一种闸极组件及其制造方法。为提供一种使ＭＯＳ晶体管配合组件尺寸缩小化、提高组件积集度及性能的半导体组件及其制造方法，提出本发明，闸极组件包括包括基底、形成于基底表面的高介电常数的闸极介电层、形成于闸极介电层表面的闸极、形成于闸极的侧壁低...

本发明提供一种适用于半导体基底的镶嵌式铜金属内联机的制作方法，包括下列步骤：首先上述半导体基底上形成一介电层；于此介电层上，以三甲基硅甲烷、四甲基硅甲烷、Ｏ＃－［３］、及Ｈｅ经化学气相沉积法形成一研磨控制层；于研磨控制层上形成一抗反射层...

本发明提供一种形成隔离装置的方法，是一种在具有变形硅（ｓｔｒａｉｎｅｄ－Ｓｉ）层的硅锗（ＳｉＧｅ）基底上形成隔离装置的方法；首先，提供一半导体基底，此半导体基底为硅锗基底，在半导体基底表面依序形成一第一垫层及硬罩幕层；接着，微影并蚀刻形...

一种分离闸极快闪存储装置及其制造方法，该装置包括一基底、一浮接闸极、一控制闸极及一阶梯垫；其中，浮接闸极位于基底上方且与基底绝缘；控制闸极位于浮接闸极上方且与浮接闸极绝缘；阶梯垫则位于基底上且与基底连接并邻近浮接闸极，当进行写入动作时，...

一种分离闸极快闪存储装置及其制造方法，该装置包括一基底、一浮接闸极、一控制闸极及一注射尖嘴；其中，浮接闸极位于基底上方且与基底绝缘；控制闸极位于浮接闸极上方且与浮接闸极绝缘；注射尖嘴与基底连接并邻近控制闸极，当进行写入动作时，热电子系经...

一种高密度堆叠金属电容元件的制造方法，包括下列步骤：（ａ）提供一镶嵌有第一金属区块的半导体基底，该基底部分表面露出有该第一金属区块之上表面；（ｂ）全面性地在该半导体基底上方形成第一介电层；（ｃ）选择性地除去该第一介电层，形成露出该第一金...

一种含碳介电层的制造方法，其是利用由氧化气体、稀释气体和以烷基硅烷为气体源所组成的反应气体混合物，进行化学气相沉积制程而成。具有降低整体介电层的介电常数的功效。

本发明提出一种集成电路之制造方法，各设计一种前端制程区及后端制程区，分别设置两种制程之设备，再将半导体集成电路分开在前端制程区及后端制程区的两基底上制作，之后再将两者接合，而完成一集成电路芯片制造。根据本发明，一种集成电路之制造方法，包...

一种主动式互补金氧半导体像素装置，包括：一基底、一浮接闸极层及一控制闸极层。其中，基底具有一井区以及位于井区中之第一与第二掺杂区，井区、第一及第二掺杂区均露出基底表面且第一及第二掺杂区相互分离，井区具有一第一极性而第一及第二掺杂区具有一...

一种分离闸极快闪存储器的制造方法，包括以下步骤：提供一基底，该基底中具有一第一掺杂区，其上形成有一具有一凹槽的第一绝缘层，且第一绝缘层中形成有一第一导电层及一浮接闸极层，第一导电层与第一掺杂区电性接触，浮接闸极层则与基底及第一导电层绝缘...

一种晶圆结构，包括晶圆本体以及防护环。晶圆本体上具有复数切割道，藉由上述切割道以形成集成电路区。防护环系设置于集成电路区的周围，而上述导电性防护环系以第一导电性构件以及与上述第一导电性构件具有不同阻抗的第二导电性构件彼此电性连接而形成。

一种嵌入式动态随机存取内存的整合自行对准金属硅化物闸极的制造方法，于半导体基底上依序形成闸极氧化层、第一复晶硅层、第一遮蔽层及第一硬罩幕层并定义形成闸极结构；于半导体基底上形成源／汲极；于半导体基底上形成第二遮蔽层、衬垫层及第一绝缘层以...

一种微探针的制造方法，首先，形成一氧化层于具有一第一面向以及一第二面向的一矽基板的上述第一面向上，然后，形成一第一接触孔及一第二接触孔于上述氧化层中，其中上述第二接触孔小于上述第一接触孔，再形成一导电层于上述第一接触孔、第二接触孔及整个...

一种堆栈闸极快闪存储装置的制造方法，包括以下步骤：提供一基底；在基底上依序沉积一第一及第二沉积层；在第二、第一沉积层及基底中形成一深及基底中的第一凹槽；形成一填满第一凹槽的第一绝缘层；移除第二沉积层而露出第一绝缘层侧壁；蚀刻第一沉积层及...

一种堆栈闸极快闪存储装置的制造方法，包括以下步骤：提供一基底；在基底上形成多个堆栈闸极，每一堆栈闸极包括一第一绝缘层、位于第一绝缘层上的一第一闸极层、位于第一闸极层上的一第二绝缘层、位于第二绝缘层上的一第二闸极层以及位于第二闸极层上的第...

一种汲极内具有缺陷区的静电放电保护结构，至少包括：一半导体基底；一闸极结构，位于该半导体基底表面；一源／汲极，位于该闸极结构两侧的该半导体基底内；以及一缺陷结构区，位于该汲极内。由于位于该汲极内的该缺陷结构区，能够产生大量漏电流，而能增...

一种适用于高频的静电放电电路，其包括一二极管和堆栈的ＮＭＯＳ晶体管串联于接脚垫和电压源之间，或是接脚垫和接地之间，借助二极管具有较小电容，有效降低接脚垫的电容，借助堆栈ＮＭＯＳ晶体管，使其能够承受高电压。

一种快速存储器的浮置栅具有高电容耦合率且可自动对准扩散的制造方法及结构。首先，提供一基底，该基底中具有第一沟槽，以形成一第一绝缘物在该第一沟槽内，且该第一绝缘物突出该基底表面，并在该基底上形成一第二沟槽。其次，于该基底表面形成一第二绝缘...

一种应用于内嵌式存储器逻辑电路的三维空间组件结构及其制作方法，主要是将存储器件形成于凹陷区（硅基板上面）而将逻辑电路形成于凸状区（ＳＯＩ基板上面）；通过在凸状区上形成逻辑电路以增进组件动作的速度，又由于存储器与逻辑电路系分别形成在凹陷区...

本发明涉及一种应力释放的图案组合结构，包含一密封式环圈结构和一应力释放的图案结构，设置于一半导体基板上；密封式环圈结构包括：一外侧密封式环圈，一内侧密封式环圈，设置于该外侧密封式环圈内部，应力释放的网状图案结构包括：三角形网状图案结构，...