半导体装置的制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置的制造方法，包括：提供含硅基板；清洁此含硅基板；使用第一来源气体执行第一低压化学气相沉积工艺，以选择性沉积硅籽晶层于基板上；使用第二来源气体执行第二低压化学气相沉积工艺，以选择性沉积第一硅锗层于硅籽晶层上，其中第二来源气体包括具有第一流量的盐酸；使用第三来源气体执行第三低压化学气相沉积工艺，第三来源气体包括具有第二流量的盐酸；其中，第一流量实质低于第二流量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种，且特别有涉及一种用于沉积硅层和硅锗层的多步骤外延工艺(multi-step epitaxial process)。
技术介绍
在硅晶片上形成硅锗外延层的技术已经受到广泛的研究，原因在于此技术可以用于界面的钝化层(passivation of interfaces)以及用于产生具有各种功能的装置。例如，在硅层上的硅锗异质结构(heterostructure)能够用于形成异质结双极晶体管(heterojunction bipolar transistor)。另一个例子是，为了减少源极区和漏极区的阻值，可以在金属氧化物半导体晶体管(MOS transistor)的源极区和漏极区上形成硅锗外延层。一般而言，硅锗外延层是以图案(patterns)方式形成而不是作为硅晶片上的坦覆层(blanket)，而选择性低压化学气相沉积法(selective low pressurechemical vapor deposition；LPCVD)则经常被用来选择性生成硅锗外延层。图1显示在硅晶片100上选择性形成硅锗层的示意图，为了形成如图1所示的结构，其步骤包括如下。首先提供硅晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，包括：提供含硅基板；清洁所述基板；选择性沉积硅籽晶层于所述基板上；及选择性沉积硅锗层于所述硅籽晶层上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林立德，蔡邦彦，张志坚，李资良，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]