一种大晶片清洗装置，至少包括一履带，围成一封闭带状区域；一滚轮，位于履带所形成的封闭带状区域中的两侧，并且与履带耦接并且撑住履带，使履带能有一撑平的表面；支撑装置，位于履带所形成的封闭带状区域之中，用来支撑大晶片，此外在大晶片周围还可以...

一种在一基底上制造一电容器的一堆叠底部存储节点的方法包括：在基底上形成一第一介电层；在第一介电层上形成一氮化硅层；光刻及蚀刻第一介电层和氮化硅层直至到达该基底，以形成一接触窗口；在接触窗口形成一导电插塞；在氮化硅层和插塞之上形成一第二介...

一种具有电流增益的单一多晶硅ＤＲＡＭ存储单元，其结构包括：一个深的ｎ井，其位于硅基底中，一个ｐ井，其位于深的ｎ井中，一个栅极结构，覆盖并跨越深ｎ井及ｐ井，此栅极结构包括一层薄的栅极氧化层和一层导电层，以及一个ｎ↑［＋］区域，其位于ｐ井中...

一种制造电容器的叉型下电极的方法，该电容器位于一基底，该方法包括在基底上依次形成第一介电层、氮化物层、第二介电层；对上述各层构图与蚀刻，直到基底露出，形成接触窗开口；在开口中形成导电插塞；对导电插塞旁的第二介电层进行构图与蚀刻以形成两个...

一种在基底上制造双重镶嵌金属内连线以及接触窗开口结构的方法包括：在基底上依次形成第一氧化层、第一氧化物层；图案化并蚀刻第一氮化物层以形成接触窗开口；在接触窗开口及第一氮化物层上形成第二氧化层、光刻胶层；图案化并显影以暴露出与接触窗开口具...

一种电容器的下电极的制造方法包括：在基底上形成绝缘层；限定绝缘层以形成接触窗开口，接触窗开口暴露出基底；在接触窗开口中及绝缘层上形成掺杂多晶硅层；在掺杂多晶硅层上方形成第一非晶硅层；限定掺杂多晶硅层和第一非晶硅层，以形成混合结构；在混合...

一种快闪存储单元，包括形成于基底中的ｐ井及形成于ｐ井上方的栅极结构。栅极结构包括控制栅与浮栅，浮栅通过一层薄介电层与控制栅和半导体基底电隔离。ｎ↑［－］基极邻接栅极结构的第一边缘且延伸至栅极结构下，在ｎ↑［－］基极中且邻接于栅极结构的第...

一种互补式金属氧化物半导体反相器的制造方法，包括在一基底中形成一ｐ－井，以作为反相器的输出端。接着在ｐ－井上形成一栅极，其中栅极具有一第一边缘和一第二边缘。然后，在基底中形成一ｎ型基极，其中ｎ型基极紧邻栅极的第一边缘。其后，在ｎ型基极中...

一种电容器制造方法，包括多重物，氮化物层夹于氧化层之间，在交替氧化层与氮化物层的多重物中，开启存储节点接触窗，并停止于接着垫，沿其接触窗侧壁，剥除部分氮化物层，在顶部氧化层上与其接触窗中，形成共形第一即时掺杂多晶硅层，在接触窗中形成一层...

一种低电压快速存储单元及其制造方法，此一存储单元结构包括：一半导体基底；在基底上具有两条相邻的沟槽；覆盖于基底及沟槽上的厚氧化层，此一厚氧化层包括覆盖在两条相邻沟槽之间岛状结构上的薄隧道氧化层；覆盖于基底岛状结构的薄隧道氧化层上具有一浮...

一种ＤＲＡＭ电容器存储电极的制造方法，利用镶嵌的方法来形成存储电极，可以避免存储单元区和逻辑电路区之间的高度差，因此不需平坦化的步骤即可进行后续的制作工艺，可降低制作工艺的风险，还有，在不影响布局的情况下，利用绝缘间隙壁来将多晶硅层图案...

一种表面平坦化的方法，其为在进行化学机械研磨法平坦化半导体晶片的表面之前，在绝缘层上方涂覆一层旋涂式玻璃，并进行热烘烤步骤，使半导体晶片表面较为平坦，再以化学机械研磨法研磨半导体晶片表面，此法将可以改善现有技术中半导体晶片因表面上元件分...

一种降低随机存取记忆体的周边接触窗高宽比的方法，包括下列步骤：ａ、形成多晶硅层、电容及一氮化物层于一半导体基板上；ｂ、再沉积一多晶硅层；ｃ、沉积一氧化物层于步骤（ｂ）的多晶硅层上；ｄ、显影一第一光阻层于氧化物层的预定位置；ｅ、蚀刻未受光...

本发明提出一种晶片缺陷检查及特性分析的方法，以检查工具与特性分析工具的两坐标系统的一坐标转换矩阵来准确地在两坐标系统中转换传递晶片缺陷坐标位置，因此特性分析工具可准确地驱动至缺陷位置并分析缺陷特性。在一晶片进行标准工艺前先形成用以定位对...

本发明揭示一种制造具有近环绕（ｑｕａｓｉ－ｓｕｒｒｏｕｎｄｉｎｇ）闸极的绝缘层上有矽（ＳＯＩ）的半导体装置的方法；根据本发明的方法，可得到一种ＭＯＳＦＥＴ半导体装置，其闸极电极几乎包围整个通道区域，而达到体积反转（Ｖｏｌｕｍｅ－ｉｎｖｅ...

一种利用弹性体电镀掩模做为芯片级封装的方法，其特征在于包括： 提供一晶圆，该晶圆上已形成一焊垫； 在该晶圆上覆盖一护层，该护层大致暴露出焊垫； 在该护层上形成一弹性体层，该弹性体层的一开口大致对应于焊垫；以及 形...

本发明提供一种接合垫的构造及其制造方法，适用于具有介电层的半导体基底表面，上述接合垫的构造包括：一顶部金属垫，形成于上述介电层上方；以及复数个金属支撑物，镶嵌于该介电层，并且形成于该顶部金属垫的底面。根据本发明的接合垫构造及其制造方法，...

本发明提出一种经由网络进行远程检视掩模布局图的方法，包括下列步骤。首先储存掩模布局图至看图计算机，此看图计算机安装有绘图软件；自客户计算机经由第一网络登入网站服务器，此网站服务器安装有基于网络通讯协议的图形操作接口仿真器；自网站服务器经...

一种研磨剂分布系统，在其研磨剂输送管路上，设置有多个可调式开关装置，经调整上述各个开关装置的组合运作，而得以在上述研磨垫上，获得所需的研磨剂分布状态。此外，还公开了应用上述研磨剂分布系统的化学机械研磨设备。

本发明公开了一种具有深井区结构的静电放电（ＥＳＤ）防护组件及相关的ＥＳＤ防护电路，ＥＳＤ防护组件设于一耦合至一相对低电压源的Ｐ型基底上，其包含有一侧向硅控整流器及一深Ｎ型井，侧向硅控整流器有一ｐ型层、一Ｎ型层、一第一Ｎ型井以及一第一Ｐ型...