一种半导体组件制造系统，包括一制程腔室、一温度控制次系统以及一热力补偿次系统，其中温度控制次系统具有一制程次系统加热组件藉以产生一制程温度曲线。上述热力补偿次系统包括一温度传感器、一补偿热力控制单元以及一补偿加热组件，其中温度传感器用以...

本实用新型提供一种ＣＭＯＳ组件，其结构包括将闸极电极设于基底上，将源极／汲极设于闸极电极两侧的基底中，将应力缓冲衬层顺应性地配置于闸极电极两侧且部分延伸至基底表面，并将应力层设于闸极电极、应力缓冲衬层和源极／汲极上，且与应力缓冲衬层接触...

本实用新型是一种半导体基板的快速高温处理的装置，该装置包括一热源与一反射器，该热源提供快速高温处理的辐射热能，该反射器将该辐射热能予以反射，并将反射的辐射热能导至半导体基板的背面。本实用新型的效果在于热源发出的辐射热能被导至半导体基板的...

一种智能标签罩体。模制罩体用以对于数据卡进行支承，并且由数据卡与设置在工作站的双向接收器／传送器之间进行通讯传输。智能卷标为小型电池，由此智能标签对于具有液晶显示器的微电脑、双向机电通讯装置进行操作。智能标签罩体包括电池容室与电池容室盖...

本实用新型是一种半导体封装物，包括：一封装基板，具有第一热膨胀系数且于该封装基板的表面上具有至少一接垫。此外，上述半导体封装物包括一集成电路晶片，由一半导体晶圆所形成，其中该集成电路晶片包括多个电子装置，形成于该集成电路晶片内以及至少一...

本实用新型揭示一种具有良好界面附着性的迭层结构。此迭层结构包括一基底、一绝缘层、及一交联作用区。绝缘层形成于基底上。交联作用区是藉由一电子束制程形成于部分的基底中及部分的绝缘层中，且邻近基底及绝缘层的界面。

一种集成电路的多层金属内导线，其较低层金属层为第一极低介电常数材料、中间层金属层为第二极低介电常数材料、上层金属层为低介电常数材料，以提供良好的电性与机械性。

一种多层半导体晶片结构，定义有闲置区域，其为限制测试键设置的区域，第一切割道与第二切割道为定义一芯片的转角点，且第一切割道与第二切割道为一多层结构，且多层结构中的至少一层为低介电常数的介电层。一闲置区域为定义于该第一切割道上，且该闲置区...

一种半导体集成电路，包括一基底与多个微电子组件，每个微电子组件包括一图案化特征（ｐａｔｔｅｒｎｅｄ　　ｆｅａｔｕｒｅ）于该基底上，其中该图案化特征（ｐａｔｔｅｒｎｅｄ　　ｆｅａｔｕｒｅ）包括至少一电性接触窗，此集成电路也包括多层内联机层...

一种内连线错误的改善图案。此内连线错误的改善图案应用于金属层／介电层／金属层的结构，在其中一金属层的其他区域加上辅助图案，利用这些辅助物所造成的热应力梯度来集中金属层中的空缺，从而克服了现有技术的缺陷，可有效防止用以连接两金属层的中介插...

一种铜制程焊垫结构。此铜制程焊垫结构包含第一保护层、第二保护层以及多个焊垫。第一保护层与第二保护层覆盖于半导体基材的最上层铜金属内连线之上，且具有多个开口，使露出最上层铜金属内连线表面。而焊垫形成于第一保护层的开口上方，并与最上层铜金属...

本实用新型提供一种半导体装置，包含一半导体基底，所述半导体基底上形成有一低介电常数介电层；及一经等离子体处理改质表层，形成于所述低介电常数介电层表面上，用以降低所述低介电常数介电层表面的应力。

一种半导体装置，包括：一基底、一第一外延层、一第二外延层、一第三外延层、一第一沟槽与一第二沟槽。该第一外延层位于该基底上且与该基底晶格不相称。该第二外延层位于该第一外延层上且与该第一外延层晶格不相称。该第三外延层位于该第二外延层上且与该...

本实用新型涉及一种用以测试浅沟槽填洞的测试区域设计。具体为一浅沟槽填洞的测试图案，包括：一测试区域，其中该测试区域包括一外边，以定义出一第一内部区；及一测试图案，其中该测试图案是位于第一内部区中，该测试图案是由一浅沟槽形成，以供作测试浅...

一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：位于基底上的高介电常数栅极介电质，以及位于该栅极介电质上的栅极电极，且栅极介电质突出于栅极电极外。栅极的每一侧形成有深源极和深漏极，其具有浅延伸区。深源极与深漏极区通过选择性原位掺杂外延法或离子注...

本实用新型提供一种半导体装置。该半导体装置具有一个上层金属化层以及一个电连接至上层金属化层的下层金属化层。本实用新型的制造方法为先在下层金属化层上形成一个薄停止层，该薄停止层的厚度小于３００埃，较佳为１００埃，其中，用来移除光刻胶和刻蚀...

本实用新型提供一种集成电路元件，包括：具有至少存储器单元区与至少周边电路区的基底；多个绝缘结构位于存储器单元区中；多个主动区，每个主动区皆位于多个绝缘结构的邻近处间；以及多层栅极电极层，每层栅极电极层皆位于多个绝缘结构的邻近处间且位于所...

本实用新型涉及一种化学机械研磨装置，适用于研磨一晶圆上的一材料层，其包括一底座、数个研磨头、数个研磨垫、一度量器以及一控制器。该研磨头是设置于该底座之上，用以支承该晶圆。该研磨垫是设置于该底座之上，用以研磨该材料层。该度量器是设置于该底...

本实用新型是一种金属导线结构，包括：一半导体基底；多层介电层，层叠于半导体基底上；至少两上层导线片段，沿第一方向延伸，且位于介电层中的同一层内；以及至少一下层导线片段，沿第一方向延伸，且位于上层导线片段下方的介电层中，并经由至少两接触插...

本实用新型是关于一种静电放电保护电路，是适用于一通讯领域的高频集成电路中，主要特征是在于本新型可以藉由将一用以滤波的晶体管的漏极或源极一端浮接（Ｆｌｏａｔｉｎｇ），使其可以藉由内部的寄生双载子接面（ｂｉｐｏｌａｒ　　ｊｕｎｃｔｉｏｎ）导...