一种内连线错误的改善图案，其特征在于：该内连线错误的改善图案至少包含：　　　　一第一金属层；　　　　一第二金属层；　　　　一介电层，位于该第一金属层与该第二金属层之间；　　　　一第一中介插塞，位于该介电层之中，该第一中介插塞的一端与该第...

一种水溶性负型光阻，其特征在于，至少包括：　　　　一聚合物，其中该聚合物为一水溶性聚合物；　　　　一光活性化合物（Ｐｈｏｔｏ－Ａｃｔｉｖｅ　　Ｃｏｍｐｏｕｎｄ），其中该光活性化合物为一水溶性光酸产生剂（Ｐｈｏｔｏ　　Ａｃｉｄ　　Ｇｅｎｅ...

一种形成金属硅化物的方法，适用于一硅基板，其上形成有一ＭＯＳ晶体管，包括一复晶硅闸极结构、一源极及一汲极，该方法包括下列步骤：　　　　形成一活性层于该硅基板既有的结构上；　　　　形成一金属层于该活性层上；　　　　形成一覆盖层于该金属层上...

一种覆晶封装制程，包含至少下列步骤：　　　　提供一基材，该基材上具有一至少露出部分于表面的导电焊垫；　　　　形成一凸出于该导电焊垫上且呈锥形的预上锡膏；　　　　于该基材上形成一具有二氧化硅填充料的填胶材料；　　　　将一具有导电凸块的芯片...

本发明提供了一种可避免电荷效应所导致电子束偏移的光罩制作方法，其步骤包括：提供一光罩，其中此光罩中具有一中央区域及一围绕该中央区域的外围区域；覆盖一阻剂层于中央区域与外围区域上；提供至少一预定图案；以及施行一电子束直写程序，将上述预定图...

一种铜金属镶嵌工艺，其特征在于，其至少包括如下步骤：　　　　在一基材上形成一第一介电层；　　　　　在该第一介电层上形成一沉积层；　　　　在该沉积层与该第一介电层中形成至少一金属插塞；　　　　　形成一覆盖于该沉积层上的第二介电层；　　　　...

本发明提供一种集成电路与其形成方法与电子组件，该方法为一种多层金属内导线制程，藉使用第一极低介电常数材料于较低层金属层中、第二极低介电常数材料于中间层金属层中与低介电常数材料于上层金属层中，以提供良好的电性与机械性。

本发明提供一种去除光罩遮光缺陷的方法，适用于微影用光罩，包含透光基底以及光罩图案层设置于该透光基底表面，其中该光罩图案层中具有至少一遮光缺陷，该方法包含下列步骤：首先覆盖一阻剂于该透光基底表面；接着在透光基底上选定包含遮光缺陷的区域，对...

一种半导体构装封环结构，其包括多个绝缘层、个别嵌进一上述绝缘层的多个导电条，以及个别接触一上述导电条且延伸穿越至少一上述绝缘层的多个导电柱，该些导电柱至少部分通过另一上述导电条上的开口。

本发明公开了一种晶圆基座及使用该晶圆基座的等离子体工艺。其中晶圆基座用于一等离子体反应室中承载一晶圆，包含一具有一第一宽度的绝缘本体以及一具有不大于第一宽度的一第二宽度的导体层，且第二宽度不小于晶圆的直径，而导体层埋设于绝缘本体中。等离...

一种具有高介电常数介电层的栅极结构的制造方法，包括下列步骤：　　　　提供一半导体基底，于该半导体基底上形成具有高介电常数的一介电层；　　　　形成一栅极导电层于该介电层之上；　　　　以一图案化罩幕，利用干蚀刻法蚀刻该栅极导电层及部分该介电...

一种研磨金属层的方法，包括下列步骤：提供一具有上部已图案化介电层的结构，其具有一开口形成于其中；形成一阻障层于该上部已图案化介电层之上，并依衬于该开口中；于该阻障层上形成一金属层，并填充该开口；实施一第一研磨步骤，使用一第一研浆组合物以...

本发明提供的光电二极管组件包括一位于一基底的一井区、一位于井区的浮置节点、及一位于与浮置节点的侧边上方的一浅沟槽隔离区域。一无边界接触点缓冲层，至少位于浮置节点上；以及一内层介电层，位于无边界接触点缓冲层上。一无边界接触点经由内层介电层...

本发明是关于一种电容器及其制造方法，其结构包括：一绝缘层，覆盖于一基材上；一半导体层，覆盖于绝缘层上；一下电极，形成于部分的半导体层内；一电容介电层，覆盖于下电极上，其中电容介电层包含具有介电常数大于５的高介电常数介电材料；以及一上电极...

本发明揭示一种防止去除光阻期间损坏抗反射结构的方法。首先，在一抗反射结构上方原位（ｉｎ－ｓｉｔｕ）形成一不含氮的氧化硅层以作为一保护层，其折射率在１．４到１．７的范围且消光系数在０到０．５的范围。接着，在不含氮的氧化硅层上方形成一光阻图...

本发明提供一种高压组件，包括一基底、第一及第二井区、栅极、以及第一、第二及第三掺杂区。基底具有一第一型导电性；第一及第二井区形成于基底中，分别具有第一及第二型导电性；栅极形成于基底上；第一及第二掺杂区均具有第二型导电性，分别形成于第一及...

本发明公开了一种反熔丝型存储器组件的结构与制造方法，包括下列步骤：首先，提供一基板并形成一金属层于该基板上。其后，形成一硅层于该金属层上并使该金属层与部分该硅层反应以形成一金属硅化物层且未被反应的硅层做为第一型导电层。接下来，形成一反熔...

本发明提供一种镶嵌式金属内连线的制造方法。包括下列步骤：形成有一含硅－碳基键的介电层于一基底上，接着，形成一双镶嵌开口于该介电层中，之后，进行一电浆灰化步骤，将该介电层结构中的硅－碳基键取代为硅－羟基键。续对该双镶嵌开口的侧壁与底部的介...

本发明揭示一种形成于半导体基底上的去耦合电容装置。上述半导体基底包括一应变硅层；一实质上为平面的下电极形成于部分应变硅层中以及一电容介电层形成于下电极上；一实质上为平面的上电极形成于电容介电层之上；上述上电极连接至第一参考电压线，以及下...

本发明是关于一种半导体元件及其制造方法，此半导体元件的结构包括：一栅极介电层，覆盖于一通道区上；一源极区及一汲极区，位于该通道区的对称侧，其中通道区包含有第一半导体材料而源极区及汲极区包含有第二半导体材料；一闸电极，覆盖于栅极介电层上；...