本发明的罩幕式只读存储器包括：彼此互相平行的第一埋入式Ｎ型掺杂层和第二埋入式Ｎ型掺杂层、分别与其相对应的第一接触窗和第二接触窗、以及与其垂直的闸极；其中第一埋入式Ｎ型掺杂层的第一端延伸至周边电路区，且第一接触窗配置于此；第二埋入式Ｎ型掺...

一种分闸式快闪记忆胞的选择闸极的制作方法，是于半导体基材的沟渠侧壁形成选择闸极，以缩小选择闸极的横向尺寸并保持信道长度；该选择闸极的制作方法至少包含形成一沟渠于悬浮闸极结构一侧的半导体基材中；形成一间复晶硅介电层于该悬浮闸极结构及该沟渠...

一种黏合式晶圆结构，具有组件层与底材等上下两层。组件层的信晶格方向，而底材的晶格方向则与组件层的晶格方向成４５晶格方向是对齐下层的底材的＜１１０＞晶格方向是对齐下层的底材的＜１００＞晶格方向；运用本发明的黏合式晶圆结构，可具有改善电洞移...

一种半导体组件之金属熔丝结构及其制造方法，其是形成有易于熔断的弱连结部分而不需要增加额外的曝光、蚀刻及沉积等制程；根据本发明，可借由在熔丝蚀刻期间于介电层中蚀刻至少一沟渠以及溅镀一金属层，以在沟渠侧壁产生一或多个具低阶梯覆盖的弱连结部分...

一种应用于氧化硅层均质化工艺的上管治具，适用于四乙氧基硅烷工艺使氧化硅层均质化的方法，其中包括一内炉管上管治具，适用于将内炉管与外炉管作同轴对准。另外尚包括一标准程序，可以轻易的解决以四乙氧基硅烷工艺形成的氧化硅层的均匀度的问题，并可大...

一种栅极介电层的制造方法，是在后续进行栅极氧化层的氮化步骤前，加入一道离子植入的步骤，利用负离子的植入，来中和后续氮化工艺所产生的正电荷累积。如此，不仅可改善因电荷累积所造成集成电路元件中的平带电压（ＦｌａｔＢａｎｄＶｏｌｔａｇｅ；...

一种金属－绝缘体－金属（Ｍｅｔａｌ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ－Ｍｅｔａｌ；ＭＩＭ）电容器的制造方法。本发明的ＭＩＭ电容器的制造方法是借着在平面的金属表面上形成立体杯形的间隙壁结构以增加电容器的电极面积。本发明的ＭＩＭ电容器的制造方法与现今互补...

本发明提供一种ＣＭＯＳ影像感测元件，该元件的布局至少包含：一光二极管区域，一主动区域，及一屏蔽。本发明利用周边电路金属层定义的同时，也对像素区域的主动区域定义一金属屏蔽，从而避免了画素被照光的同时，主动区域上的晶体管也被照光而与晶体管模...

本发明公开一种分离栅极快闪存储单元（ＳｐｌｉｔＧａｔｅＦｌａｓｈＣｅｌｌ）的复晶硅间隙壁（ＰｏｌｙｓｉｃｉｌｉｏｎＳｐａｃｅｒ）的制造方法，其在完成快闪存储单元的分离栅极的主体结构，并在此主体结构上覆盖复晶硅层后，再覆盖一层由氮...

一种记忆性半导体存储器。为提供一种节省芯片上空间、控制闸极的宽度不受光学微影术限制的半导体信息存储装置，提出本发明，它包括半导体基板、相隔设置于半导体基板上的位元区、源极区、信道、浮动闸极、控制闸极、形成于位元区与源极区间的半导体基板上...

本发明涉及一种形成低介电常数材料的方法，首先，提供一半导体基底，半导体基底形成有若干半导体元件，并将半导基底置于一反应室；接着，提供一硅氧气体、碳氢气体及含氧气体的混合气体于反应室中以形成一低介电常数材料层，然后，对低介电常数材料层进行...

本发明公开了一种ｌｏｗ－ｋ介电材料层结构及其制造方法，该介电材料层结构包括：一基底；一多孔性介电材料，设置于上述基底表面；以及一致密介电材料，设置于上述多孔性介电材料之上。其制造方法包括：提供一基底；在一基底上形成一ｌｏｗ－ｋ的多孔性介...

一种超薄氮化硅／氧化硅栅极介电层的制造方法，是利用在一硅基材上，先氧化硅基材形成界面氧化层，再沉积氮化硅层在界面氧化层之上，再以等离子体氮化及等离子体氧化上述的氮化硅层。而热氧化硅基材是利用氧气或Ｎ＃－［２］Ｏ氧化上述的硅基材，以形成氧...

本发明提供具有局部狭缝的金属内连线构造及其制造方法。其构造包括：一下层金属线；一介电层，其位于该下层金属线之上，具有由下方的介层洞和上方的沟槽所构成的双镶嵌开口；以及一金属层，系填于双镶嵌开口内，而形成依于下层金属线上的金属插塞，和位于...

本发明涉及一种分离栅极式快闪存储器，包括：一基底、一隧穿介电层、一浮置栅极、一栅极间介电层以及一控制栅极。其中，隧穿介电层设置于具有一源／漏极区的基底上。浮置栅极设置于隧穿介电层上，且浮置栅极的底角为锐角。栅极间介电层设置于浮置栅极上。...

本发明涉及一种具有伸张应变的信道层的场效晶体管的制造方法，是于单晶硅基底上磊晶一伸张应变的信道层，其中伸张应变的信道层由将原子尺寸较硅小的元素导入单晶硅层中，以取代硅晶格中硅原子的位置而成。接着，于伸张应变的信道层上形成一栅极绝缘层，以...

本发明涉及一种金属垫与接合垫区的结构，设置于一具有电路的半导体基底上，包括：一第一图案介电层，形成于半导体基底上；至少一第一金属垫单元，设置于第一图案介电层内，与基底表面接触，且其侧面具有多个第一突出部与多个第一凹陷部；至少一第二金属垫...

一种无阻障层（ＢａｒｒｉｅｒＬａｙｅｒ）且具有多层种子层（ＳｅｅｄＬａｙｅｒ）的内连线（Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ）工艺与结构。本发明的技术特征在于，具有交互堆栈的合金种子层与纯金属种子层的多层种子层，且工艺中利用热退火（Ａｎｎｅａｌ...

一种具有颈状信道的场效晶体管及其制造方法。本发明的具有颈状信道的场效晶体管是一双栅极金氧半场效晶体管，本发明的场效晶体管至少包括：源极和漏极间的信道，其中此信道为中间细两端宽的颈状结构，藉以避免发生短信道效应，且同时可减少串联信道电阻值...

一种同层形成上层熔丝的半导体及其制造方法。为提供一种蚀刻厚度容易控制、简化制程、便于修复的半导体及其制造方法，提出本发明，制造方法包括在介电层上形成具下导电层、蚀刻停止层及上导电层的导电堆叠层；于上导电层上形成第一光阻层；形成焊接垫上层...