磁角度传感器制造技术

本发明专利技术公开了一种磁角度传感器，其包括：至少一个磁阻传感器，每个磁阻传感器被配置的生成反应磁场的角度的第一传感信号，第一传感信号的周期为

【技术实现步骤摘要】
磁角度传感器


[0001]本专利技术涉及磁传感器领域，特别涉及一种磁角度传感器
。

技术介绍

[0002]各向异性磁电阻
(Anisotropic Magnetoresistance,AMR)
技术在磁角度测量方面有着明显的优势
。
首先
AMR
角度传感器只有一层磁性薄膜，且工作在饱和磁化区域，它的精度高于霍尔
(Hall)
磁角度传感器及其他磁阻效应磁角度传感器，比如巨磁电阻
(GMR)
磁角度传感器以及隧穿磁电阻
(TMR)
磁角度传感器
。
再次，相比于
GMR
和
TMR
磁角度传感器，
AMR
磁角度传感器的制作工艺简单
。
然而基于
AMR
的角度传感器测量周期只有
180
度，无法满足
360
度的磁角度测量需求
。Hall、GMR
和
TMR/>磁角度传感器虽然本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种磁角度传感器，其特征在于，其包括：至少一个磁阻传感器，每个磁阻传感器被配置的生成反应磁场的角度的第一传感信号，第一传感信号的周期为
180
度；一对霍尔传感器，每个霍尔传感器被配置的生成反应磁场的角度的第二传感信号，第二传感信号周期为
360
度，其中，根据第一传感信号得到所述磁场在
180
度范围内的高精度的角度值，根据两个第二传感信号和所述磁场在
180
度范围内的高精度的角度值得到所述磁场在
360
度范围内的高精度的角度值
。2.
根据权利要求1所述的磁角度传感器，其特征在于，所述磁阻传感器为两个，每个磁阻传感器为
AMR
传感器，每个
AMR
传感器为惠斯通全桥结构，每个
AMR
传感器感应平行于其表面的磁场分量，两个
AMR
传感器分别被称为第一
AMR
传感器和第二
AMR
传感器，其中第二
AMR
传感器相对于第一
AMR
传感器在所在平面上旋转第一预定角度，基于两个
AMR
传感器输出的两个第一传感信号进行反三角函数运算得到所述磁场在
180
度范围内的高精度的角度值
。3.
根据权利要求2所述的磁角度传感器，其特征在于，每个
AMR
传感器包括电源端
、
第一输出端
、
接地端
、
第二输出端
、
连接于电源端和第一输出端之间的第一
AMR
电阻
、
连接于第一输出端和接地端之间的第二
AMR
电阻
、
连接于接地端和第二输出端之间的第三
AMR
电阻
、
连接于第二输出端和电源端之间的第四
AMR
电阻，第一输出端和第二输出端输出第一传感信号，第一
AMR
传感器的各个
AMR
电阻中流过的电流的等效方向与第二
AMR
传感器的对应
AMR
电阻中流过的电流的等效方向的夹角为所述第一预定角度
。4.
根据权利要求3所述的磁角度传感器，其特征在于，每个
AMR
传感器的四个
AMR
电阻围绕着一个中心等间隔排布，两个
AMR
传感器的八个
AMR
电阻围绕着同一个中心等间隔排布，该中心为所述磁阻传感器的中心，第一
AMR
传感器的四个
AMR
电阻和第二
AMR
传感器的四个
AMR
电阻相互交替间隔，所述预定角度为
45
度
、135
度
、225
度和
315
度中的一个
。5.
根据权利要求2所述的磁角度传感器，其特征在于，第一
AMR
传感器输出的第一传感信号为
S11
，第一
AMR
传感器输出的第一传感信号为
S12
，所述磁场在
180
度范围内的高精度...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄黎，蒋乐跃，储莉玲，凌方舟，
申请(专利权)人：美新半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：