设有光电二极管的半导体装置及其制造方法和光盘装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供设有光电二极管的半导体装置及其制造方法和光盘装置。该半导体装置包括：Ｐ型半导体基板；在Ｐ型半导体基板上形成的第一Ｐ型半导体层；在第一Ｐ型半导体层上形成并且具有比第一Ｐ型半导体层低的Ｐ型杂质浓度的第二Ｐ型半导体层；在第二Ｐ型半导体层上形成的将要形成阴极区域的Ｎ型半导体层；通过在第二Ｐ型半导体层的部分区域中扩散Ｐ型杂质而形成的第一Ｐ型扩散层；第二Ｐ型扩散层，在邻近第一Ｐ型扩散层的下方，在第二Ｐ型半导体层中扩散Ｐ型杂质形成，并且具有比第一Ｐ型扩散层低的Ｐ型杂质浓度；以及以将Ｎ型半导体层和第一Ｐ型扩散层彼此隔离的这样的方式形成的光电二极管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及设有光电二极管(photodiode)的半导体装置及其制造方法和光盘装 置的技术。
技术介绍
在光盘装置中，已经使用接收从光盘反射的光并将该光转换为电信号的光电二极 管IC。光电二极管IC是包含作为光接收元件的光电二极管和诸如由晶体管等形成的双极 集成电路和MOS (金属氧化物半导体)集成电路的半导体集成电路，所有这些都形成在同一 基板上。 在上述的包含光电二极管和半导体集成电路的半导体装置中，入射光通过光电二 极管被转换为电流，并且该电流进一步被转换为电压，并且，对该电压施加预定的处理以输 出信号。 图13是包括光电二极管和半导体集成电路的现有技术中的半导体装置100的示 意横截面。半导体装置IOO包括光电二极管101和具有NPN型双极晶体管102等的电路区 域。 更具体地说，半导体装置100包括P型半导体基板110，并且在该P型半导体基板 上形成重掺杂(heavily doped)P型半导体层111，在该重掺杂P型半导体层上进一步形成 轻掺杂(lightly doped)P型外延层112，该轻掺杂P型外延层112是具有比重掺杂P型半 导体层lll低的杂质浓度的半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：Ｐ型半导体基板；在Ｐ型半导体基板上形成的第一Ｐ型半导体层；在第一Ｐ型半导体层上形成并且具有比第一Ｐ型半导体层低的Ｐ型杂质浓度的第二Ｐ型半导体层；在第二Ｐ型半导体层上形成的将要形成阴极区域的Ｎ型半导体层；通过在第二Ｐ型半导体层的部分区域中扩散Ｐ型杂质而形成的第一Ｐ型扩散层；第二Ｐ型扩散层，在邻近第一Ｐ型扩散层的下方，在第二Ｐ型半导体层中扩散Ｐ型杂质形成，并且具有比第一Ｐ型扩散层低的Ｐ型杂质浓度；以及以将Ｎ型半导体层和第一Ｐ型扩散层彼此隔离的这样的方式形成的光电二极管。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：汤元博志，米田修二，向井友和，竹内克彦，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]