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本发明涉及一种沟槽金属氧化物场效应晶体管，其能够减小寄生电容，从而增加开关速度，本发明还涉及一种制造所述沟槽金属氧化物场效应晶体管的方法。所述沟槽金属氧化物场效应晶体管包括：上面依次形成有外延层和主体层的基层；垂直形成在外延层和主体层的中央...
该专利属于美格纳半导体有限会社所有，仅供学习研究参考，未经过美格纳半导体有限会社授权不得商用。

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