本发明公开了一种在半导体底材上制作铜镶嵌（ｄａｍａｓｃｅｎｅ）结构的方法。首先，形成介电层于半导体底材上。并蚀刻介电层，以形成开口图案于介电层中，而曝露出部份半导体底材。接着，进行氮化程序以便在开口图案的表面形成氮化表层，以防止后续铜原...

一种用以量测表面介电常数的探针，其中此探针为一结构膜层以及一绝缘膜层所组成的复合层结构，而此结构膜层系由一第一导电区域、一第二导电区域以及一绝缘区域所组成，而此绝缘区域为连续波形状且位于第一导电区域以及第二导电区域之间，用以隔离第一导电...

一种形成低介电常数介电层的方法，包含形成绝缘层于底层之上，然后刻绝缘层以形成开口于其中。之后形成导电层于绝缘层之上并回填于该开口，且平坦化该导电层，以形成导电结构于其中。扩散导电层的金属离子进入该绝缘层用以降低其介电常数，其中上述导电层...

一种保护接触垫下元件的网目图案介层，该介层为连接上下相邻二层接触垫的网目状介层，形成于半导体基板上方，该网目状介层分为网格架构及网格中空部位两部分，其中网格中空部位为介电层材质，而网格架构为金属导电层；本发明还包括一种保护接触垫下元件的...

一种具有高介电常数的复晶硅栅间介电层的结构及其形成方法，该复晶硅栅间介电层结构至少包括：至少一第一金属氧化层，其中该第一金属氧化层为氧与三价金属所组成的氧化物；至少一第二金属氧化层，其中该第二金属氧化层为氧与三价金属所组成的氧化物；及至...

本发明为一种应用于半导体晶片的双封闭护环结构，至少包含：半导体晶片，其内部包含元件及内部电路；复数层介电层，位于上述半导体晶片之上；可防止水气、氧气侵入的内侧封闭护环，位于该复数层介电层中，并位于该半导体晶片的外缘区域，封闭环绕上述元件...

本发明为一种利用图案化金属结构增加氮化硅表面粘着度的方法，通过在护层，特别是氮化硅层，表面形成一些图案化金属结构（ｍｅｔａｌｐａｔｔｅｒｎｅｄｓｔｒｕｃｔｕｒｅ），制造出粗糙化表面的效果，以此增加护层与随后形成于其上的底部封胶间的粘着...

本发明为一种制作双栅极（ｄｕａｌ　ｇａｔｅ）结构的方法，不同于以往以氧化硅及多晶硅作为栅极材料，选择以高介电材料做为栅极介电层，以金属作为栅极导电层。在完成以氧化硅及多晶硅作为栅极材料的元件的制作后，保留作为输出输入（Ｉ／Ｏ）元件的部分...

一种无接触区形成于存储单元区的分栅快闪存储单元阵列结构，形成于半导体基板之上，其至少包含：复数个隔离区块，以阵列排列方式形成于该半导体基板上；复数个快闪存储单元，每一该快闪存储单元包含浮置栅极，以阵列排列方式形成于该半导体基板上，且位于...

一种螺旋电感内含垂直电容的结构，包含一多层导线以直立方式环绕的螺旋电感，及复数个直立式电容形成于电感线圈之内，借以改善半导体基板平面面积之利用，且由于二个以上电容形成于电感内部，涡电流因被阻断，故能量损耗低。

一种使用源极沟渠的分离栅极式快闪存储器元件制作方法，至少包括下列步骤：形成栅极氧化层于一半导体底材上；形成浮置栅极堆叠于该栅极氧化层上表面，其中该浮置栅极堆叠包括了下层的浮置栅极与上层的绝缘层；形成层间介电层于该栅极氧化层、与该浮置栅极...

本发明揭露一种ＳＯＩ金氧半场效电晶体，其包含一半导体基板、一层埋层氧化矽层、一矽层，并包含复数个浅渠沟隔绝区域、一母体、一源极、一汲极、与一母体接触窗区域，其皆位于所述矽层中，其中所述母体接触窗区域位于所述源极的同一侧并且与所述通道区域...

一种形成黏性强化层于铜层与蚀刻停止层间的方法，其至少包含下列步骤：形成一黏性强化层于铜层之上，其中此铜层位于一半导体基底上，而此黏性强化层的形成方法包会以氮气、氧气、氮气与烷基矽烷的混合气体、或烷基矽烷为反应气体，利用电浆增强式化学汽相...

一种在绝缘体上硅材料基板上制作上接触插塞的方法，以改善传统由半导体底部执行偏压或接地所造成封装过程中产生缺点的方法。首先在ＳＯＩ基板上形成浅沟渠隔离结构，接着依序蚀刻此浅沟渠隔离结构与绝缘体，以形成上方接触开口，曝露出ＳＯＩ基板矽底材的...

阻绝气体释放及凸出结构产生的双镶嵌方法，包含蚀刻抗反射层、第二低介电常数介电层、第二蚀刻停止层、第一低介电常数介电层以形成一沟渠于上述膜层之中。之后，沉积一阻障层沿着沟渠的表面以及抗反射层之上。定义一光阻图案于阻障层上表面，再使用光阻图...

一种铜金属化制作工艺的低电阻值阻挡层的制造方法，利用改变物理气相沉积法或化学气相沉积法中的含氮反应气体流量，使所沉积的氮化钽薄膜中所含有的氮原子浓度由底面向表面递减，而形成表面为钽金属结构的氮化钽阻挡层。应用此铜金属化制作工艺的低电阻值...

一种具有高介电常数与低漏电流特性的金属电容器。位于一基底上的该金属电容器，自基底依序往上至少包括有第一金属层，具有高能隙特性的第一介电层，具有高介电常数的第二介电层，具有高能隙特性的第三介电层，以及第二金属层。

本发明公开一种对准标记（ＡｌｉｇｎｍｅｎｔＭａｒｋ）的制造方法，其是在例如铝铜合金的上层金属层（ＴｏｐＭｅｔａｌＬａｙｅｒ）上先形成内金属介电（Ｉｎｔｅｒ－ＭｅｔａｌＤｉｅｌｅｃｔｒｉｃ；ＩＭＤ）层，再形成一层例如氮化钛（Ｔｉｔ...

一种降低铜制程化学机械研磨的缺陷与研浆残留的方法。此方法包含，利用研浆进行晶片研磨，再利用去离子水研磨及清洗晶片的表面，再将晶片升起，以去离子水由下向上的方向清洗晶片的表面消除晶片表面的研浆残留，降下晶片并利用去离子水再次研磨及清洗晶片...

一种集成电路的虚拟图案，是在铜制程中，制作虚拟导线以连接虚拟区域与组件的铜金属内联机，借以利用构成虚拟图案的铜金属材料的牺牲，来改善一般暴露于介电层表面的铜金属内联机或插塞结构的腐蚀现象；其中，上述的虚拟区域需具有较大的面积，因此可利用...