【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体晶片定位方法，该方法基于检测部位的位置信息，用于确定在其边缘上具有诸如V形切口或定向平面的检测部位的半导体晶片的处理位置，本专利技术还涉及到使用该方法的装置。
技术介绍
半导体晶片(下文简称为“晶片”)要经过由诸如研磨或抛光的机械法、使用蚀刻的化学方法等执行的后表面处理。使其厚度减小。当使用这种方法来处理晶片时，要将保护带与晶片表面结合到一起，从而保护其上形成有布线图的表面。对于其上结合有保护带的抛光晶片，在边缘介入到光源和光传感器(photoreceptionsensor)之间的状态中，在晶片被旋转地扫描处理过程中获得边缘的位置信息。基于位置信息，可获得晶片的中央位置(例如，参见JP-A08-279547(1996))。此外，在获得晶片中央位置的同时，还获得了与用于定位的诸如V形切口或定向平面的检测部位有关的位置信息，并基于该信息，确定晶片的处理位置。即，基于检测部位的位置，当通过支撑胶带从晶片后表面传送或结合并送至环框(ringframe)时，在考虑有关晶片中央轴的旋转方向的同时，可确定处理位置。但是，通常的方法涉及如下问题。最近，随着...
【技术保护点】
一种用于检测在加有保护层并大体为圆盘状的半导体晶片的边缘提供的定位用的检测点、并且利用所述检测结果确定所述半导体晶片的处理位置的方法，所述方法包括如下步骤：从光投射装置向加有保护层的半导体晶片投射对应于所述保护层的预定波长光； 调节投射到所述半导体晶片表面上的光强；通过与所述光投射装置对置的光接收装置，接收从所述光透射装置透射到所述半导体晶片的光，其中所述半导体晶片置于所述光透射装置与所述光接收装置之间；基于所述光接收装置中光接收量的改变，确定在 半导体晶片边缘提供的检测点的位置；以及使用从确定步骤的确定结果中所获检测...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：池田谕，山本雅之，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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