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一种与逻辑制程兼容的单一晶体管型随机存取存储器（１Ｔ－ＲＡＭ）的制造方法，其是在一半导体基底的存储单元区以及逻辑电路区中完成栅极层、源／漏极区、遮蔽层、金属硅化物、蚀刻停止层以及第一介电层之后，于一浅沟槽隔离结构中定义一电容器区域，则该浅沟...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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一种与逻辑制程兼容的单一晶体管型随机存取存储器（１Ｔ－ＲＡＭ）的制造方法，其是在一半导体基底的存储单元区以及逻辑电路区中完成栅极层、源／漏极区、遮蔽层、金属硅化物、蚀刻停止层以及第一介电层之后，于一浅沟槽隔离结构中定义一电容器区域，则该浅沟...