一种遮蔽装置，其应用在高能量粒子轰击的制程，该遮蔽装置至少包含一基底材料以及一阻挡材料，其特征在于：该阻挡材料应用半导体制程将其图案化在该基底材料上，该阻挡材料较该基底材料具有较好的高能量粒子阻挡能力。

一种具有凹陷抵抗埋入绝缘层的绝缘层上有半导体的结构包含，一基材，一埋入绝缘堆栈层覆盖于基材之上，与一半导体层覆盖于埋入绝缘堆栈层之上。此基材包含一硅基材。而埋入绝缘堆栈层包含至少一凹陷抵抗层覆盖于一第一介电层。半导体层由硅、应变硅或硅锗...

一种鳍状半导体二极管结构，其包括一半导体基材、一垂直半导体鳍状体、一第一导电件和一第二导电件。该半导体鳍状体位于该半导体基材上方，该半导体鳍状体具有掺杂有第一掺杂物的第一重掺杂区域和掺杂有第二掺杂物的第二重掺杂区域，第一重掺杂区域和第二...

一种半导体结构及其制造方法，其在导体区完成后，利用例如选择性反应（Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ　Ｒｅａｃｔｉｏｎ）、等离子体表面处理（Ｐｌａｓｍａ　Ｓｕｒｆａｃｅ　ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）或离子植入（Ｉｏｎ　Ｉｍｐｌａｎａｔｉｏｎ）等方式来钝化（Ｐａ...

本发明揭示一种利用电子束制程增加界面附着性的方法。首先，在表面形成有一第一绝缘层的基底上形成一第二绝缘层。接着，对两绝缘层的界面实施一第一电子束制程（ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｂｅａｍ　ｐｒｏｃｅｓｓ）。之后，可在第二绝缘层上形成一第三绝缘层，...

一种夹持装置及滚轮夹持装置，适用于承载一晶圆。该夹持装置包括一旋转座、一夹持座以及复数个夹持销。该夹持座是固定于该旋转座之上，并且具有从中心向外延伸的复数个支撑臂。该等夹持销是分别设置于该等支撑臂之上，每一夹持销具有一夹持部，该夹持部具...

一种转移光罩图形的方法，其中至少包括：　　　　提供用以产生一光罩的一数据文件，并将该数据文件分成复数个部分，其中每一这些部分至少包括一主要图形区与一接合区，且该接合区至少包括一共同图形；　　　　以一第一照射束照射这些部分；　　　　形成该...

一种磁阻式随机存取内存电路，包括下列组件，磁阻式记忆单元，具有固定磁轴层、自由磁轴层，以及设置于固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层；一限流装置，其第一极耦接于自由磁轴层；开关装置耦接于固定磁轴层的一端，并具有一控制闸；第一选取线耦接于...

本发明涉及一种连接垫及其制造方法，适用于一金属导线结构，该连接垫结构通过下列方法制成：首先于上述金属导线结构表面交替形成至少一第一钝态护层及一第二钝态护层；其次，以微影及蚀刻制程定义上述第二钝态护层及上述第一钝态护层，形成露出上述衬垫层...

本发明公开了一种具有应变硅锗层磊晶的场效应晶体管的制造方法，包括下列步骤：提供一硅基底；在该硅基底上磊晶成长一硅缓冲层及一应变Ｓｉ↓［（１－ｘ）］Ｇｅ↓［（ｘ）］通道层，其中该应变Ｓｉ↓［（１－ｘ）］Ｇｅ↓［（ｘ）］通道层处于双轴压缩应...

一种集成电路设计和整合方法，在一集成电路设计中包含至少一硅智财组件的假想组件（ｐｈａｎｔｏｍ　ｃｅｌｌ），其中假想组件具有至少一接脚并且在其内部具有分别耦接至上述接脚的至少一电路组件，假想组件的接脚与集成电路设计的其它线路已验证为正确连...

一种多栅极晶体管的制造方法，其特征在于，该制造方法至少包括下列步骤：　　　　形成一半导体层于一绝缘堆栈层上方，该绝缘堆栈层包括覆盖于一蚀刻终止层上方的一第一绝缘层；　　　　图案化该半导体层，借以形成一半导体鳍状体；　　　　形成一底切于该...

本发明涉及一种可改善铜金属层结构的表面处理方法，包括下列步骤：（ａ）提供一表面具有介电层的半导体基底，且所述介电层形成有一沟槽；（ｂ）在所述介电层表面及沟槽表面依序形成一顺应性的阻障金属层及铜晶种层；（ｃ）施行一旋转喷洒程序，在所述铜晶...

本发明揭示一种具有多方位的绝缘层上覆硅芯片。在单一绝缘层上覆硅芯片上形成有多种不同方位的孤立硅层，并且将Ｐ型晶体管设置于表面方位为（１１０）的孤立硅层上方，将Ｎ型晶体管设置于表面方位为（１００）的孤立硅层上方。如此一来，Ｐ型晶体管会具有...

一种半导体结构，包含具有压缩应力的第一半导体材料层，以及具有伸张应力的第二半导体材料层。利用第一半导体材料层与第二半导体材料层的搭配，可用来调节半导体元件中的通道应力，从而形成受应变的通道。

一种先进半导体组件结构，先进晶体管包括超薄体晶体管和多闸极晶体管。其中先进晶体管的源／汲极区为一闸极堆栈所分隔。一接触间隙壁位于闸极堆栈的侧壁，一被动层覆盖先进晶体管，接触插塞位于被动层内，接触插塞与部分接触间隙壁及源／汲极区连接。制造...

一种多层半导体晶片结构，定义有闲置区域，其为限制测试键设置的区域，第一切割道与第二切割道为定义一芯片的转角点，且第一切割道与第二切割道为一多层结构，且多层结构中的至少一层为低介电常数的介电层。一闲置区域为定义于该第一切割道上，且该闲置区...

本发明主要利用一对垂直场效电晶体建构出一数字随耦器（ｄｉｇｉｔａｌ－ｆｏｌｌｏｗｅｒ），再利用数字随耦器建构成一数字储存组件，更进一步提出一种新ＳＲＡＭ记忆单元的结构。因此，本发明提出的具有两个储存组件ＳＲＡＭ记忆单元比现有ＳＲＡＭ记忆...

一种浅沟渠隔离的平坦化方法，至少包含下列步骤：提供一基材；依序在该基材上形成垫氧化层及掩膜层；在该垫氧化层及该掩膜层中形成开口，并且暴露出该基材；蚀刻暴露的该基材，以在该基材中形成沟渠；在该基材的该沟渠中形成介电层，且所述介电层高于该掩...

一种具应变通道的互补式金氧半导体，其特征在于所述互补式金氧半导体包括：　　　　一半导体基底；　　　　复数沟槽隔离区，设置于上述半导体基底内，使得相邻两上述沟槽隔离区之间各定义出一主动区，其中上述主动区包括一Ｎ型主动区与一Ｐ型主动区；　　...