电容器及其制造方法技术

本发明专利技术是关于一种电容器及其制造方法，其结构包括：一绝缘层，覆盖于一基材上；一半导体层，覆盖于绝缘层上；一下电极，形成于部分的半导体层内；一电容介电层，覆盖于下电极上，其中电容介电层包含具有介电常数大于５的高介电常数介电材料；以及一上电极，覆盖于电容介电层上。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体组件，且特别是有关于一种效能改善的。
技术介绍
于半导体集成电路芯片中，电源供应线路是用来供应电流以对集成电路中的主动及被动组件进行充/放电。例如，当时脉(clock)转换时，数字型CMOS电路将吸引电流。而于电路操作时，电源供应线路需供应相对高密度的瞬间电流，可能会导致于电源供应线路处的电压噪声(voltage noise)。当瞬间电流的扰动时间较短时或寄生电感/寄生电阻极大时，电源供应线路的电压将会有所扰动。于当今电路应用技术中，集成电路的操作频率可为数百个百万赫兹至数个十亿赫兹。于如此的电路中的时脉讯号上升时间极短，所以电源供应线路中的电压扰动将非常大。于驱动电路的电源供应线路内此不期望的电压扰动将于内部讯号导致噪声并劣化了噪声限度。噪声限度的劣化将降低线路的可靠度，甚至将导致线路故障。为降低电源供应线路内的电压扰动幅度，通常于不同电源供应线路间的端处或于电源供应线路与接地线路间的端处采用有滤波或去耦合电容器。于当需要预防电压供应的瞬间降低时，去耦合电容可作为电荷储存器的用以额外供应电流至电路处。图1中显示了含有去耦合电容器的一电路图。电容器C1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容器，包括：一绝缘层，覆盖于一基材上；一半导体层，覆盖于绝缘层上；一下电极，形成于部分的该半导体层内；一电容介电层，覆盖于该下电极上，其中该电容介电层包含具有介电常数大于５的高介电常数介电材料；以及 一上电极，覆盖于该电容介电层上。

【技术特征摘要】
US 2003-7-25 10/628,0201.一种电容器，包括一绝缘层，覆盖于一基材上；一半导体层，覆盖于该绝缘层上；一下电极，形成于部分的该半导体层内；一电容介电层，覆盖于该下电极上，其中该电容介电层包含具有介电常数大于5的高介电常数介电材料；以及一上电极，覆盖于该电容介电层上。2.根据权利要求1所述的电容器，其中该电容器为去耦合电容器。3.根据权利要求1所述的电容器，其中该上电极包括择自由钼、钨、钛、钽、铂、铪、氮化钼、氮化钨、氮化钛、氮化钽、硅化镍、硅化钴、硅化钨、硅化钛、硅化钽、硅化铂、硅化铒及其组合所组成族群。4.根据权利要求1所述的电容器，其中该上电极包括择自由氧化钌、氧化铟锡及其组合所组成族群。5.根据权利要求1所述的电容器，其中该高介电常数介电材料包括择自由氧化铪、氧化铝、氮氧化铪、氧化锆、氮氧化铪、硅酸铪、硅酸锆、氧化镧及其组合所组成族群。6.根据权利要求1所述的电容器，其中该高介电常数介电材料的介电常数大于10。7.根据权利要求1所述的电容器，其中该电容介电层的实际厚度少于100埃。8.根据权利要求1所述的电容器，其中该电容器的宽度大于5微米。9.根据权利要求1所述的电容器，其中该电容器的长度大于1微米。10.根据权利要求1所述的电容器，其中该下电极掺杂区掺杂有第一导电性，而该下电极掺杂有第二导电性并耦合于可产生具有第一导电性的反转区的一电源供应线路。11.根据权利要求1所述的电容器，其中该下电极以及该下电极掺杂区掺杂有第一导电性。12.一种电容器，包括含有表面硅层的一半导体基材；一平坦的下电极，形成于部分的该表面硅层内；一电容介电层，覆盖于该下电极上，其中该电容介电层包含具有介电常数大于5的高介电常数介电材料；以及一平坦的上电极，覆盖于该电容介电层上，其中该上电极电性耦合于一第一参考电压线路而该下电极电性耦合于一第二参考电压电路。13.根据权利要求12所述的电容器，其中该半导体基材，其中该上电极包含择自由钼、钨、钛、钽、铂、铪、氮化钼、氮化钨、氮化钛、氮化钽、硅化镍、硅化钴、硅化钨、硅化钛、硅化钽、硅化铂、硅化铒及其组合所组成族群。14.根据权利要求12所述的电容器，其中该高介电常数介电材料包括择自由氧化铪、氧化铝、氮...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨育佳，胡正明，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]