一种半导体制程等待时间限制下的派工控制方法，其实施于一具有输入单元及运算单元的电子计算机及一运送系统，用以决定复数晶圆产品中那一种能送进一制造系统，此方法包括下列步骤：　　　　由该输出入单元接收每一种晶圆产品的一相对产量及一等待时间限制...

本发明提供一种具有覆盖层的熔丝及其形成方法，首先提供一具有内连线及熔丝结构的基底，在基底上形成由第一介电层、停止层及第二介电层组成的覆盖层，在覆盖层上形成一露出内连线表面的第一开口，第一开口上形成有突出覆盖层表面的金属焊垫，并在金属焊垫...

本发明涉及一种ＣＭＯＳ元件，其结构包括将压缩或拉伸应力材料层设于ＰＭＯＳ晶体管表面，并将拉伸应力材料层设于ＮＭＯＳ晶体管表面。本发明并提供上述的ＣＭＯＳ元件的制造方法。

一种制作接触孔于硅化镍层上方的方法，其特征在于，包括：　　　　提供一基底，其表面具有一硅化镍层；　　　　依序形成一蚀刻缓冲层与一蚀刻终止层于所述硅化镍层表面；　　　　形成一内层介电层于整个基底表面；　　　　图案化所述内层介电层，以形成一...

一种低介电常数层的制造方法，利用等离子体处理已形成的低介电常数层，之后再进行一道去除步骤。其中，此去除步骤借以去除低介电常数层表面形成的致密层。去除步骤可利用例如化学机械抛光法、氩气溅射法、氟化氢气体工艺、湿式蚀刻法或干式蚀刻法等。

一种具有多重闸极及应变的通道层的晶体管，其特征在于所述晶体管包括：　　　　一基底；　　　　一垂直型鳍形半导体层位于该基底上，该垂直型鳍形半导体层具有一源极、一汲极以及位于该源极和该汲极之间的一通道区，且该垂直型鳍形半导体层中具有一应变；...

一种增加原子层沉积速率的方法。首先，提供一基底于一原子层沉积反应室中，通过第一反应气体入口导入第一反应气体，使第一反应气体化学吸附于基底上；然后，导入惰性气体来吹净原子层沉积反应室内部，但仍残留部分第一反应气体于原子层沉积反应室中；接着...

一种具有多重栅极晶体管的静态随机存取存储单元，其特征在于所述静态随机存取存储单元包括：　　　　一下拉晶体管，具有一第一栅极电极、一第一岛状半导体层、以及位于该第一栅极电极两侧该第一岛状半导体层中的一第一源极和一第一漏极，ｍ条形第一开口位...

一种浅槽与深槽隔离结构的制造方法，至少包括：　　　　提供一基材；　　　　于该基材上形成一浅槽，其中该基材上已形成有一第一介电层，并暴露出该浅槽；　　　　形成一第二介电层以填满该浅槽并覆盖该第一介电层，其中该第二介电层具有一厚度；　　　　...

一种双闸极介电层的制造方法，其特征在于，它包括下列步骤：　　　　提供一半导体基底，该半导体基底具有一第一区块及一第二区块；　　　　在该半导体基底上形成一第一高介电常数材料介电层；　　　　对该第一高介电常数材料介电层的表面进行一回火步骤，...

一种接合垫区的结构，适用于一半导体基底上，用以打线制作接脚（ｗｉｒｅ　ｂｏｎｄ）于接合垫表面，其特征在于包括：　　　　一图案化介电层，形成于所述半导体基底表面；　　　　一顶部金属层，具有复数开口，且设置于所述图案化介电层内，使所述开口内...

一种Ｒｕｎｃａｒｄ情况下半导体设备的污染控制方法，首先，接收一Ｒｕｎｃａｒｄ，并取得执行母批货的设备机台的污染状态。若污染状态并非为后端共享时，则设定相应执行Ｒｕｎｃａｒｄ的制程定义与制程阶段的污染状态为执行母批货的设备机台的污染状态。...

一种多重栅极结构，其特征在于所述多重栅极结构包括：　　　　复数个鳍型半导体层，沿一第一方向平行地排列，且由复数个位于一绝缘层上的绝缘台地所支撑，其中该鳍型半导体层的底面大于与该绝缘台地的接触面；以及　　　　一栅极导电层，沿一第二方向延伸...

一种整合型晶体管，其特征在于所述整合型晶体管包括：　　　　一基底，上述基底包括一半导体层与位于上述半导体下的一绝缘层；　　　　一多重栅极晶体管，设置于上述基底上，包括：　　　　一鳍形半导体层，位于上述绝缘层上，其中上述鳍形半导体层具有一...

一种半导体制造的Ｒｕｎｃａｒｄ管理系统，包括一制程定义管理单元、一接收单元、一Ｒｕｎｃａｒｄ处理单元、与一制程定义发行单元。制程定义管理单元记录至少一原始制程定义。接收单元接收相应一Ｒｕｎｃａｒｄ的未加工数据，并将未加工数据储存至制程定...

一种可使用于低驱动电压下的铁电电容制造方法，该方法至少包括：　　　　形成一下电极；　　　　形成一缓冲层于该下电极上；　　　　形成一由钛酸铅锆与铂共同组成的铁电层于该镍－镧氧化物缓冲层之上；　　　　　执行一退火工艺，结晶化该钛酸铅锆与铂共...

一种旋转湿制程，至少包括如下步骤：　　　　将一基板置于一旋转台上，其中该旋转台具有一加温设备，且该加温设备使该基板达到一第一温度；　　　　使该旋转台进行旋转，并藉以带动位于该旋转台上的该基板；　　　　喷洒一化学品至该基板的表面。

一种制程反应室的定压控制方法，其通过一ＰＩＤ控制器控制第一调压阀和至少一第二调压阀，对该制程反应室执行一第一预定压力控制，且第一调压阀的反应时间比第二调压阀的反应时间较长，其特征在于：该定压控制方法至少包含：　　　　该第一调压阀提供该制...

一种栅极接触窗的形成方法，包括下列步骤：　　　　提供一半导体基底，该半导体基底上形成有一多晶硅栅极，该多晶硅栅极上形成有一金属硅化物层，且该金属硅化物层及该半导体基底表面上顺应性形成有一停止层；　　　　依序在该半导体基底上形成一介电层及...

一种改善阻障层的覆盖均匀性的方法，其特征在于包括下列步骤：　　　　提供一介电层，该介电层形成于一半导体基底表面上，其中该介电层内具有一沟槽；　　　　于该双镶嵌沟槽及该介电层表面上形成一阻障层；及　　　　对该阻障层进行再溅击步骤以均匀该阻...