光电二极管和其制造方法及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供的光电二极管组件包括一位于一基底的一井区、一位于井区的浮置节点、及一位于与浮置节点的侧边上方的一浅沟槽隔离区域。一无边界接触点缓冲层，至少位于浮置节点上；以及一内层介电层，位于无边界接触点缓冲层上。一无边界接触点经由内层介电层及无边界接触点缓冲层而延伸至浮置节点。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种光电二极管组件及其制造方法，特别是有关于一种CMOS影像感测组件及其制造方法。
技术介绍
光学传感器是一接收来自目标物所产生或反射的光线的装置，用以产生数字影像数据。光学传感器的制造亦可合并入传统CMOS的制造技术中，此种影像传感器通常被称为CMOS影像传感器(CMOS image sensor，CIS)。一般来说，CMOS影像传感器包括一光线感测区及一周边电路区，光线感测区用以将自目标接收的光能转换为电讯号(例如是电流)，周边电路区用以处理及传送电讯号至另一组件来进行其它处理。光电二极管是形成在光感测区内，晶体管或者其它组件则可形成在周边电路区内，因此而构成一半导体结构。在半导体结构上则形成具有绝缘层与金属线的内联机以与光电二极管、晶体管、及其它组件互相连接。然而，内联机结构的设计主要是依据想要的电性及组件可靠度决定，而不是依据光学特性。因此，光穿透率(optical transmittance)会因为在半导体结构及内联机结构间界面的光学反射而被降低。举例来说，硅化物层通常被用来改善内联机组件的电耦合。然而，硅化物层光学上不透光。因此，一般可在光电二极管上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电二极管组件，包括：　　　　一井区，位于一基底内；　　　　一浮置节点，位于该井区；　　　　一浅沟槽隔离区，位于该浮置节点侧边的上方；　　　　一无边界接触点缓冲层，至少位于该浮置节点上；　　　　一介电层，位于该无边界接触点缓冲层上；及　　　　一无边界接触点，经由该介电层及该无边界接触点缓冲层以延伸至该浮置节点。

【技术特征摘要】
US 2003-7-24 10/626,0611.一种光电二极管组件，包括一井区，位于一基底内；一浮置节点，位于该井区；一浅沟槽隔离区，位于该浮置节点侧边的上方；一无边界接触点缓冲层，至少位于该浮置节点上；一介电层，位于该无边界接触点缓冲层上；及一无边界接触点，经由该介电层及该无边界接触点缓冲层以延伸至该浮置节点。2.根据权利要求1所述的光电二极管组件，其中该无边界接触点缓冲层包括氮氧化硅层、氮化硅层、或上述材料的组合层。3.根据权利要求1所述的光电二极管组件，其中该无边界接触点缓冲层介于该介电层的一第一折射率与该浮置节点的一第三折射率之间。4.根据权利要求1所述的光电二极管组件，其中该介电层具有一介于1.3至1.5之间的第一折射率，该无边界接触层具有一介于1.8至2.5之间的第二折射率，该浮置节点具有一大于3的第三折射率。5.一种光电二极管传感器的制造方法，包括下列步骤于一基底形成一井区；至少在该井区内形成一浅沟槽隔离组件；移除部分该浅沟槽隔离组件以在露出部分的该井区，并形成一对应的浅沟槽隔离组件；至少于该浮置节点上及沿着该浅沟槽隔离区的侧壁形成一无边界接触点缓冲层；于该无边界接触点缓冲层上形成一内层介电层；及形成一无边界接触点，该无边界接触点经由该内层介电层...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨敦年，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]