一种集成电路结构及其形成方法，包括：提供一半导体基板；形成一介电层于该半导体基板上；于该介电层内形成一开口；形成一籽晶层于该开口内；形成一铜导线于该籽晶层上，其中至少该籽晶层与该铜导线之一包括一合金化材料；以及形成一蚀刻停止层于该铜导线...

本发明提供一种图像传感器元件，其包含具有像素区域和外围区域的衬底。第一隔离结构形成于所述衬底的像素区域中。所述第一隔离结构包含具有第一深度的沟渠。第二隔离结构形成于所述衬底的外围区域中。所述第二隔离结构包含具有第二深度的沟渠。所述第一深...

一种制作双功函数半导体元件的方法，包括提供具有第一区与第二区的基底，于第一区与第二区上形成栅极介电层，于栅极介电层上形成金属栅极层，其中金属栅极层具有第一（初镀）功函数，第一（初镀）功函数可以通过于其上引发应变而调整，以及选择性形成第一...

本实用新型提供了一种薄膜晶体管结构，该结构可降低启始电压偏移，其包含：一基板；一薄膜晶体管元件形成于该基板上；以及一保护层形成于该薄膜晶体管元件上，其中该保护层是以富硅的氧化硅材料所形成。通过提高形成氧化硅层时所使用的含硅气体量，同时降...

本实用新型是关于一种使用无氮介电蚀刻停止层的半导体元件，包括：一半导体基底，其上依序堆栈有一第一蚀刻停止层及一介电层，第一蚀刻停止层是为碳化硅（ＳｉＣ）层；至少一导电层，设置于该膜层内并接触该半导体基底，以构成一导电构件。

本实用新型提供一种利用不同介电常数的插塞构成的电容器和半导体装置，其中低介电常数的插塞是做为组件隔离之用，高介电常数的插塞是做为耦合之用，例如电容器介电层或门极绝缘层。本实用新型并提供一种利用热膨胀系数不同于基底的插塞构成的半导体装置，...

本实用新型主要提出两种不同型态的完全空乏晶体管，并且将完全空乏晶体管与部分空乏晶体管整合于单一芯片上。可透过调整栅极层的长度，以决定平面晶体管是完全空乏或是部分空乏。完全空乏晶体管的栅极层长度较部分空乏晶体管的栅极层长度为长。或是透过调...

本实用新型揭示一种具应变通道的互补式金氧半导体，主要包括：一半导体基底、设置于上述半导体基底内的多个沟槽隔离区、一氮化物衬垫层、一离子布植氮化物衬垫层、一Ｎ型通道晶体管以及一Ｐ型通道晶体管。其中，相邻两沟槽隔离区之间各定义出一主动区，主...

本实用新型提出一种具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管，其包括一绝缘层和多个岛状的应变硅主动层。其中，岛状的应变硅主动层设于绝缘层之上，且岛状的应变硅主动层彼此分隔。

本实用新型是一种绝缘层上有半导体的晶片，其包含复数个多重栅极晶体管在一绝缘层之上。至少一个该些多重栅极晶体管包括：一具有朝第一方位排列的半导体鳍片、一闸电极形成于邻近该半导体鳍片的一沟道区部分上、以及一源极区与一漏极区位于该半导体鳍片中...

一种使用多栅极晶体管的互补式金属氧化物半导体晶体管反向器，该互补式金属氧化物半导体晶体管反向器包含：至少一第一多栅极晶体管，该第一多栅极晶体管包含一第一源极连接至一电源供应器，一第一漏极连接至一输出端，以及一第一栅极电极；至少一第二多栅...

本实用新型提供了一种可避免电荷效应所导致电子束偏移的光罩母片，其结构包括：一透明基底；以及一遮蔽层，涂布于该透明基底上以完全遮蔽该透明基底。

一种多栅极晶体管的结构，此结构包括一垂直半导体鳍状体、一栅极介电层、一栅极电极与一源极与一漏极。半导体鳍状体位于一基材上方，基材包括有覆盖于一蚀刻终止层上方的一第一绝缘层，第一绝缘层于半导体鳍状体底部形成一底切，栅极介电层位于半导体鳍状...

本实用新型是提供一种覆晶封装的焊垫。其中该焊垫适用于集成电路芯片且设置于集成电路芯片的边角或全部表面。在此，该焊垫具有多个沟槽于其上，且该沟槽的延伸方向大抵正交于芯片中心的放射方向。

一种半导体沟槽隔离结构含有一基底以及一沟槽形成其中。此沟槽中内衬有一含氮（ｎｉｔｒｏｇｅｎ－ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ）内衬层并以一介电材料填入其中。该含氮内衬层较佳与邻接沟槽的有源区上的组件（例如晶体管）接触。

本实用新型提供一种形成于半导体基底上的组件或电路，其中该基底包括晶格常数不同的第一、第二半导体材料。一第一晶体管，包括相对邻接于源极以及漏极区的沟道区，且至少部分的源极以及漏极区形成在第二半导体材料中以于该晶体管中形成晶格失配区（ｌａｔ...

本实用新型揭示一种半导体装置，包括一电阻器，形成于一半导体层中，例如一位于绝缘层上有硅层（ＳＯＩ）基底上方的硅层；一本体区，形成于一部分的半导体层中并掺杂有一第一导电性（例如ｎ型或ｐ型）；一第一接触区，形成于半导体层并邻近本体区，其亦掺...

本实用新型提供一种高压组件，包括一基底、第一及第二井区、栅极、以及第一、第二及第三掺杂区。基底具有一第一型导电性；第一及第二井区形成于基底中，分别具有第一及第二型导电性；栅极形成于基底上；第一及第二掺杂区均具有第二型导电性，分别形成于第...

本实用新型揭露一种多重栅极晶体管，其包括一半导体鳍片形成于部分半导体块材基底上，一栅极介电质覆盖于部分半导体鳍片上，且一栅电极覆盖于该栅极介电质之上；一源极区与一漏极区相对形成于邻近栅电极的半导体鳍片上。于较佳实施例中，栅电极的底部表面...

一种铜金属镶嵌结构，先在基材上依序形成介电层与蚀刻终止层，再于介电层与蚀刻终止层中形成金属插塞。接着，形成另一介电层于蚀刻终止层上，定义出后续形成铜金属层的开口结构。随后，形成介电阻障层于开口中，并利用回蚀刻将开口底部的部分介电阻障去除...