本发明提供一种静电放电防护的晶体管以及形成两个邻近的晶体管的方法，所述用于静电放电防护的晶体管结构包含有至少两个邻近的晶体管，设置于一基底上。该等晶体管的栅极与源极相互耦接，该等晶体管的漏极相互邻近但分开，作为一个分割的漏极布植结构。该...

本发明提供一种用于湿制程槽的液体流量控制系统、以及湿制程系统，所述用于湿制程槽的液体流量控制系统，其包括可编程逻辑控制器、气动阀、阀门监视器。上述可编程逻辑控制器是产生一操作信号。该气动阀是依据该操作信号，用以控制液体流入及／或流出该湿...

本发明提供一种形成半导体结构或元件的方法。先提供一基底。一栅电极接着形成于该基底上。一源／漏极区形成于该基底。一非晶区形成于该栅电极与该源／漏极区的一上部分。一应力盖层形成于该非晶区上。对该非晶区进行极速退火，并使该非晶区结晶。该应力盖...

本发明提供一种相变化存储元件及其形成方法，可降低相变化体积且具有较低驱动电流。该存储元件的形成方法包括，形成一底部绝缘层，包括一下电极接点；在该下电极接点上形成一下电极；在该下电极上形成一抗反射层；图案化及蚀刻该抗反射层及该下电极，形成...

本发明提供一种半导体装置及其形成方法，此半导体装置包括基底，栅极电极形成于基底上，栅极间隔物形成于栅极电极的两侧，源／漏极区域形成于基底中，以及导电区域形成于源／漏极区域上，导电区域包括第一导电区域以及第二导电区域，其中第二导电区域形成...

一种后侧照光的半导体装置，包括：半导体基底，具有前侧表面与后侧表面；感测元件，位于该半导体装置的前侧表面上；以及反光层，设置于该感测元件之上，设置于该半导体基底之上，其中该反光层具有面对该感测元件的反射面，而该反射面大体对应该感测元件８...

本发明提供一种半导体装置以及形成一半导体结构的方法。该半导体装置包含有一基底以及一元件阵列。该元件阵列具有数个晶体管。该等晶体管的栅极大致设置于一栅方向。每个该等晶体管具有由数次离子注入所形成的数个袋形区。每个该等离子注入的旋转角度大约...

本发明是有关于一种半导体元件中内连线结构的制造方法。内连线结构是具有一或多个应力释放层的多层结构。在实施例中，应力释放层是设置于电镀铜层或其他导电材料之间。应力释放层可抵消导电材料所引起的应力并有助于防止或减少产生拉回孔洞。使用电镀铜层...

本发明提出一种半导体元件的制造方法，该半导体元件具有浅型以及高掺杂浓度的源极／漏极区域。其制造方法包括：在基板上制造栅极电极；借由注入离子将该基板的源极／漏极区域转换为非晶状态；在上述源极／漏极区域注入离子，以执行同步注入工艺；注入一个...

本发明是提供一种光刻图形的形成方法，包含：形成一第一材料层于一基底上，上述第一材料层实质上不含硅；形成一图形化的抗蚀剂层于上述第一材料层上，上述图形化的抗蚀剂层包含至少一抗蚀剂开口于其中；形成含硅的一第二材料层于上述图形化的抗蚀剂层上；...

本发明是有关于一种可程式化非挥发性记忆体装置及其形成方法，该方法与互补式金氧半导体（ＣＭＯＳ）逻辑装置制程相容，用以改善制程流程，该可程式化非挥发性记忆体装置包括一半导体基底主动区；一闸极介电层在该半导体基底主动区上；一浮接闸极电极在该...

本发明提供一种系统级封装的配置的电子封装结构，包括至少一导线接合芯片以及至少一覆晶封装芯片。所述的至少一导线接合芯片位于第一层与第二层的其中一层，所述的至少一覆晶封装芯片位于第一层与第二层的另一层。本发明以最少的打线接合数量连接ＳＩＰ结...

本发明是有关于一种具有低程式化电流的相变记忆体，此相变记忆体包括一位于介电层中的导电极、一位于导电极上的下电极层、一位于下电极层上的相变材质层以及一位于相变材质层上的上电极层。此相变记忆体可另包括一介于相变材质层及上电极层之间的散热层。...

一种半导体架构，包括具有第一装置区以及第二装置区的半导体基底。栅极层横跨于半导体基底上的第一装置区以及第二装置区，横跨第一装置区的栅极层的第一部与具有第一型态的杂质执行掺杂，而横跨于第二装置区的栅极层的第二部与具有第二型态的杂质执行掺杂...

本发明提供一种集成电路的制造方法及减少熔丝结构侵蚀的方法，特别涉及一种减少半导体晶圆的熔丝结构侵蚀的方法，上述减少半导体晶圆的熔丝结构侵蚀的方法，包括提供一具有集成电路的半导体晶圆；在该半导体晶圆进行一良品率测试，以决定缺陷的电路；预先...

本发明是有关于一种形成沟渠电容的方法，是以下列制造步骤来揭示。在一半导体基材上形成沟渠，沉积第一沟渠介电层于此沟渠内，且第一沟渠介电层的高度并未达到此沟渠的全部高度。于第一沟渠介电层上并沿着此沟渠的内侧表面形成蚀刻终止层（Ｅｔｃｈ　　Ｓ...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，半导体装置的制造方法包括提供基底，在基底上形成第一栅极结构与第二栅极结构，且两栅极结构之间彼此电性隔离，在基底中的第一栅极结构两侧形成第一双扩散区域，在基底中的第二栅极结构两侧形成第二双扩散区域，在...

本发明是有关于一种浸润式（Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ）微影系统。其至少包括：一晶圆吸附器，用以容纳并以浸润式微影来处理位于其上的一晶圆；至少一密封环，用以密封该晶圆于该晶圆吸附器上；一密封环承载器，用以装载该密封环至该晶圆吸附器，或自该晶圆吸附...

一种具有热传导路径的半导体结构及其形成方法。此半导体结构包括在半导体基板上形成保护环，且基本上围住激光熔丝结构。此激光熔丝结构包括激光熔丝及接点结构，可连接此激光熔丝至集成电路。通过上述的接点结构可将保护环热耦接至半导体基板。半导体结构...

一种半导体装置的制造方法，包括：提供含硅基板；清洁此含硅基板；使用第一来源气体执行第一低压化学气相沉积工艺，以选择性沉积硅籽晶层于基板上；使用第二来源气体执行第二低压化学气相沉积工艺，以选择性沉积第一硅锗层于硅籽晶层上，其中第二来源气体...