高电压晶体管及其制造方法技术

在具有高击穿电压的ＨＶ晶体管及其制造方法中，通过氧化一部分衬底使第一绝缘图案形成在半导体衬底上，并且形成第二绝缘图案，使得第一绝缘图案的至少一部分覆盖有第二绝缘图案。通过淀积导电材料到衬底上，在衬底上形成栅电极，栅电极含有第一末端部分和与第一末端部分相对的第二末端部分。第一末端部分形成在第一绝缘图案上，而第二末端部分形成在第二绝缘图案上。通过注入杂质到衬底上，在衬底的表面部分处形成源／漏区。减少了在栅电极的边缘部分处的电场强度，并且ＨＶ晶体管具有高击穿电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。更具体地，本专利技术涉及一种击穿电压高的。
技术介绍
通常，金属氧化物半导体场效应晶体管(下文中简称为MOSFET)包括三个不同的工作区。图1是N沟道增强型MOSFET中漏区的电特性的示例图。如图1中所示，在N沟道增强型MOSFET中，在晶体管中为导电沟道的反型层形成在MOSFET的一部分沟道中，并且在阈值电压Vt为正以及MOSFET的栅极和源极之间的电压Vgs高于阈值电压Vt的条件下，使MOSFET工作。当电压Vgs小于阈值电压Vt时，不形成反型层，并且电流不会穿通MOSFET。其中电压Vgs小于阈值电压Vt的区域简称为截止区。当电压Vgs大于阈值电压Vt并且MOSFET工作时，根据源和漏之间的电压差Vds来判断穿通MOSFET的电流量。在电压差Vds相对低的情况下，电流与电压差Vds成线性比例。其中电流与电压差Vds成线性比例的区域简称为三极管区。随着电压差Vds增加，漏区周围的沟道深度逐渐减小。最后，当电压差Vds大于对应于电压Vgs和阈值电压Vt之间的电压差的饱和电压Vs时，夹断了漏区周围的沟道。结果，在沟道中形成了取代反型层的耗尽区，并且通过施加到耗本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高电压晶体管，包括：半导体衬底；在所述衬底上的第一绝缘图案；覆盖所述第一绝缘图案的至少一部分的第二绝缘图案；包括第一末端部分和与该第一末端部分相对的第二末端部分的栅电极，所述第一末端部分形成在所述第一绝缘 图案上，而所述第二末端部分形成在所述第二绝缘图案上；以及在所述衬底的表面部分处形成的源／漏区。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：康美铉，辛和叔，李孟烈，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]