【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种Trench MOSFET (沟槽金属氧化物场效应晶体管) 及其制造方法。具体地，本专利技术涉及一种Trench MOSFET，其中，选择 性地增加了位于栅极的下部和外延层之间的扩散氧化膜层的厚度，因此减 少了重叠区中的寄生电容，从而提高了开关速度，本专利技术还涉及一种制造 所述Trench MOSFET的方法。
技术介绍
一般地，Trench MOSFET是一种晶体管，其中，沟il^垂直方向上 形成并且栅极形成在源极和漏极之间延伸的沟槽中。这种Trench MOSFET镶有例如氧化层的薄绝缘层、填充有例如多晶 硅的导体并且允许低电流的流动，从而提供一种低值的特定导通电阻。下面将参照有关附图对常规的Trench MOSFET进行详细描述。 图1表示常规Trench MOSFET的截面图。如图1所示，常规Trench MOSFET包括基层10、形成在基层10上的外 延层20以及主体层30，所述主体层30形成在外延层20上并且#>有与外 延层20类型相对的掺杂剂。同样，在主体层30的中央部分以及外延层20 的上面部分中，形成具有预定厚度的...
【技术保护点】
一种沟槽金属氧化物场效应晶体管，包括： 基层，具有依次形成在其上面的外延层和主体层； 沟槽，垂直形成在所述外延层和所述主体层的中央部分中； 第一栅极氧化膜层，形成在所述沟槽的两侧壁上； 扩散氧化膜层，形成在所述沟槽的 下部及所述基层的上部之间的外延层上，所述扩散氧化膜层的厚度大于所述第一栅极氧化膜层的厚度，并且所述扩散氧化膜层的宽度大于所述沟槽的宽度； 栅极，形成在具有所述第一栅极氧化膜层的所述沟槽中； 第二栅极氧化膜层，形成在所述栅极上；以 及 源极区，形成在所述栅极的上部两侧上。
【技术特征摘要】
KR 2007-11-19 10-2007-01181251. 一种沟槽金属氧化物场效应晶体管，包括基层，具有依次形成在其上面的外延层和主体层；沟槽，垂直形成在所述外延层和所述主体层的中央部分中；第一栅极氧化膜层，形成在所述沟槽的两侧壁上；扩散氧化膜层，形成在所述沟槽的下部及所述基层的上部之间的外延层上，所述扩散氧化膜层的厚度大于所述第一栅极氧化膜层的厚度，并且所述扩散氧化膜层的宽度大于所述沟槽的宽度；栅极，形成在具有所述第一栅极氧化膜层的所述沟槽中；第二栅极氧化膜层，形成在所述栅极上；以及源极区，形成在所述栅极的上部两侧上。2. 根据权利要求1所述的沟槽金属氧化物场效应晶体管，其特征在于， 与所述栅极的下部接触的扩散氧化膜层的上部的中央形成有空洞。3. 根据权利要求l所述的沟槽金属氧化物场效应晶体管，其特征在于， 所述扩散氧化膜层具有1500 A到4000 A范围的厚度。4. 根据权利要求1或3所述的沟槽金属氧化物场效应晶体管，其特征在 于，所述扩散氧化膜层具有2000 A到2500 A范围的厚度。5. 根据权利要求1所述的沟槽金属氧化物场效应晶体管，还包括上部金 属，所述金属形成在具有所述第二栅极氧化膜层和所述源极区的沟槽金属 氧化物场效应晶体管上。6. 根据权利要求1所述的沟槽金属氧化物场效应晶体管，还包括形成在 所述主体层不具有所述源极区的部分上的高浓度接触区。7. 根据权利要求1所述的沟槽金属氧化物场效应晶体管，其特征在于， 所述源极区形成在所述主体层上，所述主体层不具有所述源极区的上部表 面上形成有高浓度接触区。8. 根据权利要求6或7所述的沟槽金属氧化物场效应晶体管，还包括上 部金属，所述金属形成在具有所述第二栅极氧化膜层、源极区和接触区的 所述沟槽金属氧化物场效应晶体管上。9. 根据权利要求6-8中任一权利要求所述的沟槽金属氧化物场效应晶体管，其特征在于，所述基层、所述外延层和源极区掺有N型掺杂剂，所述 主体层掺有P型掺杂剂，所述接触区掺有高浓度P+型掺杂剂。10. 根据权利要求6-8中任一权利要求所述的沟槽金属氧化物场效应晶体 管，其特征在于，所述基层、所述外延层和所述源极区掺有P型掺杂剂、 所述主体层掺有N型掺杂剂，所述接触区掺有高浓度N+型掺杂剂。11. 一种制造沟槽金属氧化物场效应晶体管的方法，包括准备基层，在所g层上依次形成外延层和主体层；形成第一硬质掩膜，用于在所述主体层上形成沟槽；使用所述第一硬质掩膜作为蚀刻掩膜对所述主体层的中央部分和所述 外延层的上部表面进行蚀刻，从而形成所述沟槽；在所述沟槽的表面上形成第...
【专利技术属性】
技术研发人员：申铉光，李旿衡，
申请(专利权)人：美格纳半导体有限会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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