【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于电设备的ESD保护设备。
技术介绍
在微电子中，越来越多的小宽度的集成电路被利用。这些小宽度结构使集成电路得到更高的时钟频率，进而在集成电路引脚处得到更高的信号的数据率。为了使得两个电设备之间进行可以抗干扰的通信，需要使传输比特的上升和下降沿尽可能地陡峭。因此，需要保持集成电路的输入和输出端的电容性负载尽可能地低。这些电容使电流曲线平滑，并且电压流过集成电路的输入和输出端。现代集成电路中的信号的集成主要取决于输入和输出阶段的输入电容量。因此，这些现代集成电路以几千兆赫的范围内的比特速率运行。信号的输入信号转换速度和ISI以及符号间干扰分别大大地受到输入和输出级的输入电容的影响。输入和输出端的电容量组成了片外驱动元件(off-chip driver element)的电容、芯片的输入电容、管壳电容以及ESD保护结构的电容(ESD＝静电释放)。ESD结构的电容的比例上升到输入和输出级的整个电容的30％，甚至上升到仅输入引脚的输入级的70％。集成电路必须存在于一种高达人体或者组装设备的1000V或者超过100pF电容量的连接。用于这种保护的二极...
【技术保护点】
一种用于电设备的ＥＳＤ保护装置，该电设备包括具有内部端子的电路结构，该内部端子通过导电连接来连接到电设备的外部端子，该ＥＳＤ保护装置包括：填充气体的空腔，所述连接至少部分穿通该空腔延伸；以及在空腔中的参考电极；其中导 电连接位于空腔，从而当提供超出预定阈值的电位给外部端子时，从导电连接到参考电极产生气体放电。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：M库茨门卡，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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