本发明提供一种半导体结构。通过噪声隔离结构将位于衬底上的第一元件区域及第二元件区域隔离。上述噪声隔离结构包括一下沉区域，包围上述第一元件区域；以及一埋置层，其位于上述第一元件区域的下方且连接上述下沉区域；一深防护环，包围上述下沉区域；以...

本发明公开一种应用于运输系统整合的方法及系统。其中该方法包括使用计算机执行下列步骤：接收包括关于一个制造对象的请求信息；依据关于哪一个运输系统管理该制造对象的信息，在多个运输系统服务器中决定出一个运输系统服务器；产生对应于所接收到的请求...

本发明提供一种半导体晶片、半导体装置与非易失性存储装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括：形成一栅堆叠物于一基底上，栅堆叠物具有一侧壁；形成一ＯＮＯ堆叠物于栅堆叠物上与侧壁旁；蚀刻ＯＮＯ堆叠物以形成一ＯＮＯ储存结构，ＯＮＯ储存结构具有...

本发明提供一种半导体组件、封环结构及其形成方法，该封环结构介于集成电路与切割道之间。在一实施例中，封环结构包括基板；多层金属导线，位于基板上；多个导孔插塞，贯穿金属导线之间的介电层，并电连接金属导线；第一保护层，位于金属导线上，且具有开...

本发明提供一种集成电路的电容器结构及其制造方法，包含：一第一板状物层，包含一系列相互交叉（ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｔｅｄ）的第一板状物；一第一介电层，覆盖于该第一板状物层上；一第一延伸层，在该第一介电层上，包含一系列相互交叉的第一延伸板，...

一种形成半导体装置的方法，包括以下步骤：在一基板上形成一栅极；在该栅极对应侧的基板内形成多个凹口；在该基板的所述凹口内形成一扩散阻障层；以及在所述凹口内形成源极／漏极区。本发明提供了具有设置在源极／漏极区内的半导体合金，并可降低或避免掺...

本发明提供一种开口内底部薄膜剩余厚度的判别方法，适用于检测一集成电路内的一开口，包括下列步骤：提供一基底；形成一介电层于该基底上；于该介电层内形成一开口；将该基底接地；利用一扫描型电子显微镜扫描该基底，以产生一电压对比影像；判定该开口内...

一种配送系统，该配送系统在制造系统中运送载具，其中该制造系统包含多个机台群组，该配送系统包括第一机台群组间配送单元、第二机台群组间配送单元、多个机台群组内配送单元、及路径控制器。该第一机台群组间配送单元，其在该多个机台群组之间运送该载具...

本发明提供一种形成金属－绝缘层－金属电容的方法，该方法包括下述步骤：在基底上形成电容下板与金属内联结构。之后，形成具有预定厚度的介电层，该介电层包含位于该电容下板上方的第一部分以及位于该金属内联结构上方的第二部分。接着，调整该介电层的第...

本发明是有关于一种制作半导体元件的方法，包含形成第一牺牲层于欲蚀刻的第一层上，其中第一牺牲层具有复数个贯穿第一牺牲层的孔洞，且每一孔洞使第一层对应孔洞的部分曝露于外；形成第一光阻层于第一牺牲层上，且第一光阻层填充贯穿第一牺牲层的孔洞；形...

一种形成半导体装置的方法，包括：提供基底；在该基底上形成栅极，该栅极具有一个顶面以及左右各一个侧壁；在该栅极与该基底上形成衬层；在该衬层上形成多个间隔物，邻近栅极；处理该衬层的露出部，经处理的衬层比未经处理的衬层具有更高的蚀刻率；移除位...

本发明是关于一种半导体结构及Ｎ型金属氧化物半导体晶体管的形成方法，提供具有高应力沟道区的金属氧化物半导体晶体管及其形成方法，包括于半导体基板上依序形成第一半导体板、第二半导体板、栅极堆叠，其中第一半导体板的晶格常数实质上大于第二半导体板...

本发明提供一种平坦度调整系统及可调变针型承载吸盘。该平坦度调整系统包括可调变针型承载吸盘、平坦度检测装置以及长度控制装置。该可调变针型承载吸盘具有底座以及至少一可调变顶针。该平坦度检测装置设置于该可调变针型承载吸盘之上。该长度控制装置电...

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，特别涉及一种半导体结构，包括：一基底，一第一ＭＯＳ元件位于该基底的第一区域之上，其中第一ＭＯＳ元件包括一第一间隙壁衬层。该半导体结构更包括一第二ＭＯＳ元件位于该第二区域，其中第二ＭＯＳ元件包括一第二...

本发明提供了一种半导体结构及其制造方法。首先，形成快闪存储单元的栅极堆叠在基板上，其中栅极堆叠的顶部包括覆盖层。接着，形成栅极，其至少有一部分位于覆盖层之上；以及，减少栅极位于覆盖层上至少一部分厚度。如此，可减少同一芯片上快闪存储单元与...

本发明提供一种半导体结构及其制造方法，包括：一基板，一核心电路以及一静态随机存取存储器晶胞；其中上述静态随机存取存储器晶胞包括一提升电位Ｐ型金属氧化物半导体晶体管，包括：一第一源／漏极区，位于上述基板中；一第一锗化硅应激物，位于上述基板...

本发明揭露一种金属－绝缘体－金属结构及其形成方法，该结构具有较高电容并可减少穿隧电流。在较佳实施例中，该结构具有第一电极，包含一磁矩为第一方向的磁性金属；以及第二电极，包含一磁矩为第二方向的磁性金属，其中第一方向与第二方向是反向平行。此...

本发明提供一种存储单元阵列及存储单元，应用于分离字线型的存储单元改良电源栅格设计。一存储单元阵列包括一第一金属层以供局部连接用，一第二金属层以供一位线、一互补位线、以及一设置于该位线与该互补位线之间的第一电压线用，各自大体上为一第一走向...

本发明提供一种影像感测器及其制造方法，特别涉及一种影像感测器，其包括多个像素，其中至少一像素包括：一半导体基底，具有一感光区；以及一第一电极及一第二电极，嵌入于该半导体基底内，其中该第一及第二电极形成以一阵列排列的多个狭缝，所述狭缝用以...

本发明提供一种半导体结构及金属氧化物半导体元件的制作方法，其中通过在栅电极和源极／漏极上的硅化层选择性地施加应力，进而在该半导体结构的沟道选择性地施加应力。通过将硅化层晶粒的较大尺寸定位于第一方向以及将较小尺寸定位于第二方向以在此硅化层...