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本发明公开了一种利用光酸产生剂制造半导体组件的方法,该方法包括提供一基底,在该基底上形成一可微影叠层结构,该可微影叠层结构包括一第一光酸产生层和一光阻层,其中该第一光酸产生层包括至少一光酸产生剂。采用本发明的方法,可避免现有技术中某些由于微...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种利用光酸产生剂制造半导体组件的方法,该方法包括提供一基底,在该基底上形成一可微影叠层结构,该可微影叠层结构包括一第一光酸产生层和一光阻层,其中该第一光酸产生层包括至少一光酸产生剂。采用本发明的方法,可避免现有技术中某些由于微...