【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体生产制造
,具体涉及晶圆电镀夹具。
技术介绍
铜电镀工艺是利用电子和离子传输,将阳极的铜靶材通过电镀基础液转移到阴极的镀件上。镀件(晶圆)上的镀膜厚度跟电流密度正相关,如何控制镀件(晶圆)表面不同区域的镀膜厚度,保持良好的均匀性,需要特别改善不同区域的电流密度。传统的工艺通常做法是:1,将圆片放置在预先的夹具凹槽中,直接通过数个(3个及3个以上)触点按压接触,之后晶圆浸没在电镀液中,并将晶圆正面朝向靶材位置;2,将晶圆放置在夹具凹槽中,晶圆正面边缘正对数十个触点(排布位置跟晶圆边缘完全对应),并通过放置在晶圆背面的盖板旋紧实现接触之后将晶圆浸没在电镀液中,并将晶圆正面朝向靶材位置。以上两种方式只解决了电镀过程中晶圆的固定问题和导电接触问题,并没有解决晶圆中心区域和边缘区域在工艺过程中的电流密度不均问题,最终导致电镀后晶圆边缘区域镀膜厚度明显高于中心区域。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供晶圆电镀夹具,克服上述缺陷,通过对晶圆电镀夹具改进,来解决晶圆中心区域和边缘区域在工艺过程中的电流密度不均、电镀后晶圆边缘区域镀膜厚度明显高于中心区域的问题。为解决上述技术问题,本技术提供晶圆电镀夹具,包括凹槽结构、挡板结构和盖板结构,所述凹槽结构具有第一表面和与所述第一表面相对应的第二表面,所述第一表面上设有第一晶圆孔,所述第二表面上设有第二晶圆孔,所述第一晶圆孔和第二晶圆孔贯通,所述第一晶圆孔和第二晶圆孔之间设有密封圈,所述密封圈中心设有贯通所述密封圈的第三晶圆孔,所述第三晶圆孔的周围设有若干个触点,所述挡板结构的中心设有贯通所述挡 ...
【技术保护点】
晶圆电镀夹具,其特征是:包括凹槽结构、挡板结构和盖板结构,所述凹槽结构具有第一表面和与所述第一表面相对应的第二表面,所述第一表面上设有第一晶圆孔,所述第二表面上设有第二晶圆孔,所述第一晶圆孔和第二晶圆孔贯通,所述第一晶圆孔和第二晶圆孔之间设有密封圈,所述密封圈中心设有贯通所述密封圈的第三晶圆孔,所述第三晶圆孔的周围设有若干个触点,所述挡板结构的中心设有贯通所述挡板结构的第四晶圆孔,所述盖板结构具有第三表面和与所述第三表面相对应的第四表面,所述凹槽结构的第一表面通过固定螺丝与挡板结构固定连接,所述凹槽结构的第二表面通过拧紧螺丝与所述盖板结构的第三表面固定连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:赵福,熊灿,李正峰,
申请(专利权)人:美新半导体无锡有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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