本发明是有关于一种缓冲仓储装置，包含一高架式输送轨道以及至少一输送系统或输送带。高架式输送轨道是供支撑多数个用来输送晶圆盒的高架式输送车。至少一输送系统或输送带是设于该高架式输送轨道下方，以供接收高架式输送轨道上的高架式输送车中的晶圆盒...

本发明是提供一种集成电路的结构，具有改善电阻的集成电路的结构及其制作方法。集成电路的结构包括一介电层、一开口于该介电层内、一氧化物为主的阻障层，直接形成于开口的侧壁上、以及导电材料填充于开口的剩余部分。本发明所述的集成电路的结构，可以改...

本发明是提供一种半导体装置及其制造方法、与其所使用的图罩。上述一种半导体装置，其在一基底上具有为一隔离结构所隔离的主动区，其中在上述主动区内，上述半导体装置包含：一栅极于上述基底上，其延伸横越上述主动区；一源极区与一漏极区，置于上述栅极...

本发明提供一种制程设备组，包括：一密闭腔体，包含一气体及至少一闸门，该闸门是用来关闭一形成于该密闭腔体内的开口，该气体包含至少一还原气体、非反应气体或惰性气体；至少一制程腔室，设置于该密闭腔体内；一传输装置，设置于该密闭腔体内，以于该闸...

本发明是提供一种半导体装置及其制作方法。其中半导体装置具有一理想化应力于沟道区域之中，此半导体装置包含一栅极位于一基底上方，一第一间隙壁形成于栅极侧壁上，且在该第一间隙壁下方存在一非硅化区域，包含一凹槽的一源／漏极区域形成于上述基底之中...

本发明提供一种具有嵌入式电容的半导体装置及其制造方法，包括：一介电层，位于一基底上，该介电层具有一接触开口以暴露该基底以及一沟槽开口于该接触开口上；一第一金属电极层，顺应性的形成于该接触开口及该沟槽开口的侧壁及底部上；一第二金属电极层，...

本发明涉及一种用于制造程序反馈控制的自动方法及系统。该方法包括以下步骤：决定制造程序之间的关系；依据该制造程序处理晶片；通过检测机台测量处理后的晶片；从该机台取得该制造程序的制造结果信息；再依据该制造结果信息及该关系自动调整该制造程序。...

本发明提供一种接合垫结构，特别涉及一种介层孔的布局结构，其包含以连扣方式设置的介层孔族群以抑制沿着两组介层孔族群的区域边界产生碎裂。所述接合垫结构：一金属介层孔图案，位于一介电层中，上述金属介层孔图案包括一第一介层孔族群及一第二介层孔族...

本发明公开一种内连线结构与晶片，该内连线结构包含：多个介电层，在至少一切割线上具有多个对准排列的工艺控制监测垫；以及导电结构，设置于最上方的工艺控制监测垫之上，该导电结构电性连接最上方的工艺控制监测垫至其上方的待测元件，该导电结构的尺寸...

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其采用栅极置换工艺。半导体结构具有端接接触部结构（ｂｕｔｔｅｄ　　ｃｏｎｔａｃｔ），其电性连接源极／漏极至栅极延伸部（ｇａｔｅ　　ｅｘｔｅｎｓｉｏｎ）。上述的半导体结构还包括设于源极／漏极上并与其电...

一种半导体结构，包括：第一高压阱区，具有第一导电类型，位于衬底的上方；第二高压阱区，具有与第一导电类型相反的第二导电类型，位于衬底的上方并侧向相邻于第一高压阱区；第三高压阱区，具有第二导电类型，位于第二高压阱区的下方，其中第三高压阱区的...

本发明是有关于一种半导体存储元件与静态随机存取存储晶胞布局，其中该半导体存储元件包括双稳态正反器（Ｂｉ－ｓｔａｂｌｅ　　Ｆｌｉｐ－ｆｌｏｐ）晶胞，其中此双稳态正反器晶胞具有数据储存节点与反相数据（Ｄａｔａ　　Ｂａｒ）储存节点。第一电容器...

本发明提供一种存储器宏及电路布局产生方法。其中该电路布局产生方法，适用于使用存储器编译器产生电路布局，包括：产生第一组单元，设置于该电路布局的第一区域；以及产生第二组单元，设置于该第一区域的边缘，该第二组单元为可操作的且与该第一组单元具...

本发明是有关一种晶圆清洗设备及其方法。该清洗设备包括：槽体、基台、至少一第一侧壁、上盖及排气装置。基台位于槽体之中；第一侧壁设于槽体中，并围绕基台；上盖设于槽体中，并位于基台上，可操作用以在基台和第一侧壁间区隔出第一空间；排气装置联通位...

本发明是有关于一种用以制作半导体结构的方法与系统，其中此种半导体结构的基材上至少覆盖有一材料层。此材料层的至少一部分为至少一第一前驱物所蚀刻，因此需定义出至少一材料图样。依附于此材料图样上的电荷会随着至少一放电气体被移除。

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其中该半导体装置包括：半导体基底，其上方形成有接合焊盘与第一保护层，该第一保护层具有开口于其中，该开口露出该接合焊盘的一部分；金属焊盘层，形成于该接合焊盘的一部分的上方，其中该金属焊盘层接触该接合焊...

本发明提供一种半导体元件，像是Ｐ通道金属－氧化物－半导体场效应电晶体或Ｎ通道金属－氧化物－半导体场效应电晶体，其具有应变通道区域，借由形成一栅极堆叠后，在源极区域及漏极区域形成凹进区来形成此半导体元件。接着，去除此栅极堆叠下的基板，然后...

一种用于晶圆传送自动控制装置的晶圆传送片，其具有改善结构的一囊袋空间，以在晶圆传送自动控制装置的拾取与传送期间内最小化晶圆的损坏。传送片具有一于传送片后面的斜表面，以允许不准确晶圆在斜面下滑，而又不伤害到晶圆表面。

本发明涉及一种动态随机存储器（ＤＲＡＭ）单元与该动态存储器单元的一种制造方法。该动态随机存储器单元至少包含晶体管单元与电容器单元。该电容器单元至少包含第一、第二以及第三介电层，与第一、第二以及第三电容电极板。该第一介电层在第一电容电极板...

一种半导体结构，包含具有不同应力的第一半导体材料层与第二半导体材料层。利用第一半导体材料层与第二半导体材料层的堆栈搭配，在第一半导体材料层与第二半导体材料层分别压缩与伸张或伸张与压缩下，用来调节半导体元件中的通道应力，从而形成受应变的通道。