半导体器件制造技术

提供一种能够减小反馈电容的半导体器件。作为功率ＭＯＳＦＥＴ的半导体器件（１），在单元（９）侧形成漏电极（４５），在硅衬底（３）的背面形成源电极（７）。使源区（１３）和基区（２５）短路的短路电极（３５）的一部分，隔着第一层间绝缘膜（３１）位于栅电极（１７）的上表面（５３）之上。关于从源区（１３）向漏区（１１）的方向，使短路电极（３５）的侧面（４７）的位置与栅电极（１７）的漏区侧的侧面（５１）的位置相同。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种例如功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管，Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)这样的半导体器件。
技术介绍
功率MOSFET所代表的功率半导体器件，由于导通电阻低且可高速开关，所以可有效地控制高频大电流。因此，功率MOSFET作为小型功率转换元件正被广泛地利用在例如个人计算机的电源部件中。功率MOSFET是具有将形成于在半导体衬底上配置的外延层中的多个单元的栅电极共用连接的结构的半导体芯片。此FET中，存在源电极形成在半导体衬底的背面、漏电极形成在单元侧的类型(例如日本特开2004-158813的图1及图2)。在此类型中，由于栅电极和漏电极夹持层间绝缘膜，并形成在晶片表面侧，所以在层间绝缘膜间就会产生栅和漏的寄生电容(反馈电容Crss)。反馈电容大大影响了开关速度，反馈电容大时，开关速度就会下降。
技术实现思路
根据本专利技术的一种方式的半导体器件，其特征在于，包括具有表面和背面的半导体衬底；在上述半导体衬底的表面上形成的半导体层；在上述半导体层中形成的第一导电型的基区；在上述基区中形成的第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，包括：具有表面和背面的半导体衬底；在上述半导体衬底的表面上形成的半导体层；在上述半导体层中形成的第一导电型的基区；在上述基区中形成的第二导电型的源区；与上述源区隔开间隔而在 上述半导体层中形成的第二导电型的漏区；在上述源区和上述漏区之间的上述半导体层上隔着栅绝缘膜形成的栅电极；在上述半导体层上形成为覆盖上述栅电极的第一层间绝缘膜；使上述基区和上述源区短路的短路电极；覆盖上述第一层 间绝缘膜及上述短路电极的第二层间绝缘膜；形成在上...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：鉾本吉孝，高野彰夫，田中文悟，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]