本实用新型公开了一种晶圆基座，用于一等离子体反应室中承载一晶圆，包含一具有一第一宽度的绝缘本体以及一具有不大于第一宽度的一第二宽度的导体层，且第二宽度不小于晶圆的直径，而导体层埋设于绝缘本体中。

本实用新型提供一种具有晶格不相称区的应变沟道晶体管结构。此晶体管结构包括一具有应变沟道区的基底，该基底包含第一自然晶格常数的第一半导体材料，于一表面，一栅极介电层覆盖此应变沟道区，一栅极电极覆盖此栅极介电层，且一源极区与漏极区位于此应变...

本实用新型提供一种具有覆盖层的熔丝，包括：一半导体基底，该半导体基底上有一金属内连线及一熔丝；其特征在于，一包含有一第一介电层、一停止层及一第二介电层所组成的覆盖层设于该半导体基底、该金属内连线及该熔丝的表面上；一金属焊垫设置于该覆盖层...

一种具有多重栅极及应变的沟道层的晶体管的结构包括由垂直型半导体层构成的源极、漏极和沟道区所构成的晶体管，以及用以使沟道区中具有一应变的应力层。其中，栅极绝缘层位于垂直型鳍形半导体层的沟道区表面，栅极电极位于栅极绝缘层上，并包覆对应于沟道...

一种高品质因子的电感，包括：一基底；一介电层，具有一空气隙，位于上述半导体基底上；一支撑柱，位于上述空气隙中；以及一金属线圈，位于上述空气隙中，并且借由上述支撑柱来支撑。本实用新型金属线圈以空气隙代替二氧化硅，可以大幅降低寄生电感。

本实用新型提出一种应变半导体覆绝缘层型基底的结构。首先提供一标的晶片和一施体晶片，施体晶片包括一主体半导体基底和位于其上的一应变半导体层，其中主体半导体基底的晶格常数不同于半导体层的自然晶格常数。接着将施体晶片黏着标的晶片的表面后，将应...

本实用新型是关于一种半导体组件，其结构包括：一累积模式（ａｃｃｕｍｕｌａｔｉｏｎ　　ｍｏｄｅ）多重闸晶体管，其中上述累积模式多重闸晶体管包括：至少一半导体鳍部，位于一绝缘层上，其中该半导体鳍部分别含有具有第一掺杂类型之一源极、一汲极以及...

本实用新型提供了一种新的微小线宽金属硅化物结构，其包括：一基底；二柱状间隔物，设置于基底表面；一硅层，设置于上述柱状间隔物表面且填满两柱状间隔物的间隔区域；以及一金属硅化物层，设置于所述硅层表面。

本实用新型提供了一种可去除半导体晶片表面铜氧化物及水气的系统，其包括：超临界二氧化碳装置，提供超临界二氧化碳流体；反应前处理装置，添加助溶剂于所述超临界二氧化碳流体中及用以提升添加有助溶剂的超临界二氧化碳流体温度；反应腔体，提供一半导体...

本实用新型揭示一种半导体装置，其包括一不含氮的介电抗反射结构以及一不含氮的氧化硅层。不含氮的介电抗反射结构是设置于一基底上方，而不含氮的氧化硅层是设置于不含氮的介电抗反射结构上方，用以作为一保护层，且其折射率在１．４到１．７的范围。

本实用新型涉及一种清洗多孔材料的装置，至少包括：一流体储存槽，用以储放一流体；一泵，其中该泵连接该流体储存槽，且该泵提供具不同压力的该流体；一处理反应室，其中该处理反应室连接该泵，且该处理反应室用以放置并清洗该多孔材料；以及一终点检测器...

本实用新型涉及一种半导体元件。所述半导体元件，包括工作元件、位于工作元件上的绝缘层、位于绝缘层中至少一导线及位于绝缘层和导线上的覆盖层。覆盖层为非导电性，且包括至少一第一金属元素。此非导电的覆盖层包括位于导线和导线间的绝缘层上的第一金属...

一种反熔丝型存储器组件的结构，其包括：一金属硅化物层、一第一型导电层于金属硅化物层上、一反熔丝层于该第一型导电层上、以及一第二型导电层于该反熔丝层上。依本实用新型的结构，由于其比现有技术减少一多晶硅层，故其多晶硅和硅化物层的总体阻质较低...

一种绝缘层上有硅芯片的鳍状元件，包含硅基材、覆盖于硅基材上的绝缘层、具有鳍状结构的硅控整流体与闸极层，该硅控整流体的宽度能使其结构中形成一非空乏区域。本实用新型另一种鳍状元件包含硅基材、覆盖于硅基材上的绝缘层、具有鳍状结构的硅控整流体、...

一种晶片装载室，包括一腔体、一升降台、一伸缩轴以及一蒸气捕捉装置；腔体包括一底表面；升降台是设置于腔体之内；伸缩轴包括一上端及一下端，上端是连结于升降台，下端连接于底表面，其中一润滑剂涂覆于伸缩轴之上；蒸气捕捉装置可防止润滑剂产生的蒸气...

一种快速排水清洗槽，至少包含槽体与一个导流板。其中，此槽体的底部至少包括一个排水孔，且导流板固定在排水孔上方的槽体内。此导流板可用以将槽体内的流场从大喷流转变成小喷流，而消除晶圆粘贴效应。

一种绝缘体上半导体（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ－Ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ；ＳＯＩ）芯片，其提供平台隔离（Ｍｅｓａ　　Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）设置于硅膜覆盖的绝缘体上半导体芯片的一部分上，用以隔离硅膜。本实用新型的隔离结构更可包含传输系统的隔...

本实用新型是关于一种具有高介电常数栅极介电层的半导体组件，其结构包括：一半导体台地，位于一平整的半导体基底上；一高介电常数栅极介电层，位于上述半导体台地上；以及一栅极导电层，位于上述高介电常数栅极介电层上，而上述半导体台地与半导体基底交...

本实用新型揭示一种整合蚀刻后续清洁制程（ｐｏｓｔ－ｅｔｃｈｉｎｇ　　ｃｌｅａｎｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓ）与沉积制程所形成的半导体装置，其包括一基底、一低介电常数材料层、以及一内联机结构。低介电常数材料层是设置于基底上方，其具有至少一镶嵌开口...

本实用新型是提供一种应用于化学机械研磨装置之中的预热装置。化学机械研磨装置是至少包含转盘和研磨垫，而转盘的上表面紧密地结合此研磨垫。本实用新型所揭露的预热装置至少包含一摩擦元件，此摩擦元件是借着悬吊元件而置于该研磨垫的上方。当摩擦元件与...