半导体晶片的定位方法及使用其的装置制造方法及图纸

对应于结合到半导体晶片表面的保护带类型的预定波长光强由控制器来调节，并且用于支撑半导体晶片的支撑台被旋转扫描。同时，在形成在半导体晶片中的用于定位的Ｖ型切口中，光穿透遮盖表面的保护片，由光传感器接收。基于光传感器的光接收量中的变化，检测点的位置被指定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体晶片定位方法，该方法基于检测部位的位置信息，用于确定在其边缘上具有诸如V形切口或定向平面的检测部位的半导体晶片的处理位置，本专利技术还涉及到使用该方法的装置。
技术介绍
半导体晶片(下文简称为“晶片”)要经过由诸如研磨或抛光的机械法、使用蚀刻的化学方法等执行的后表面处理。使其厚度减小。当使用这种方法来处理晶片时，要将保护带与晶片表面结合到一起，从而保护其上形成有布线图的表面。对于其上结合有保护带的抛光晶片，在边缘介入到光源和光传感器(photoreceptionsensor)之间的状态中，在晶片被旋转地扫描处理过程中获得边缘的位置信息。基于位置信息，可获得晶片的中央位置(例如，参见JP-A08-279547(1996))。此外，在获得晶片中央位置的同时，还获得了与用于定位的诸如V形切口或定向平面的检测部位有关的位置信息，并基于该信息，确定晶片的处理位置。即，基于检测部位的位置，当通过支撑胶带从晶片后表面传送或结合并送至环框(ringframe)时，在考虑有关晶片中央轴的旋转方向的同时，可确定处理位置。但是，通常的方法涉及如下问题。最近，随着应用的快速进展，要求晶片越来越薄，所以要将其处理到150μm或更薄。在晶片变得越来越薄的同时，晶片本身的硬度也减小。因此，例如，为了使晶片坚硬，需要将由厚而硬的基底材料制成的保护带结合到晶片表面。但是，结合以遮盖了晶片的整个表面的保护带干扰了光透过在基本为圆形的晶片边缘中形成的用于定位的V形切口部分。因此，光传感器不能接收到在V形切口部分中反射出的光。此外，有一些保护带，还执行了表面处理和上色，并因此厚度也会增加，从而一些保护带不大会透光。在该情形中，可由利用诸如照相机的光学系统的图像处理系统来轻易地检测到晶片边缘中的检测部位。但是，有一个问题，将图像处理系统结合到常规的装置中是很困难的。此外，由于图像处理系统昂贵，导致了安装成本负担巨大的缺点。
技术实现思路
考虑前述的情形而做出本专利技术。因此，本专利技术的一主要目的是提供一种半导体晶片定位方法，能够用廉价的配置以高精度获得半导体晶片边缘中形成的检测部位的位置，并提供使用该方法的装置。为了取得前述目的，本专利技术采用了如下配置。一种方法，用于检测位于结合有保护膜(sheet)的基本为光盘状半导体晶片的边缘的检测部位，并使用检测的结果来确定半导体晶片的处理位置，该方法包括如下步骤将对应于保护膜的预定波长的光从投光装置中射向结合有保护膜的半导体晶片；在射向半导体晶片的面上调节光的强度；由与投光装置相对放置(半导体晶片介入其间)的光接收装置接收从投光装置射向半导体晶片的光；基于在光接收装置中的光接收量的变化，确定位于半导体晶片边缘上的检测部位的位置；使用从确定步骤的确定结果中获得的检测部位的位置信息来定位半导体晶片的处理位置。由于根据本专利技术的该方法，在调节其光强的同时，对应于保护膜的预定波长的光射向半导体晶片的表面。光由与投光装置相对放置(半导体晶片介入其间)的光接收装置接收。然后，基于在光接收装置中的光接收量的变化，确定位于半导体晶片边缘上的检测部位，并且使用作为确定结果的检测部位的位置信息来获得半导体晶片的处理位置。相应地，根据保护膜的状态，有可能调节具有对应于保护膜类型的透射率的波长的光强。因此，可调节由光接收装置接收的光量。换言之，通过选择性地调节光接收装置中的光接收量，有可能增加光的接收精度。结果，使用位于半导体晶片边缘上的检测部位的位置信息，可以高精度获得半导体晶片的处理位置。此外，该方法可在具有投光装置和光接收装置的廉价配置中实现。较佳地，半导体晶片在一种显露其边缘的状态中由支撑装置支撑，在该状态中暴露其边缘，并且在光接收步骤，光从投光装置射向从支撑装置暴露的半导体晶片的边缘。并且，投光装置和与投光装置相对放置的光接收装置的设置和支撑装置以一种使一套光透射装置和光接收装置沿着从所述支撑装置显露的半导体晶片的边缘进行旋转扫描的方式相对移动。更佳地，执行第一旋转扫描，其中投光装置和光接收装置的设置沿着从支撑装置暴露的半导体晶片的边缘旋转扫描一周，在确定步骤，基于在光接收步骤的旋转扫描处理中由光接收装置接收到的光量，暂时确定检测部位的位置，在确定步骤暂时确定了检测部位的位置之后，重复光接收步骤，并且在光接收步骤，执行第二旋转扫描，其中投光装置和光接收装置的设置沿着从支撑装置暴露的半导体晶片的边缘旋转扫描一周，在这期间，在包括在确定步骤暂时已确定的半导体晶片的检测部位的预定区域，旋转速度很慢，并且在第二扫描完成之后，在确定步骤，基于由光接收装置接收到的光量的变化，从包括暂时已确定的检测部位的预定区域中确定检测部位的最佳位置。由于该方法，可以较高的精度确定检测部位的位置，从而可以高精度计算出半导体晶片的处理位置。注意到在光强调节步骤，可如下调节光强。例如，较佳地，根据保护膜的厚度，以一种方式来调节投光装置的光发射强度，从而在光接收步骤，光接收装置在检测部位的光接收量变为一个预定量。在该情形中，如果保护膜很厚，从而光不大会穿透，则提高投光装置的光发射强度，以增加保护膜的光穿透量。结果，光接收装置可接收预定量的透射光，从而可以高精度获得半导体晶片的检测部位的位置。较佳地，根据保护膜的厚度，在将投光装置的光发射强度保持恒定的状态下调节从投光装置到半导体晶片的距离，从而在光接收步骤中，光接收装置在检测部位的光接收量变为一个预定量。在该情形中，如果保护膜很厚，从而光不大会穿透，则即使投光装置的光发射强度保持恒定，还是可以通过减少投光装置和半导体晶片之间的距离来增加半导体晶片面上的光强。即，光接收装置可接收预定量的透射光，从而可以高精度获得半导体晶片的检测部位的位置。较佳地，在一种以一种方式将投光装置的光发射强度保持恒定的状态中调节从投光装置到半导体晶片的距离，从而在光接收步骤中，光接收装置在检测部位的光接收量变为一个预定量。在该情形中，如果保护膜很厚，从而光线不大会穿透，则即使投光装置的光发射强度保持恒定，还是可以通过减少投光装置和光接收装置之间的距离来增加半导体晶片面上的光强。即，光接收装置可接收预定量的透射光，从而可以高精度获得半导体晶片的检测部位的位置。较佳地，在光投射步骤，可调节投光装置，以投射对应于结合到半导体晶片上的保护膜颜色的波长的光。由于该方法，有可能投射具有对应于保护膜颜色的高透射率的波长的光。即，光可穿透保护膜，而不论该保护膜的颜色；因此，可以高精度地由光接收装置接收从遮盖在半导体晶片边缘中的检测部位的保护膜传送的光。检测部位的一示例是在半导体晶片的边缘中形成的V形切口。为了达到前述目的，本专利技术还采用了如下配置。一种用于确定结合有保护膜的半导体晶片的处理位置的装置，该装置包括支撑装置，用于支撑结合有保护膜的半导体晶片；投光装置，用于将对应于保护膜的波长的光投射到由支撑装置支撑的半导体晶片的面上；光强调节装置，用于调节投射在半导体晶片面上的光的强度；光接收装置，放置为与投光装置相对，半导体晶片介入其间，用于接收从投光装置中投射的光；移动装置，用于相对地移动一套投光装置和光接收装置以及支撑装置；确定装置，基于在移动装置相对地移动一套投光装置和光接收装置以及支撑装置期间由光接收装置接收到的光量的变本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于检测在加有保护层并大体为圆盘状的半导体晶片的边缘提供的定位用的检测点、并且利用所述检测结果确定所述半导体晶片的处理位置的方法，所述方法包括如下步骤：从光投射装置向加有保护层的半导体晶片投射对应于所述保护层的预定波长光；　 　调节投射到所述半导体晶片表面上的光强；通过与所述光投射装置对置的光接收装置，接收从所述光透射装置透射到所述半导体晶片的光，其中所述半导体晶片置于所述光透射装置与所述光接收装置之间；基于所述光接收装置中光接收量的改变，确定在 半导体晶片边缘提供的检测点的位置；以及使用从确定步骤的确定结果中所获检测点的位置信息，定位所述半导体晶片的处理位置。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：池田谕，山本雅之，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]