本发明提供一种具有天线的半导体元件，该元件包括一半导体基底，该基底具有至少一晶体管；复数个顶部金属层，设置于该半导体基底上方，以当作电磁波遮蔽层，其中该等顶部金属层彼此之间并无电性连接；一钝化层，设置于该等顶部金属层的表面；一第一绝缘层...

本发明提供一种半导体集成电路中的波导以及电磁波屏蔽，特别涉及一种半导体集成电路中的波导，包括：一水平的第一金属板；一水平的第二金属板，位于该第一金属板之上，且通过一第一绝缘材料与该第一金属板分隔；以及多个第一金属导通孔，互相分隔且排列形...

本发明提供了一种形成复合阻障层的方法，其中该复合阻障层可在镶嵌工艺中作为蚀刻终止，其为：于基材上在化学气相沉积工艺反应室中沉积碳化硅层，接下来沉积氮化硅层，藉以完成复合阻障层；碳化硅层对基材中的铜层显现出极佳的附着能力，且形成碳化硅层时...

本发明提供一种半导体装置及其金属栅极的形成方法。其形成方法包括：提供一个基底，其上具有一个栅极；形成多个薄膜，具有位于基底与栅极上的第一薄膜，以及位于第一薄膜旁边的第二薄膜；刻蚀薄膜以形成多个相邻的隔离物，具有位于基底上且位于栅极旁边的...

一种利用高酸碱值浸润流体的浸润式微影技术的方法与系统，该系统包含透镜（ｌｅｎｓ），用来将一道预设的辐射（ｒａｄｉａｔｉｏｎ）传递至预定的产品基材上。并且一液体（ｆｌｕｉｄ　　ｖｏｌｕｍｅ）的第一端与此透镜接触，并透过液体的第二端与产品基...

本发明涉及一种数据处理及虚拟集成电路制造环境中传送数据的方法。所述数据处理方法，可用于集成电路制造环境中传送半导体产品制造数据。首先，处理数据集中的一或多字节，其中数据集包括亚洲语文字符。再将字节的第一字节与既定数值进行比较。当第一字节...

本发明是关于一种半导体晶片及其制造方法。本发明的半导体晶片，包括：环绕一集成电路区外部的一密封环区；一绝缘层上覆硅基底，包括一下方基底，一埋入绝缘层覆盖该下方基底，以及一上方硅层位于部分的该埋入绝缘层上方；以及一基底接触物，包括一接触沟...

本发明提供了一种可降低启始电压偏移的薄膜晶体管结构及其制造方法。晶体管结构至少包含：一基板；一薄膜晶体管元件，形成于该基板上；以及保护层，形成于该薄膜晶体管元件上，其中该保护层是以富硅的氧化硅材料所形成。本发明通过提高形成氧化硅层时所使...

本发明是有关于一种半导体装置，其包括电路、与该电路连结的第一导体组件、隔离该第一导体组件的半导体物质、以及至少２个第二导体组件，其具有不规则形状，并邻近该第一导体组件，且与该电路之间不具有电性连结。本发明的半导体装置的制造，特别是在半导...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置的制造方法，是包含：在一基底上形成一含氟介电膜，该含氟介电膜是包含约２５％或较少的游离氟，具有约５％或较少的孔洞及约３．８或较小的一介电常数；沉积一第一扩散阻障层于一基底及该含氟介电膜...

本发明涉及一种半导体测试管理系统及方法。一个第一计算机产生一个新版栅道法则以及传递新版栅道法则。一个第二计算机透过一个网络接收新版栅道法则，取得一个测试结果，将测试结果带入新版栅道法则以产生一个建议报告。其中测试结果包括相应于一个测试属...

本发明提供一种制程控制方法及制程控制系统，所述制造流程控制方法，用于半成加工物料的运输过程中进行检测，半成加工物料于运输过程中是以运输工具承载。通过检测的半成加工物料，则载入制程设备中。检测可包括限制检测、制程及设备检测以及加工程序比较...

本发明提供一种半导体装置、半导体晶片及其制造方法，具体为一种绝缘层上覆半导体的装置，包含覆于一绝缘层上的一硅主动层，上述硅主动层具有〈１００〉的晶格方向。上述绝缘层是位于具有〈１１０〉结晶方向的一基底上。具有〈１００〉取向的晶体管则形成...

本发明是有关于一种晶粒分离过程中避免损坏的半导体晶圆保护结构。该半导体晶圆包括一个或多个晶粒，每个晶粒具有一边界围绕在一集成电路，用以使各晶粒彼此分离。一或多个图案单元，配置在邻近晶粒的位置，藉此监测制造过程。一种保护结构则配置在晶粒和...

本发明提供一种集成电路（ＩＣ）的制造方法，可在口袋掺杂与延伸掺杂完成后，于栅极侧壁形成超低温间隙壁；也可在超晕圈形成后，进行高斜角的延伸掺杂；或可在延伸掺杂后，进行固相外延，再进行低温制程，或者也可在进行口袋掺杂后，先进行热回火，然后再...

本发明提供一种半导体装置与半导体装置的制造方法，揭露许多不同半导体装置与半导体装置的相关制造技术。在一实施例中，提供一种半导体装置的制造方法，该方法包括：提供一半导体基板与形成一金属硅化物于该半导体基板上。此外，该方法包括利用一包含氢／...

本发明是有关于一种利用延伸间隙壁的半导体元件。在一实施例中，此半导体元件包括在半导体基材上的闸极以及在闸极侧壁上的介电衬垫物。此半导体元件亦包括延伸间隙壁，此延伸间隙壁是毗邻介电衬垫物且沿着半导体基材侧向延伸越过介电衬垫物。此半导体元件...

本发明提供一种栅极介电层以及应用该栅极介电层的晶体管与半导体装置，以及具有一氮化的栅极介电层的ＭＯＳＦＥＴ与其制造方法。该制造方法包括提供一基板，并沉积一具有非高介电常数的介电材料于该基板上。该具有非高介电常数的介电材料包括两层。该介电...

本发明提供一种半导体元件及其制造方法，具体涉及一种具有高介电值栅极介电层的半导体元件制造过程中，抑制次氧化物形成的一种系统及方法。在一例子中，金属氧化物半导体晶体管是包含一栅极结构，包含一高介电值栅极介电层及一栅极电极。在此例子中，一氮...

本发明提供一种存储单元和形成一存储单元的方法，具体涉及一种植基于穿隧注入效应的肖特基源极／漏极存储单元，包括：覆于绝缘层上的第一导电型态的第一半导体层，其扮演着基体区的角色和功能；覆于半导体层上的栅极介电层；覆于栅极介电层上的栅极；一对...