【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于电镀薄膜，更特别有关于半导体元件制程中铜为主金属层的电镀方法。
技术介绍
在制造集成电路(以下简称IC)半导体元件中，基板表面的平匀度相当关键，特别是元件的密度增加且尺寸缩小至次微米等级。一般使用金属层作为IC中个别元件的连线，以介电层或绝缘层隔开金属线，并于介电层间形成沟槽、接触孔、接点等连线结构，以提供导电金属层间的电路通道。前述的连线结构渐渐采用铜与铜为主的合金。与现有材料如铝和铝为主合金相较，铜金属具有较低电阻与较佳电迁移等特性。可用下述方法沉积铜与铜为主合金的金属层或薄膜物理气相沉积(以下简称PVD)，化学气相沉积(以下简称CVD)，以及电镀法。主流为电镀法，因其较低廉且沉积速度最快。一般铜电镀制程是将晶圆接触电镀液，并于正负电极间提供电位差以沉积金属至半导体基板表面。此制程可还原并沉积电镀液的铜离子至半导体基板表面。很难图案化与蚀刻的铜，一般是用在镶嵌或双镶嵌制程。镶嵌制程中，定义介电层的接触孔/沟槽后接着填入铜。铜不只填入开口，也会沉积在介电层表面其他部分(该部分稍后将被移除)，最后图案化与蚀刻开口的铜以形成IC元件中新的金属线...
【技术保护点】
一种改善电镀薄膜均匀性的电镀方法，所述改善电镀薄膜均匀性的电镀方法包括：提供一基板，该基板具有一表面；提供一促进剂于该表面；进行一电镀步骤，包括将该基板浸入一电镀液并将铜镀至该表面；进行一除镀步骤将部分铜与过 量的该促进剂移除；以及进行一再电镀步骤，电镀铜于该基板，该铜具有平匀的上表面。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：庄严，黄鸿仪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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