单一晶体管型随机存取存储器的制造方法技术

一种与逻辑制程兼容的单一晶体管型随机存取存储器（１Ｔ－ＲＡＭ）的制造方法，其是在一半导体基底的存储单元区以及逻辑电路区中完成栅极层、源／漏极区、遮蔽层、金属硅化物、蚀刻停止层以及第一介电层之后，于一浅沟槽隔离结构中定义一电容器区域，则该浅沟槽隔离结构的暴露侧壁以及该半导体基底的暴露表面是用作为一电容器下电极板。而后依序沉积一介电层以及一导电层于该电容器下电极板表面上，分别用以作为一电容介电层以及一电容器上电极板。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种嵌入式存储器(embedded memory)的制程，特别是有关于一种可与逻辑制程(logic process)兼容的单一晶体管型随机存取存储器(1T-RAM)的制造方法。
技术介绍
嵌入式存储器逻辑组件为一种系统单芯片(system on a chip；SOC)组件，是指将存储器组件和逻辑组件整合于同一芯片上。嵌入式存储器逻辑组件包含有一单元数组区和一逻辑电路区，而储存于单元数组区的存储单元内的数据则由逻辑电路来操作。目前广泛做为存储单元的结构有两种，一是动态随机存取存储器单元(DRAM cell)，一是静态随机存取存储器单元(SRAMcell)。近来发展出一种1T-SRAM技术，其使用逻辑制程配合DRAM的存储单元架构来生产功能为SRAM的产品，故可运用单一晶体管晶胞达到高集积度的目的，同时维持SRAM免数据更新及低随机存取周期的优势。因此，1T-SRAM可以成为传统静态随机存取存储器与嵌入式动态随机存取存储器的替代方案。在目前的1T-RAM技术中，常用的电容结构为平板型电容(planarcapacitor)，但因其具有不易缩小存储单元尺寸的缺点，故无法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单一晶体管型随机存取存储器的制造方法，包括有下列步骤：提供一半导体基底，其包含有一存储单元区以及一逻辑电路区；于该半导体基底中形成多个浅沟槽隔离结构，用以定义该存储单元区以及该逻辑电路区的有源区域，其中该第一浅沟槽隔离结 构位于该存储单元区内，且该第二浅沟隔离结构位于该存储单元区以及该逻辑电路区的交界处；于该半导体基底的表面上形成多个栅极层以与栅极绝缘层，其中该存储单元区内包含有多个第一栅极层以及至少一个第二栅极层，该逻辑电路区内包含有至少一个第一栅 极层以及至少一个第二栅极层，且该存储单元区内的该第二栅极层是形成于该第一浅沟槽隔离结构的表面上，...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：蒋敏雄，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]