本发明提供一种横向扩散金属氧化物半导体（ＬＤＭＯＳ），其结构包括栅极、源极、漏极以及浅沟槽隔离区。在漏极和栅极之间形成的浅沟槽隔离区被用来承受施加到漏极的高电压，并且浅沟槽隔离区与半导体衬底结合以形成凹陷。这样，浅沟槽隔离区的表面低于半...

本发明公开一种背照式影像传感器，其包括具有前表面与背表面的半导体基材。多个影像传感元件位于基材的前表面。至少有一个影像传感元件包括传输栅极和光传感器，其中该传输栅极包括位于光传感器上方的光反射层。在一个实施例中，该栅极至少占光电流产生区...

本发明提出了一种混合金属全硅化（ＦＵＳＩ）栅结构的半导体系统和半导体器件。该半导体系统包括ＰＭＯＳ栅结构，所述ＰＭＯＳ栅结构包括第一高ｋ值电介质层、Ｐ型金属层、中间禁带金属层和形成在所述Ｐ型金属层上的全硅化物层，其中所述中间禁带金属层形...

一种控制一制程浴中制程稳定性的方法，使用一动态添加模式，其实质上持续监控制程浴中的化学制品浓度，且以规律方式加入新鲜的化学制品，以维持化学制品的浓度在期待程度。维持蚀刻速率及蚀刻选择性在期待程度，且避免来自不期待沉淀的污染物。此系统及方...

本发明提供一种具有空气间隙的半导体元件的制造方法，该方法包括以下步骤，提供一牺牲层于一介电层上，且于其中形成多个开口，牺牲层是一毯覆层，且其转换成一可通过一蚀刻组成来蚀刻的材料，介电材料和后续形成的内连接材料则对此蚀刻组成具有蚀刻阻挡的...

本发明提供一种半导体制造工艺中去除栅上硬掩模的方法，其执行如下。首先，形成具有硬掩模的第一栅及第二栅于半导体基板上，其中该第二栅大于第一栅。第一栅及第二栅可结合ＳｉＧｅ源极和漏极区而形成ｐ型晶体管。其次，沉积光致抗蚀剂层，且于第二栅的硬...

一种提供芯片上电感器的绝缘的半导体结构，此半导体结构包含一半导体基材、形成于第一半导体基材上的一个或多个芯片上电感器、在一个或多个芯片上电感器的近处形成贯穿第一半导体基材的多个硅贯通孔、以及将多个硅贯通孔中至少一者耦合接地的一个或多个导...

本发明是有关一种用于微线距焊线连接的焊垫设计。提供一种焊垫设计，其包括一或多个焊垫群设于一半导体元件上，该些焊垫群至少包含二或多个焊垫，其中所述每一焊垫为交替设置，使得所述二或多个焊垫的多数个毗邻焊垫的焊球是设在对面该些毗邻焊垫的其他的...

一种背面照明影像传感器，其特征在于，包含：　一基板，具有一正面及一背面；　一传感器，位于该基板的该正面中，该传感器包含至少一光二极管；以及　一空乏区，位于该基板的该背面中，其中该空乏区的一深度小于一基板厚度的２０％。

本发明涉及一种半导体结构，包括具有增大的电容量与改善的电性的电容。该半导体结构包含有一衬底和位于此衬底的一电容。该电容包含有一第一材料层，该第一材料层包含有一第一电容电极和一第二电容电极，其中第一电容电极由含金属材料所形成且未含有多晶硅...

本发明涉及一种封装结构，至少包括：散热装置；位在散热装置上的裸片，其中裸片具有第一表面，以及与第一表面相对的第二表面；邻接裸片的第一表面及散热装置的粘合层；以及封装材料，位在散热装置上，且环绕所述的裸片。其中封装材料的所有边缘分别与散热...

本发明提供一种半导体结构，即一种鳍式场效应晶体管，其包括：一鳍状半导体，位于一基材的上表面，其中该半导体鳍包括一中间区，其具有一第一宽度；以及一第一与一第二末端区，连接到该中间区的相对两端，其中该第一与第二末端区各包括至少一顶端部分，具...

本发明涉及一种集成电路及形成该集成电路的方法，包含一基板；一硅贯通电极，延伸入基板中；一硅贯通电极转接垫，与硅贯通电极间隔一距离设置；以及一金属线，位于硅贯通电极上，且与硅贯通电极及一硅贯通电极转接垫电性连接。

本发明的目的在于提供一种半导体装置及其制造方法，为了减少因接触元件误对准造成的接触阻值的变化。本发明优选具体实施例包括一非平面晶体管，其中该非平面晶体管包括位于一鳍之中的源极／漏极区域；一层间介电层，位于该非平面晶体管上；以及所述多个接...

本发明提供了一种用于三维集成电路的半导体装置结构。半导体装置结构包含：具有第一表面及第二表面的基板、定义于基板且自第一表面延伸至第二表面的介层、以及位于第一表面且与介层接触之多个第一接触窗结构。多个第一接触窗结构的各个与第一表面平行的截...

本发明涉及一种半导体器件，包含Ｐ型沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极及源极区，位于衬底上，该Ｐ型沟道金属氧化物半导体晶体管包含第一应变层，位于该Ｐ型沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极及源极区内，以及第一覆盖层，与该应变层接触；Ｎ型沟道金属氧...

本发明提供一种分裂式栅极存储单元，包括沿第一方向形成于半导体衬底上的多个绝缘区域，在两个相邻的绝缘区域之间定义出有源区域，该有源区域具有形成于该半导体衬底中的一对漏极与源极区域。一对浮动栅极设置于该有源区域上，且自对准于所述绝缘区域，其...

本发明涉及一种封装结构，包含一衬底；一芯片，翻转而接合在衬底上；一散热片，位于芯片之上；以及一或多个间隙壁，将散热片与衬底分开。

一种集成电路结构包括一下介电层；一上介电层于该下介电层之上；以及一密封环。密封环包括一上金属线于该上介电层中；一连续导孔条于该第一上金属线之下且与其邻接，其中该连续导孔条的宽度大于该上金属线宽度的约７０％；一下金属线于该下介电层中；以及...

本发明涉及用来移除形成于半导体衬底上，具有多个孔洞的低电介质系数电介质层的蚀刻剂及控制晶片的回收方法，该蚀刻剂包括：以氢氟酸为基底的溶剂、膨胀剂以及钝化剂。其中膨胀剂用来扩张形成于低电介质系数电介质层中的孔洞。钝化剂用来在低电介质系数电...