一种处理栅极结构的方法，以改善电效能特性，此栅极结构包括高介电常数栅极堆栈介电层，此处理栅极结构的方法包括提供一栅极堆栈介电层于硅基底上，此栅极堆栈介电层包括一二元（ｂｉｎａｒｙ）氧化物；形成一多晶硅层于上述栅极堆栈介电层上；进行微影图...

一种晶片装载室，包括一腔体、一升降台、一伸缩轴以及一蒸气捕捉装置；腔体包括一底表面；升降台是设置于腔体之内；伸缩轴包括一上端及一下端，上端是连结于升降台，下端连接于底表面，其中一润滑剂涂覆于伸缩轴之上；蒸气捕捉装置可防止润滑剂产生的蒸气...

本发明提供一种在基底上制作集成电路及形成均匀铜内联机的方法，首先，依序沉积介电层、导电层及光阻层于基底上，并利用导电层（ＥＣ层）作为硬掩膜层，经由光阻层的开口蚀穿介电层。接着，于导电层上及开口内沉积扩散阻障层和铜晶种层，并利用第一次化学...

一种金属在金属上（ＭＯＭ）的组件及其制造方法。该组件具有至少一组件单元位于一包含一框架部分以及一受到该框架部分所围绕的中心部分的第一层别上；该中心部分具有一十字型中心处以定义该框架与中心部分为四个空间象限。该中心部分具有一或一个以上中心...

一种与逻辑制程兼容的单一晶体管型随机存取存储器（１Ｔ－ＲＡＭ）的制造方法，其是在一半导体基底的存储单元区以及逻辑电路区中完成栅极层、源／漏极区、遮蔽层、金属硅化物、蚀刻停止层以及第一介电层之后，于一浅沟槽隔离结构中定义一电容器区域，则该...

一种高效能且具改善驱动电流的半导体组件及其制造方法。该半导体组件具有建立于一有源区上的源极与漏极区，组件长度是异于其宽度。制造一或一个以上的隔离区于该有源区周围，接着将该隔离区填充以一预定的隔离材料，其体积收缩经一退火程序后是超过０．５...

一种形成半导体组件的方法，至少包含以下步骤：形成一结构于一芯片上，该结构具有一第一层与一罩幕层，且该第一层具有一预掺杂的多晶硅层；在移除该罩幕层之前，氧化该芯片以产生一氧化层；以及移除该罩幕层。

本发明的半导体装置的制造方法提供一种具有上表面的中间结构，隔离沟道形成于中间结构上并且在中间结构上沉积绝缘材料，其中绝缘材料填入隔离沟道，多余的绝缘材料高于中间结构的上表面，去除一部分多余的绝缘材料，直至在中间结构的上表面形成一预定的绝...

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，在至少两个以上的绝缘层上形成多个ＭＩＭ电容结构图案，绝缘层包含半导体装置的介层及金属化层，在至少两个邻接的ＭＩＭ电容图案之间的绝缘层顶部形成一凹型区域，当沉积ＭＩＭ电容结构的上平板材质时，上平板材质...

一种形成多种宽度间隙壁的方法，其特征在于该方法至少包括以下步骤：　　　　提供一基材，该基材上具有复数结构，该复数结构分布于至少二作业区域；　　　　于该基材上形成至少二层介电层的堆栈；以及　　　　于该些介电层上进行至少一次微影蚀刻作业，其...

本发明提供一种形成半导体装置的方法，首先，提供一半导体基底，于半导体基底上形成一化学气相沉积的低介电常数介电层；然后，以氢气对化学气相沉积的低介电常数介电层表面进行处理以形成一改质表层。

一种连接垫结构，包括一基底包含有一连接区域以及一检测区域。一第一介电层形成于该基底上，且包含有一环状沟槽以及一相对应形成一介电层岛状结构。一第一导电层形成于该第一介电层的该环状沟槽中。一保护层形成于该第一介电层上且包含有一开口，其中该开...

本发明提供一种可编程电阻器元件及其形成方法与程序化方法。该形成方法包括在基底上沉积半导体层；接着图形化该半导体层以形成多条线路，且这些线路在第一端点与第二端点间电性并联，其中任何线路可通过从第一端点至第二端点强加电流而被烧断；选择性形成...

一种半导体装置，包括：一基底、一第一外延层、一第二外延层、一第三外延层、一第一沟槽与一第二沟槽。该第一外延层位于该基底上且与该基底晶格不相称。该第二外延层位于该第一外延层上且与该第一外延层晶格不相称。该第三外延层位于该第二外延层上且与该...

液体的假配发的控制通过纪录处理基材时的时间、纪录配发液体时的时间、以及比较处理基材时的时间与配发液体时的时间，并在需要进行假配发时产生假配发讯号。一种控制液体的假配发的系统，包括至少一信息储存组件，用来储存处理基材时的时间以及配发液体时...

一种制造具应变的多层结构的方法，包括下列步骤：　　　　提供一基底；　　　　在该基底上沉积一渐进硅锗（Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］）缓冲层，其中ｘ随该渐进硅锗缓冲层厚度增加而由０渐增至０．３；　　　　在该渐进硅锗缓冲层上沉积一硅锗上盖层；...

一种制造具应变的多层结构的方法，包括下列步骤：　　　　提供一基底；　　　　借由二硅乙烷／三硅丙烷作为一第一反应气体，以在该基底上方依序形成一渐进硅锗（Ｓｉ１－ｘＧｅｘ）缓冲层及一硅锗上盖层，其中ｘ随该渐进硅锗缓冲层厚度增加而由０渐增至０...

本发明披露了一种埋入式电容器介层窗的制造方法，此埋入式电容器具有一下电极、一电容介电层、一上电极及一抗反射层，其中，电容介电层、上电极及抗反射层组成埋入式电容器的侧壁，形成一介层窗，此一介层窗暴露出该埋入式电容器的侧壁。

本发明揭露一种适用于液体浸润式微影制程的接物透镜以及制造此种接物透镜的方法。在一个实施例中，此接物透镜具有多个透镜组件，其中一个组件包括透明基材与抗腐蚀层。此抗腐蚀层形成且邻接于透明基材之上，并且位于微影制程所使用于的液体与透明基材之间...

本发明揭示一种晶片基座（ｐｅｄｅｓｔａｌ）。其中上述晶片基座是适用于一电浆反应室中承载一晶片，包含：一绝缘本体；一导体层，于上述绝缘本体上；以及一陶瓷盖板，至少覆盖部分该上述导体层。其中，在上述晶片基座承载上述晶片时，上述导体层完全被覆盖。