一种使用无氮介电蚀刻停止层的半导体制程，包括下列步骤：　　　　提供一半导体基底；　　　　依序形成一第一蚀刻停止层及一第二蚀刻停止层于该半导体基底上，其中该第二蚀刻停止层是为一无氮介电材料（Ｎ－ｆｒｅｅ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）的蚀刻停止层...

一种可去除半导体晶圆表面铜氧化物及水气的系统，其特征在于，它包含：　　　　一超临界二氧化碳装置，以提供超临界二气化碳流体；　　　　一反应前处理装置，以添加助溶剂于该超临界二氧化碳流体中及用以提升该添加有助溶剂的超临界二氧化碳流体温度；以...

一种穿隧偏压金属氧化物半导体晶体管（ＴＢＭＯＳ），可应用在传统本体（Ｂｕｌｋ）基材或部分空乏绝缘层上覆硅（ＰＤ　　ＳＯＩ）基材中，用来在栅极与基材之间形成穿隧连接（Ｔｕｎｎｅｌ　　Ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）。本发明所述晶体管中的栅极座具有稍...

一种多重闸极介电层的制造方法，包括：　　　　提供一半导体基底，该半导体基底表面具有一原生氧化层，该半导体基底包含一高效能组件区和一低漏电流组件区；　　　　于该半导体基底上沉积一高介电常数介电层，该高介电常数介电层的介电常数大于８；以及　...

一种金属镶嵌的制造方法，该制造方法至少包括下列步骤：　　　　于一基础层上方依序沉积一蚀刻终止层与一介电层；　　　　于该介电层与该蚀刻终止层中形成一开孔；　　　　其特征在于：该方法还包括以下步骤：　　　　于该介电层表面与该开孔侧边及底部沉...

本发明公开了一种新的微小线宽金属硅化物及其制作方法。首先，于基底表面形成一间隔层；接着，图案化该间隔层，以于间隔层中形成一开口，同时去除开口两侧以外的间隔层；接着，于整个基底表面全面性形成一多晶硅层，不仅填满开口内部，且覆盖于开口两侧的...

本发明提出一种具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管及其制造方法。本发明的具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管包括一绝缘层和多个岛状的应变硅主动层。其中，岛状的应变硅主动层设于绝缘层之上，且岛状的应变硅主动层彼此分隔。

一种高品质因子的电感，适用于一基底，包括：一介电层，形成于基底上方，其具有一空气隙；一支撑柱，形成于空气隙中；以及一金属线圈，形成于空气隙中，并且借由支撑柱用以支撑。

一种磁阻式随机存取存储器电路，包括下列组件：磁阻式存储单元，具有固定磁轴层、自由磁轴层，以及设置于固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层。第一开关装置是耦接于固定磁轴层的一端，并具有第一控制闸。第二开关装置是耦接于自由磁轴层，并具有第二控...

一种半导体结构的制造方法，其在部分的闸极介电薄膜上形成金属闸极后，利用例如热处理（Ｔｈｅｒｍａｌ　Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）的方式使位于金属闸极下方的闸极介电薄膜转变成高介电常数（Ｈｉｇｈ－ｋ）介电层。如此一来，即可顺利地将闸极介电薄膜转化形...

本发明提供一种增加信道载子流动性的结构，结构包括一复合半导体基底、一闸极、一源极区及一汲极区、一金属硅化物层及一拉伸应力层；其中，复合半导体基底由一第一硅基底层、一第一硅锗基底层、一第二硅锗基底及一第二硅基底层所组成，第二硅基底层形成于...

一种半导体鳍式元件的接触窗（Ｆｉｎ　　Ｄｅｖｉｃｅ　　Ｃｏｎｔａｃｔ）及其制造方法，此半导体鳍式元件的接触窗位于半导体鳍的上表面、两侧壁表面及／或至少一端表面上，而与半导体鳍式元件的源极／漏极之间具有相当大的接触面积。

一种晶圆的清洗方法，适用以于一机台中去除该晶圆上的多个残余物，该晶圆的清洗方法至少包括：　　　　以一化学溶液冲洗该晶圆，藉以使该化学溶液与该些残余物反应；　　　　利用一热去离子水（ＤＩＷ）冲洗该晶圆，其中该热去离子水具有一预设温度；以及...

本发明提供一种改善闸极介电层的电性的方法，其中包括以下步骤：提供一半导体基底；形成一闸极介电层于上述半导体基底表面，其中上述闸极介电层包括氧化铪（ＨｆＯ↓［２］）；实施一含氢气体处理；以及实施一含氧气体处理。一种具有高介电常数的闸极介电...

一种多层叉合（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｔｅｄ）金属电容结构，其每一层由两个极性不同的梳状结构金属电极彼此叉合而构成，并且任两相邻层中的金属电极的梳状结构互相垂直，并借由梳状结构边上的介层窗（Ｖｉａ）连接同极性金属电极。其中，任两金属电极之...

一种形成不同栅极间隙壁宽度的方法，首先，提供一基底，其上具有第一、第二、及第三栅极，在第一、第二、及第三栅极的侧壁各依序形成第一及第二间隙壁，其中第二间隙壁底部覆盖部分的第一间隙壁；接着，在第一栅极上方形成第一遮蔽层并等向性蚀刻未被遮蔽...

一种具有晶格不相称区的变形沟道晶体管结构，其特征在于所述变形沟道晶体管结构包括：　　　　一变形沟道区，包括具有第一自然晶格常数的第一半导体材料；　　　　一覆盖该变形沟道区的栅极介电质层；　　　　一覆盖该栅极介电质层的栅极电极；以及　　　...

一种绝缘体上半导体芯片，其包括覆盖于一绝缘层上一半导体层；位于该半导体层中具有一第一厚度的一第一区域；位于该半导体层中具有一第二厚度的一第二区域；且该第一区域至少包括若干个第一主动区，该第二区域至少包括若干个第二主动区，其特征在于：　　...

一种应变半导体覆绝缘层型基底的制造方法，包括：　　　　提供一主体半导体基底，该主体半导体基底具有一晶格常数不同于硅的晶格常数；　　　　在该主体半导体基底上形成一应变硅层，以形成一施体晶圆，该施体晶圆具有一上表面；　　　　植入一离子至该施...

一种降低应力迁移的多重金属内连线布局，至少包括：　　　　一金属层；　　　　一金属突出部，其中该金属突出部与该金属层的一边缘接合；以及　　　　一阻障区位于该金属层上。