本发明涉及一种改善蚀刻中止层与金属层间的粘着性的工艺与结构，本发明的工艺与结构包括利用原子层沉积法在金属层与蚀刻中止层间增加了一层金属氮化物作为覆盖层，藉以增加蚀刻中止层与金属层的粘着性，以提升可靠度。

本发明涉及一种半导体结构的制造方法，其是在基材的第一表面上形成高介电常数（Ｈｉｇｈ　Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｃｏｎｓｔａｎｔ；Ｈｉｇｈ　ｋ）薄膜后，且在任何高温热处理步骤前，先利用含卤素（Ｈａｌｏｇｅｎ）化学物对与基材的第一表面相对的基材...

一种可同时具有部分空乏晶体管与完全空乏晶体管的芯片，其特征在于所述芯片包括：　　　　一半导体基底；　　　　一完全空乏平面晶体管，具有一长闸极层，且设置于上述半导体基底上；以及　　　　一部分空乏平面晶体管，具有一短闸极层，且设置于上述半导...

本发明涉及一种判断造成半导体机台异常原因的系统与方法；本发明使用诊断规则，来逐一检查计算机整合制造系统的子系统的数据，并对应关联至异常根本原因，以针对半导体机台的异常状态产生诊断结果；本发明还具有自学机制，借此将使用者针对诊断结果所产生...

一种半导体组件的多重间隙壁宽度（Ｍｕｌｔｉｐｌｅ　Ｓｐａｃｅｒ　Ｗｉｄｔｈｓ）的制造方法，其在半导体组件的侧壁上形成第一间隙壁后，再进行选择性沉积（ＳｅｌｅｃｔｉｖｅＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）处理，以使第一间隙壁的表面产生悬浮键（Ｄａｎｇｌ...

本发明是具有鳍片结构的半导体元件及其制造方法。所述半导体结构，其包括复数个半导体鳍片在一绝缘层上，一栅极介电质在部分该些半导体鳍片上，以及一闸电极在该栅极介电质上。上述任一半导体鳍片均具有一上表面、一第一侧壁表面以及一第二侧壁表面；掺杂...

一种具有抗凹蚀绝缘层的半导体结构，包括：　　　　一基底，其上设置有一绝缘层；　　　　复数个半导体岛，分隔地设置于该绝缘层上并部分遮蔽该绝缘层；以及　　　　复数个抗凹蚀区（ｒｅｃｅｓｓ－ｒｅｓｉｓｔａｎｔｒｅｇｉｏｎ），个别地设置于未为该...

本发明涉及一种清洗孔洞材料的方法及其装置；此方法及其装置是在利用超临界流体清洗孔洞材料上的制程残余物时，先在低压状态下使流体注入孔洞，再将反应压力从低压渐升至产生超临界流体的高压；如此一来，可平衡孔洞材料的内外压力，达到降低压力对孔洞材...

本发明是关于一种半导体组件、累积模式多重闸晶体管及其制造方法。本发明的半导体组件的结构包括：一累积模式（ａｃｃｕｍｕｌａｔｉｏｎ　ｍｏｄｅ）多重闸晶体管，其中上述累积模式多重闸晶体管包括：至少一半导体鳍部，位于一绝缘层上，其中该半导体鳍...

本发明涉及一种改良的集成电路结构，此结构包括邻近的传导性介电层，这些传导层与介电层具有一连续而平面的上表面。此集成电路结构通过一制程方法而产生，此制程方法包含以一硅烷化合物处理此表面，接着在此表面上沉积一蚀刻停止层，其中并没有施加一粘着...

本发明提供一种ＣＭＯＳ组件及其制造方法，其结构包括将闸极电极设于基底上，将源极／汲极设于闸极电极两侧的基底中，将应力缓冲衬层顺应性地配置于闸极电极两侧且部分延伸至基底表面，并将应力层设于闸极电极、应力缓冲衬层和源极／汲极上，且与应力缓冲...

本发明提供一种具多厚度的绝缘层上半导体的结构及其形成方法，提供一晶圆，此晶圆具有重叠位于基材上的埋入绝缘层上的一半导体膜（具有至少两区域）。覆盖半导体膜至少两区域中的一者，以提供具有一第一厚度的至少一半导体膜覆盖部分，保留暴露半导体膜至...

一种铜导线的无电镀方法，其特征在于，其至少包含以下步骤：　　　　提供一基材，其中该基材上具有若干个导电区域与若干个非导电区域，且这些导电区域由铜导线构成；　　　　在该基材的这些导电区域之上无电镀金属薄膜；以及　　　　清洁该基材的表面。

一种避免晶圆切割时微粒掉落至晶圆上的方法，其特征在于，该方法至少包括下列步骤：　　　　涂布非水溶性材质层于晶圆的正面上，该晶圆的正面具有半导体元件形成于其上；　　　　黏着一胶带于该晶圆的背面上；切割黏着有该胶带的该晶圆。

一种快速排水清洗槽，至少包含：　　　　一槽体，其中该槽体至少包括一排水孔位于该槽体的一底部；以及　　　　一导流板固定在该排水孔上方的该槽体上，以使该槽体的一排出喷流场转变成一均匀流场。

一种金属硅化双层结构，包括：　　　　一硅基底；以及　　　　一钴／镍双层金属硅化物，设置于该硅基底上，其中该钴／镍双层金属硅化物包括一镍金属硅化层，位于该硅基底上方，以及一钴金属硅化层，位于该镍金属硅化层上方。

一种绝缘硅芯片的鳍状元件，其特征在于，该鳍状元件至少包含：　　　　一硅基材；　　　　一绝缘层，覆盖于该硅基材之上；　　　　至少一鳍状结构的晶闸管形成于该绝缘层之上，该鳍状结构的硅控整流体的宽度，能使在该鳍状结构的晶闸管中形成一非空乏区域...

一种多重金属层内连线结构，设置于一具有电路的半导体基底上，该结构包括：一介电层，沉积于该半导体基底之上；第一金属线层与第二金属线层，分别镶嵌于介电层中，其中第一金属线层以一距离ｄ，平行于第二金属线层；多个第一插塞，设置于介电层中，与该第...

一种铜制程焊垫结构，至少包含：　　　　一第一保护层，覆盖于一半导体基材的一最上层金属内联线之上，其中该第一保护层具有数个第一开口，且所述第一开口露出该最上层金属内联线的数个区域；　　　　一第二保护层，形成于该第一保护层之上，具有数个第二...

本发明涉及一种具有双嵌附层的减光型相移光罩及其制作方法。该光罩包括：一透明基底；一透光性嵌附层覆盖于透明基底上；以及一稳定性嵌附层覆盖于透光性嵌附层上，透光性嵌附层与稳定性嵌附层构成一双嵌附层，其中稳定性嵌附层的化学稳定性比透光性嵌附层...