利用光酸产生剂制造半导体组件的方法技术

本发明专利技术公开了一种利用光酸产生剂制造半导体组件的方法，该方法包括提供一基底，在该基底上形成一可微影叠层结构，该可微影叠层结构包括一第一光酸产生层和一光阻层，其中该第一光酸产生层包括至少一光酸产生剂。采用本发明专利技术的方法，可避免现有技术中某些由于微影步骤而发生的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造半导体组件的方法，特别是一种。
技术介绍
半导体技术在一半导体组件的制造过程中，频繁地利用微影(photolithography)步骤。而一微影步骤中，适当的聚焦深度(depth of focus，DOF)范围，即沿着一光轴确认一半导体组件的特征对焦(in focus)的距离，是需要被考虑的一个因素。一有效的DOF是适用于光阻厚度的不同变化、局部的基底阶梯高度分布(topology step height)、圆片中心以及边缘的阶梯高度差。因此，一有效的DOF可以使得一半导体组件在一关键尺寸(criticaldimensions，CD)内制造而不会产生浮污(scumming)(例如不充分显影)、顶部损失缺陷、或者其它问题。然而，某些与DOF有关的问题由于微影步骤而发生，例如放射线剂量强度。举例来说，在一微影过程中，一散焦(defocused)区域的光线剂量强度通常低于一聚焦区域的光线剂量强度，其可能导致非期望的光阻轮廓。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种制造一半导体组件的方法，利用光酸产生剂制造半导体组件，解决现有技术中所产生的问题。为实现上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体组件的制作方法，包含：提供一基底；以及在该基底上形成一可微影叠层结构，该可微影叠层结构包括一第一光酸产生层和一光阻层，其中该第一光酸产生层包括至少一光酸产生剂。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：施仁杰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]