一种时钟发生器，包括：一用于产生一恒定电流的电流源；一用于产生一镜电流的电流镜，该电流镜耦合在一电源电压与该电流源之间，该镜电流等于该恒定电流乘上一预定值；以及，当一电容电压低于一预定临界电压时对该电容充电，并当该电容电压高于该预定临界...

本发明公开一种基于可编程穿越门的逻辑元件，其中一种基于可编程穿越门的逻辑元件，用以提供至少一布尔函数，包括：一第一穿越门，用以接收一第一输入；一第二穿越门，用以接收一第二输入；以及一第三输入及一第三输入互补信号，耦接至上述第一穿越门及上...

本实用新型揭示一种形成于半导体基底上的去耦合电容装置。上述半导体基底包括一应变硅层；一实质上为平面的下电极形成于部分应变硅层中以及一电容介电层形成于下电极上；一实质上为平面的上电极形成于电容介电层之上；上述上电极连接至第一参考电压线，以...

本发明提供一种可动态调整的去耦合电容电路，该电路至少包括一晶体管开关组件，此开关组件可根据使用情况动态截断去耦合电容电路，降低漏电流。

本发明提供一种半导体装置，包括耦合至一输入的一第一读出放大器，其用于产生一第一输出；耦合至输入的一第二读出放大器，其用于产生一第二输出；以及耦合至输入的一第三读出放大器，其用于产生一第三输出，其中根据第一、第二、及第三输出的逻辑状态的结...

本发明提供一种振荡缓冲器，以并联方式耦接振荡源，用以提供预设频率的预设波形给核心电路，核心电路具有多个操作在核心电压的ＭＯＳ晶体管。振荡缓冲器包括反相器，耦接于核心电压与接地之间，用以放大来自振荡源的输入信号。反相器具有一或多个ＭＯＳ晶...

本发明公开了一种操作多个电荷泵（ｃｈａｒｇｅ　　ｐｕｍｐｓ）的方法，其包括：产生一个或多个相位偏移时钟信号；将所述一个或多个相位偏移时钟信号耦合至所述多个电荷泵，使所述电荷泵运作在不同时间的时钟。这样，由于不存在多个时钟信号的同时转变，...

一种充电泵电路，包括至少两个相串联的充电泵级，所述两个相串联的充电泵级包括：　前端充电泵级，其具有第一晶体管用以接收输入电压；以及　最末充电泵级，其具有第二晶体管用以提供输出电压；　其中第一晶体管配置以操作于第一阈值电压，而所述第二晶体...

一种发电装置，包括一第一基材、一第二基材、一磁性薄膜、一第一导电层、一第二导电层以及一电力储存装置。该第二基材是设置于该第一基材之上，该第一基材与该第二基材之间是形成有一腔体。该磁性薄膜是设置于该第一基材与该第二基材之间，并且是位于该腔...

一种发电装置，包括一第一基材、一第二基材、一磁性薄膜、一第一导电层、一第二导电层以及一电力储存装置。该第二基材是设置于该第一基材之上，该第一基材与该第二基材之间是形成有一腔体。该磁性薄膜是设置于该第一基材与该第二基材之间，并且是位于该腔...

本发明涉及一种保险丝电路，其是有关于一种多保险丝分享单一编程装置的装置。本发明的保险丝电路包括一个以上相互平行耦合的单次可编程电子保险丝，一耦合至该等保险丝的编程装置，以及一耦合至该等保险丝以选择一既定保险丝的选择模块，其中根据该选择模...

一种用于静电放电防护的传感器，该传感器包括一分压电路及一耦接至该分压电路的组件。该传感器是耦接至该传感器的输入端，其中，当静电放电脉冲施于传感器的输入端时，一电压会跨降于分压电路上，且会在传感器的输出端产生一高态电压。当静电放电脉冲施于...

一种用于静电放电防护的传感器，该传感器包括一分压电路及一耦接至该分压电路的组件。该传感器是耦接至该传感器的输入端，其中，当静电放电脉冲施于传感器的输入端时，一电压会跨降于分压电路上，且会在传感器的输出端产生一高态电压。当静电放电脉冲施于...

一种保护电路、方法及应用前述保护电路的系统。系统包含驱动装置及被驱动装置，驱动装置操作在第一供应电压，具有互补式金属氧化物半导体输出；被驱动装置操作在比第一供应电压低的第二供应电压，并有互补式金属氧化物半导体输入伴随着Ｎ型金属氧化物半导...

本发明是关于一种静电放电保护电路，是适用于一通讯领域的高频集成电路中，主要特征是在于本发明可以藉由将一用以滤波的晶体管的漏极或源极一端浮接（Ｆｌｏａｔｉｎｇ），使其可以藉由内部的寄生双载子接面（ｂｉｐｏｌａｒ　　ｊｕｎｃｔｉｏｎ）导通，...

一种静电放电保护电路及其控制方法，适用于一集成电路的接触垫，包括一静电放电触发模组，具有一第一晶体管以及一第二晶体管，该第一晶体管与该第二晶体管串联于该接触垫及一第一节点之间；至少一静电放电保护模组，具有一第三晶体管以及一第四晶体管，该...

本发明提出一静电防护电路。该静电防护电路与一第一和一第二节点耦接，用以将一静电电流放电。该静电防护电路包含有形成于一基质上的一第一晶体管，该第一晶体管的栅极和一第一扩散层与该第一节点耦接，用以接收该静电电流，而一第二晶体管与该第一晶体管...

本发明涉及一种静电放电防护电路，所述静电放电防护电路，包含有一Ｎ型金属氧化物半导体晶体管以及一电压微分模块。此Ｎ型金属氧化物半导体晶体管耦接于该第一垫位及接地的第二垫位之间。电压微分模块，耦接于该Ｎ型金属氧化物半导体晶体管的栅极及该第二...

本发明是一种用于提供半导体电路的静电放电防护电路以及方法，所述半导体装置的静电放电防护电路，用于提供一半导体电路的静电放电防护，包括第一电路以及第二电路。第一电路耦接至电压总线以及第一晶体管的栅极，且包括金属氧化物半导体晶体管。第二电路...

本发明提供一种静电放电防护电路及其布局，该静电放电防护电路，包括有硅控整流器及金属氧化物半导体晶体管。硅控整流器耦接在电路接合垫及地线之间，以在静电放电发生时，引开由电路接合垫流入的静电放电电流。金属氧化物半导体晶体管具有与硅控整流器共...