本发明提供一种硅覆盖绝缘层装置、晶片及其形成方法。具体涉及一种在主动区域上装载简化多晶硅的硅覆盖绝缘层装置，此种装置至少有一介电层抵抗硅化作用，从源极及漏极区分离出至少一个主体接触区，因此可以降低栅极电容以及增加装置效能。本发明所述硅覆...

本发明是有关于一种电容元件，可于一集成电路的相同布局区域中，选择性结合金属－绝缘层－金属（ＭＩＭ）、金属－氧化层－金属（ＭＯＭ）和变容二极管区域，两或多种电容区域形式，被垂直安排于一基板上用以形成一电容元件，此可在不占据额外布局区域的情...

本实用新型提供一种增加信道载子流动性的结构，结构包括一复合半导体基底、一栅极、一源极区及一汲极区、一金属硅化物层及一拉伸应力层；其中，复合半导体基底由一第一硅基底层、一第一硅锗基底层、一第二硅锗基底及一第二硅基底层所组成，第二硅基底层形...

本实用新型涉及一种连接垫结构，适用于一金属导线结构，包括：至少一第一钝态护层及一第二钝态护层，交替地形成于金属导线结构表面；一开口，形成于第一钝态护层及第二钝态护层中而露出金属导线结构表面，其中开口的侧壁具有凹凸表面；一金属连接垫，形成...

本实用新型揭示一种具有多方位的绝缘层上覆硅芯片。在单一绝缘层上覆硅芯片上形成有多种不同方位的弧立硅层，并且将Ｐ型晶体管设置于表面方位为（１１０）的孤立硅层上方，将Ｎ型晶体管设置于表面方位为（１００）的孤立硅层上方。如此一来，Ｐ型晶体管会...

本发明公开了一种利用光酸产生剂制造半导体组件的方法，该方法包括提供一基底，在该基底上形成一可微影叠层结构，该可微影叠层结构包括一第一光酸产生层和一光阻层，其中该第一光酸产生层包括至少一光酸产生剂。采用本发明的方法，可避免现有技术中某些由...

本发明提供一种可多次熔烧的电熔丝电路及多次电熔烧的执行方法。此电路包括熔烧计数器、熔烧参考电压产生器、以及至少一可控制熔烧电阻的电熔丝装置。熔烧计数器记录熔烧次数。熔烧参考电压产生器产生熔烧参考电压，其中，在熔烧后，电熔丝电阻可通过熔烧...

本发明是有关于一种用于形成可达６个场效应晶体管元件的多闸极区域场效应晶体管元件及其形成方法，该元件包括：一包括半导体材料的多鳍状结构，设置在基材之上；该多鳍状结构包括实质平行间隔分开的侧壁部分，每一侧壁部分包括主要内、外表面与上表面；其...

本发明提供一种从一晶圆上切割一集成电路晶片的方法。先提供上面具有数个晶片以及数个切割线的该晶圆。该切割线具有至少一低介电常数层于其上。于该切割线上实施一切割制程。该切割制程至少包含有具有一高能能源的一切割步骤。该高能能源包含有激光。使用...

本发明提供一种改善微影制程的良率以及产能的方法，主要包括下列步骤：在第一制程晶圆上形成第一光阻层。接着加热制程根据第一温度曲线，于第一光阻层上形成第一光阻图案，其中加热制程包括复数个可控制的温度加热区。然后产生并且收集来自第一光阻图案的...

本案揭示一种用以改良ＣＭＰ制程及改良与主动区域电气绝缘的空白区域变容器以及其形成方法，该变容器包含具有一空白区域的一半导体基板，该空白区域包含具有一第一极性的一第一井区；一浅沟渠绝缘（ＳＴＩ）结构，是位于该基板中，以定义含有第一、第二及...

一种用于制造半导体器件的光刻工艺的方法。该方法包括如下步骤：定义一光刻掩模的测试临界尺寸目标；测量一掩模临界尺寸；比较掩模临界尺寸和该测试临界尺寸目标，并据以决定一临界尺寸误差；依据该临界尺寸误差决定一光刻光基准能量；以及依据该光刻光基...

本发明是提供一种磁性随机处理存储器装置，包括一存储单元，一参考结构，以及一感测装置。该存储单元包括一磁阻元件与一传递晶体管。该传递晶体管，参考电路，以及该感测装置是连接至一输入节点。该存储单元的逻辑态可通过一读取操作而侦测得到，其中该读...

本发明是提供一种磁性随机处理存储器装置，包括一存储单元，存储单元的读取容限是超过存储单元内磁阻元件的磁阻比率。存储单元是包括一磁阻元件，一参考晶体管、以及一放大晶体管。磁阻元件可包括一个夹于两电极层中间的磁性穿隧接面。其中一个电极层可连...

本发明提供一种磁性存储单元的阵列和辨别磁性存储单元逻辑状态的方法，具体涉及一种对于磁性存储单元的写入与读取的非破坏性方法，包括对于对应于受选取的磁性存储单元的受选取的读取线进行取样以获得第一信号，施加磁场至该受选取的磁性存储单元，对于该...

本发明是有关于一种类平面及类鳍式场效电晶体的电晶体元件，本发明揭露了于块状硅材上的类平面互补金氧半导体及鳍式场效电晶体的电晶体元件。第一电晶体具有掺杂且凹陷的通道区，此通道区是形成于浅沟隔离区的侧壁上。第二电晶体则具有掺杂且凹陷的通道区...

本发明提供一种整合性单晶片单元上的半导体电路及其可调性方法与系统，特别涉及一多专案晶圆上的一半导体电路、相关的电路设计以及一调适性系统。该半导体电路包含有至少一标准模组、至少一可重组模组以及至少一连接层。该标准模组具有验证过的功能。可依...

本发明提供一种半导体元件制造方法及电容器的制造方法，具体涉及一种使用激光瞬间退火制造半导体元件的方法，包括提供一具有一表面的半导体基底，形成一栅极介电层于半导体基底的表面上，对栅极介电层进行一激光退火制程，在激光瞬间退火制程之后，图形化...

本发明提供一种随机存取存储器及其制造方法，特别涉及一种在高速随机存取存储器中制造控制栅极的自对准导电间隙壁制程，可精确定义控制栅极的尺寸及轮廓。先在介电层上形成导电层，以覆盖基底上的浮置栅极，然后在相邻于浮置栅极侧壁的导电层上形成氧化物...

本发明是有关于一种根据整体图案密度所实施的罩幕关键尺寸的校正。本发明提供了一种形成光罩布局的方法。在本发明的一实施例中，该方法包括：选择光罩布局上的图案特征；定义整体区域，该整体区域的中心点大致上位于光罩布局上的图案特征；计算整体区域内...