一种抑制分闸快闪存储单元位元线漏电流的方法，上述存储单元由存储单元页为行列元素，每一存储单元页又以分闸快闪存储单元为行列元素，当欲程序化时，选定的分闸快闪存储单元所属的共用源极线施以源极程序化电压，其他的共用源极线施以至少０．５伏的电压...

一种金属层间介电结构，是形成于一半导体基底表面上。半导体基底表面上包括有：复数个金属层，一金属层间介电层，覆盖金属层以及半导体基底的表面至一预定高度，以及一具有高压缩应力的氧化物盖层，覆盖金属层间介电层的表面。其中，金属层间介电层以及氧...

本发明涉及一种去除遮蔽对准标记物质的方法，首先，提供一半导体基底，半导体基底上形成有一遮蔽层，其中半导体基底具有对准标记；接着，于半导体基底上形成一绝缘层，并定义蚀刻绝缘层以形成一浅沟道隔离区；然后，化学机械研磨半导体基底，并以蚀刻液蚀...

一种基极的结构及其制造方法。本发明的基极的结构至少包括多晶硅缓冲层或氮化硅缓冲层。而本发明的基极的制造方法至少包括：形成多晶硅缓冲层或氮化硅缓冲层覆盖基材上的纯氧化层；接着，进行氮化制程，藉以使多晶硅缓冲层或氮化硅缓冲层中具有氮离子；以...

一种Ｌ型字线（ＷｏｒｄＬｉｎｅ）间隙壁的结构及其制造方法，此Ｌ型字线间隙壁应用于制造分离式栅极（ＳｐｌｉｔＧａｔｅ）的闪存（ＦｌａｓｈＭｅｍｏｒｙ）中，利用Ｌ型字线间隙壁与双层介电质间隙壁形成于闪存结构的两侧，不仅可以控制Ｌ型字线...

本发明公开一种栅极结构及其制造方法及具此栅极结构的金氧半导体元件，该栅极结构包括：一作为底层的第一部分多晶硅层，一多晶硅层及一作为顶层的第二部分多晶硅层。该金氧半导体则包括一半导体基底；一栅极氧化层，形成于该半导体基底上；及一多层结构栅...

一种形成栅极和电容之间隙壁的制作方法，此方法的步骤如下：在基板上形成浅沟绝缘区，且在其上依次形成一垫氧化层、一蚀刻停止层和第一氧化层。向下蚀刻出一凹陷区域，在该凹陷内壁沉积第一导体层，移除第一氧化层及蚀刻停止层，并依次形成介电层、第二导...

本发明提供一可减缓差排缺陷的多层结构，根据本发明的结构，首先是于硅基板上，形成一类三明治的多层结构，此多层结构是以硅－锗层与硅层交替形成于硅基板上，利用类三明治结构将差排局限于一区域中，接着在于其上形成一厚硅－锗层和一薄硅层，由于差排缺...

一种评估金属片电阻的方法，包含下列步骤： 选择一既定制程技术等级； 设计一测试内连线布局，其中包含至少一内连线层，且每内连线层布局中包含一系列线宽与一系列线距的交叉汇编； 以该既定制程技术等级制作该测试内连线布局； ...

本发明涉及一种金属电容器的制造方法，该方法首先提供一半导体基底，具有一镶嵌铜结构；然后，在上述镶嵌铜结构上形成一金属层；接著，在上述金属层上形成一金属电容器，其中该金属电容器具有由氮化钽层或氮化钛层所构成的电极层；最后，在上述金属电容器...

本发明涉及一种具有应变平衡结构的ＣＭＯＳ元件及其制造方法，首先提供一绝缘层上有硅层的基底；其次，在此硅层上成长一硅锗层，其中此硅层处于双轴拉伸应变情况之下，而此硅锗层处于双轴压缩应变情况之下，以获得应变平衡结构；接著，在此硅锗层上形成一...

本发明揭示一种金属内连线的制造方法，适用于一半导体基底，其表面上包含有一低介电常数介电层，此方法包括下列步骤：在该低介电常数介电层表面施行一沉积程序，以形成一无氮抗反射层，其中上述沉积程序是以含硅与含氧气体，加上氢气的混合气体作为反应气...

一种利用复合控制模式的研浆流量控制方法及系统，该研浆流量控制系统包括流体计测装置、复合控制器、中央控制装置及输送装置。操作时，利用所述中央控制装置实时比较所述流体计测装置的研浆流量测量值与流量设定值之间的差值，以选用所述复合控制器的闭回...

一种具有气泡消除装置的监测系统，该监测系统包括输送装置、气泡消除装置、流量计装置及中央控制装置。利用中央控制装置控制气泡消除装置的操作，以排除来自输送装置中研浆的气泡，使监测系统的研浆流速趋于稳定。并进一步利用具有稳定流速的研浆，有效维...

本发明公开了一种基体触发的静电放电防护电路，该ＥＳＤ防护电路包含有具有多指结构的一元件、多个的暂态电流检测元件以及多个的反馈线路；该多指结构的元件具有多个指栅极、多个的指源极以及至少一指漏极。该指漏极耦接至一接合焊垫；每一指栅极下均寄生...

本发明涉及一种低介电常数材料的表面处理方法，包括下列步骤：沉积一低介电常数材料于一半导体基底上而形成一介电层；以及施行一氢气的电浆处理程序，以降低介电层的介电常数。

一种消除旁瓣图案的集成电路制造方法，是在原先以定义电路开口图案的第一光阻层上，形成由水溶性负型光阻所构成之第二光阻层。接着，利用光罩对第二光阻层进行曝光，并利用去离子水进行显影，而暴露出需要的电路开口图案，并选择性保留位于不预期之旁瓣开...

本发明公开了一种利用不同介电常数的插塞构成的电容器和晶体管及其制造方法，其中低介电常数的插塞是作为元件隔离用，高介电常数的插塞是做为耦合用，例如电容器介电层或栅极绝缘层；本发明还提供了一种利用热膨胀系数不同于基底的插塞构成的双轴应变的晶...

本发明揭露一种具应变通道层的晶圆的制作方法。首先，提供一具有一多孔硅层的第一基材，进行第一热处理以在多孔硅层表面形成一第一硅表面层。接着，磊晶成长一松弛的硅锗层于第一硅表面层上，在松弛的硅锗层上形成一接合层，再将接合层与一第二基材接合。...

一种集成电路制造方法，是应用水溶性负型光阻在具有填充洞的光罩的光刻制造过程中，利用水溶性负型光阻与原先光阻中酸成分的反应，而在两者的接口间形成固化薄膜。并且，在光刻制造过程后暴露出接触洞的开口但保留填充洞中的水溶性负型光阻材料，但上述的...