...

本实用新型是一种具有孔洞的影像感测装置，所述影像感测装置包括：具有感测器的一半导体基底，其上形成有至少一第一绝缘层。多个孔洞形成于第一绝缘层中。一第二绝缘层，覆盖第一绝缘层与孔洞，其中第二绝缘层并未填满孔洞。上述孔洞在位于感测器上方的第...

一种具有垂直结合薄膜光二极管的影像传感器。包括一包埋于一介电层中的薄膜光二极管的下掺杂层，其中该下掺杂层的下表面是完全接触于与其相对应的像素电极。ＰＩＮ光二极管的下掺杂层是由一自我对准与一镶嵌制程制作，遂薄膜光二极管下方的像素电极不会露...

本实用新型为一种高敏感度的封装影像感测器及包含此影像感测器的装置，高敏感度的封装影像感测装置藉由提供一可增强镶嵌式微透镜聚焦于影像感测器光敏感元件的机制而形成。一般来说，设于封装层与微透镜间的接合材料会削弱微透镜的聚焦能力，在本实用新型...