温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供一种能够减小反馈电容的半导体器件。作为功率ＭＯＳＦＥＴ的半导体器件（１），在单元（９）侧形成漏电极（４５），在硅衬底（３）的背面形成源电极（７）。使源区（１３）和基区（２５）短路的短路电极（３５）的一部分，隔着第一层间绝缘膜（３１）位于...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。