【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体元件的制造方法，特别是涉及一种在半导体元件中电性耦合两个或多个导电层的内连线结构的制造方法。
技术介绍
现在集成电路的最小特征尺寸，如场效晶体管的通道长度，已达到深次微米的范围，因此需要不断地提升这些电路在速度及耗电量方面的表现。个别电路元件的尺寸越来越小，而在集成电路中导电内连线的可用面积也不断地减少。因此，必须减少内连线以补偿每一晶片中所减少的可用面积以及所增加的电路元件数目。通常来说，集成电路包括电子元件例如为形成于基材上的晶体管、电容及其类似物。接着在电子元件上形成一个或多个金属层，以提供电子元件间的连线及与外部元件间的连线。这些金属层典型的包括一内层介电层，此内层介电层中通常使用单或双金属镶嵌制程来形成中介窗及内连线。如上所述，半导体工业趋向于微型化或缩小集成电路尺寸，以提供更小的集成电路并改进其效能，例如增快速度及降低耗电量等。集成电路中导电线路的材料过去常使用铝及铝合金，而由于铜较铝具有较佳的电性特性，因此目前趋势是使用铜来作为导线材料，如此可降低电阻、提高导电度且具有较高的熔点。半导体元件的导电线材料及绝缘材料的改变，已...
【技术保护点】
一种半导体元件中内连线结构的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一基材，该基材具有一介电层形成于该基材上；形成一开孔于该介电层中；形成复数个导电层于该开孔中；以及形成一或多个应力释放层，各个应力释放层是设 置于两导电层之间。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹荣志，陈科维，林俞谷，陈其贤，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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